Новости про 16 нм и SoC

TSMC запускает недорогой 16 нм техпроцесс

Компания TSMC без громких анонсов ввела в действие новый производственный процесс FinFET Compact с размером элементов в 16 нм (16FFC). Данная технология предназначена для среднего и бюджетного мобильных сегментов, носимой электроники и устройств IoT. Таким образом, новый недорогой процесс предназначен для компактной слабомощной электроники.

Ранее в этом году TSMC говорила о планах по выпуску ещё одной 16 нм FinFET технологии, созданной специально для выпуска SoC для мобильных устройств среднего и нижнего ценового сегментов. Для своих клиентов TSMC представит технологию 16FFC в четвёртом квартале этого года.

Ранее президент и соисполнительный директор TSMC господин Веи предполагал, что технология 16FFC начнёт массово применяться лишь во второй половине 2016 года. Также дал оценку, что всего 16 нм технология FinFET от TSMC получит заказ примерно на 50 продуктов. Общий объём 16 нм производства TSMC к концу 2016 года, по мнению господина Веи, увеличиться в три раза, по сравнению с нынешним годом.

Появилась информация о 10 нм и 16 нм конструкции процессоров ARM

В Сети появилась информация об архитектуре пяти новых ядер ARM, которые будут изготавливаться по 10 нм и 16 нм нормам техпроцесса FinFET. Кодовые имена основаны на древнегреческой мифологии и включают Ares, Prometheus, Artemis, Ananke и Mercury.

Ares — это 10 нм чип созданный для серверов и промышленного использования в ноутбуках, а также в больших планшетных компьютерах. Его тепловыделение составит 1—1,2 Вт на ядро, и он заменит Cortex-A72, в то время как Cortex-A57 будет заменён 10 нм чипом Prometheus, который предложит термический пакет в 600—750 мВт на ядро. Чип Prometheus создаётся для флагманских телефонов и планшетов, а также для серверов и промышленного рынка.

Среди процессоров ARM новинка также появится и в среднем сегменте. 16 нм процессор Artemis имеет тот же тепловой пакет, что и Prometheus, и придёт на замену процессорам A57 и A17. Также появится и чип Ananke с тепловыделением 100—250 мВт, который займёт место процессоров архитектуры A17 и A53. Последний чип, названный в честь бога Меркурия, займёт начальный сегмент рынка и заменит собой архитектуры A53, A7 и A5. Его тепловыделение достигнет 50—150 мВт на ядро.

Единственная проблема — дорожная карта. Сейчас совершенно непонятно, когда новые разработки будут доступны для лицензирования. Также в ARM не указали, для каких целей планируется использовать процессоры Ananke и Mercury. Что касается технологии производства, то Ares и Prometheus разработаны для 10 нм процесса, в то время как Artemis будет изготавливаться по 16 нм технологии.

TSMC будет выпускать для Apple 20 нм, 16 нм и 10 нм чипы

Сайт DigiTimes сообщает, что Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) и её служба разработки микросхем Global UniChip заключили трёхлетнее соглашение с Apple по которому со следующего года производитель обязуется изготавливать чипы серии A используя 20 нм, 16 нм и 10 нм техпроцесс.

Таковы данные источников, близких к производству, при этом ни сам производитель TSMC ни дизайнер Global Unichip не захотели как-либо комментировать ситуацию.

В малом объёме TSMC начнёт производство A8 уже в июле 2013 года и существенно повысит своё 20 нм производство после декабря, отмечает источник. Полноценно же завод сможет изготавливать чипы после запуска нового оборудования в первом квартале 2014 года.

Объём производства нового оборудования составит 50000 блинов, при этом часть из этого оборудования может позже быть использована для выпуска 16 нм чипов. Так, по имеющимся данным, TSMC начнёт выпуск процессоров Apple A9 и A9X в конце третьего квартала 2014 года.

Процессор A8, который сейчас готовится к выпуску, будет устанавливаться в iPhone, которые поступят в продажу в начале следующего года, в то время как процессоры A9/A9X предназначены для новейшего поколения iPhone и iPad. При этом начало поставок этих чипов для производителей смартфонов и планшетов источник не обозначил.

Ранее исполнительный директор и глава TSMC Моррис Чан отмечал, что его заводы начнут выпуск продукции по 16 нм FinFET процессу менее чем через год после начала массового производства 20 нм микросхем. Опытное же производство 20 нм изделий прошло ещё в первой четверти этого года.