9923986909;rectangle
7994420702;horizontal

Новости про 19 нм

SanDisk выпускает 4 ТБ SSD #

10 мая 2014

Компания SanDisk представила новый твердотельный накопитель объёмом 4 ТБ, который нацелен на промышленный сегмент.

Производитель впервые подготовил 4 ТБ Optimus Max Serial Attached SCSI SSD, который по его мнению идеально подходит для центров обработки данных. Новый накопитель получил eMLC память, изготавливаемую по 19 нм технологическому процессу.

SanDisk 4 ТБ Optimus Max Serial Attached SCSI SSD

По словам SanDisk, представленный накопитель подходит для использования в местах, где ежедневно происходит его полная перезапись от одного до трёх раз, при этом гарантируется бесперебойная работа SSD в течение пяти лет. Будучи представителем промышленного класса, Optimus Max наделён рядом технологий, которые обеспечивают определение и коррекцию ошибок, полноценную защиту пути данных и восстановления данных при сбоях.

SanDisk 4 ТБ Optimus Max Serial Attached SCSI SSD

Что касается скоростных характеристик, то здесь стоит отметить возможность проведения накопителем 75/15 тысяч операций ввода-вывода в секунду при чтении/записи, или потока в 400 МБ/с при последовательных операциях.

Накопители ряда Optimus Max будут продаваться через розничную сеть, однако пока SanDisk ничего не сообщила о цене на диски. Разработчик лишь заявил, что модельный ряд будет содержать SSD объёмом 6 и 8 ТБ, однако их стоит ожидать лишь в 2015 году. Модель объёмом 4 ТБ будет доступна к приобретению в третьем квартале.

19 нм, flash-память, NAND, SanDisk, SSD

«VR-Zone»

Toshiba анонсировала первый SSD с чипами NAND класса 19 нм #

7 июня 2012

Компания Toshiba представила первый твердотельный накопитель потребительского класса, в котором использованы микросхемы памяти NAND изготовленный по нормам техпроцесса 19 нм класса.

Инноваторы флэш-памяти выпустили 11 различных моделей SSD, форм-фактор которых лежит в диапазоне от 2,5” (при 7 и 9,5 мм толщине) до mSATA, при этом все модели ряда имеют память, изготовленную по 19” техпроцессу, которая впервые была анонсирована в апреле этого года.

SSD Toshiba с памятью NAND 19 нм класса

Кроме высоких плотностей записи (а значит и объёма), новые SSD используют технологии, оптимизированные для Windows 8. Так, внутри накопителей находится контроллер SATA версии 3.1 с улучшенным управлением питанием; оптимизированный сборщик мусора, повышающий производительность, при этом новый режим будет доступен лишь в Windows 8 и будущих ядрах Linux; оптимизированную для повышения производительности функцию коррекции ошибок QSBC, а также режим «только для чтения», что повышает безопасность и продолжительность работы накопителя в таких системах как IPC.

Представленные модели шириной в 2,5” отличаются только размерами. Все они имеют объём от 64 до 512 ГБ при скорости передачи данных в 524 МБ/с (64 ГБ работает на скорости в 440 МБ/с). Модели форм-фактора mSATA имеют сходную производительность при ёмкости от 64 до 256 ГБ.

Модельный ряд SSD Toshiba с памятью NAND 19 нм класса

Несмотря на анонс накопителей, сделанный в начале лета, приобрести 19 нм SSD от Toshiba удастся не раньше августа 2012 года.

19 нм, NAND, SSD, Toshiba


Toshiba официально представили 19 нм NAND память #

27 февраля 2012

В апреле прошлого года компании Toshiba и SanDisk совместно заявили, что впервые в мире им удалось перейти черту 20 нм техпроцесса, изготовив флэш-память по 19 нм топологии. Хорошей новостью было то, что меньшая по размерам, более дешевая и ёмкая NAND память могла быть построена на MLC транзисторах (2 бита на ячейку), при этом 16 кристаллов были упакованы в единую микросхему.

Тогда же Toshiba начали производство 19 нм NAND флэш-памяти, а готовые продукты появились на рынке к осени 2011 года. Однако то были образцы только MLC продуктов, TLC микросхемы, с тремя битами на ячейку, компания обещала представить позднее.

И вот месяц назад Toshiba начала производить 19 нм чипы NAND памяти с тремя битами на ячейку, объёмом 128 Гб. При этом новые чипы стали самыми маленькими в мире, занимая площадь лишь в 170 мм2. Кроме того компания утверждает, что на основе их микросхем будут изготовлены быстрейшие в мире накопители, со скоростью записи в 18 МБ/с.

64 Гб 19 нм чип Toshiba

Безусловно, уменьшение технологии производства TLC чипов вызвало массу проблем, среди которых управление напряжением, усиление записи и коррекция ошибок, которые имеют большое значение при уменьшении норм производства твердотельной памяти. Тем не менее, в Toshiba утверждают, что им удалось оптимизировать периферийную сеть микросхем памяти, а также внедрить технологию воздушных зазоров для транзисторов, благодаря чему расстояние между ячейками памяти было уменьшено до 5%.

Нам лишь остаётся пожелать Toshiba успеха в их работе и ожидать появления первых 19 нм TLC накопителей среди ассортимента продукции партнёров компании.

19 нм, flash-память, NAND, Toshiba, рынок

«Fudzilla»