Новости про 25 нм и оперативная память

Samsung увеличивает производство 25 нм DRAM

Компания Samsung Electronics увеличивает объёмы производства DRAM памяти по 25 нм технологическому процессу, с целью ужесточения противостояния Micron Technology и SK Hynix. Такую информацию распространил ресурс DigiTimes ссылаясь на обозревателей отрасли.

Ожидается, что Micron переведёт своё производство памяти на 20 нм процесс уже к концу текущего года, отмечают источники. Сейчас же фирма изготавливает большую часть своих микросхем памяти используя для этого заводы с процессом 30 нм.

Однако завод Micron в японской Хиросиме был модернизирован и теперь изготавливает чипы с размером элементов 25 нм. Завод в Хиросиме, по сути, работает с 12” пластинами и принадлежит японской Elpida Memory. Этот завод специально предназначен для производства микросхем DRAM.

Samsung DDR3

Завод Micron в Хиросиме, равно как и тайваньская Inotera Memories, являются дочерними производствами Micron, и оба этих производителя должны перевести своё производство на 20 нм нормы к концу 2014 года, отмечают обозреватели.

Что касается китайского завода DRAM SK Hynix, то его процесс перехода на новые технологии был приостановлен в связи с пожаром, который произошёл на заводе осенью прошлого года, отмечает источник. Сейчас основным техпроцессом производства DRAM для SK Hynix остаётся 29 нм, а значит, у Samsung есть все шансы усилить свои позиции на рынке.

Компания Elpida объявила о разработке 25 нм модулей памяти

В четверг компания Samsung провела громкую презентацию своего нового завода по производству модулей памяти «20 нм класса». Причем по заявлению самой компании, это крупнейший завод в мире. И вот на следующий день, японская фирма Elpida Memory, специализирующаяся на производстве микросхем памяти, заявила, что им удалось создать самый маленький 4 Гб модуль памяти DDR3.

Такого результата в Elpida смогли достичь благодаря внедрению технологии производства микросхем с размером элементов равных 25 нм. Напомним, что ранее, в мае этого года, японская компания объявила о разработке 25 нм микросхем памяти ёмкостью 2 Гб.

Elpida

Новый чип Elpida потребляет на 25—30% меньше операционного тока, при этом сила тока в режиме ожидания также снижается на 30—50%, по сравнению с модулями памяти такого же объёма, но изготовленных по нормам 30 нм техпроцесса. Кроме превосходств, связанных с пониженной мощностью, изготовитель также заявил, что благодаря 25 нм техпроцессу новые 4 Гб чипы имеют на 45% большую производительность, чем 30 нм решения их же производства.

Характеристики 4 Гб 25 нм чипов Elpida

Новые 4 Гб микросхемы памяти могут работать на частоте 1866 МГц при напряжении питания 1,35 В или 1,5 В и предназначены для применения в модулях памяти для всех устройств, начиная от настольных ПК и серверов и заканчивая нетбуками.

Первые образцы памяти, изготовленной по усовершенствованному техпроцессу, а также коммерческое производство чипов, компания планирует начать уже в конце этого года.