Новости про 16 нм и производство

При этом 10% прибыли будет приносить новое 20 нм производство в третьем, и 20% в четвёртом кварталах. Такую информацию распространил глава компании Моррис Чан.

Что касается перспектив самой компании, то Чан отметил, что он ожидает в течение ближайших пяти лет ежегодный рост на уровне 3—5%, при этом показатели TSMC будут лучше, чем в среднем по промышленности, заверил директор акционеров.

В прошлом году производство пластин компанией в 8-и дюймовом эквиваленте составило 15,67 миллиона штук, что больше 14,04 миллиона штук, произведённых в 2012 году. В настоящее время половину прибыли компании приносит производство чипов с размером элементов в 40 и 45 нм. При этом уже сейчас компания обладает контрактами на производство 16 нм FinFET чипов 20 заказчикам.

В то же время компания планирует организовать специальное исследовательское подразделение, состоящее из 300—400 человек, которое займётся разработкой 10 нм технологии. Опытное же производство таких микросхем запланировано на 2015 год, а выход на рынок технологии состоится в 2016 году.

Всё это не может не радовать нас, простых покупателей. Во-первых, AMD и NVIDIA наконец-то смогут выпустить свои GPU по новой технологии, а во-вторых, конкуренция с Intel, как с лидером рынка, продолжится на достаточно высоком уровне.

Согласно официальной дорожной карте TSMC, опытное производство 16 нм FinFET процесса начнётся в конце 2014 года, однако теперь, компания хочет выпустить и 16 нм процесс FinFet+ в конце этого года, а также более совершенный 16 нм FinFET Turbo в 2015—2016 годах, отмечают промышленные источники.

Массовое производство по технологии FinFET+ начнётся в начале 2015 года и может помочь TSMC заполучить производство процессоров A9 для Apple. Некоторые разработчики процессоров, по мнению JP Morgan Securities, могут сразу перейти с 20 нм процесса на 16 нм FinFET+, поскольку эта технология даёт дополнительные возможности по уменьшению размеров ядра.

При этом стоит отметить, источники информации ничего не сообщали о деталях будущих контрактных отношений.

В настоящее время известно, что компания Samsung будет использовать 14 нм FinFET процесс для производства доли чипов Apple iPhone серии A в 2015 году. В помощь ей придёт TSMC со своей 16 нм FinFET технологией, отмечают источники. При этом основную часть, 60—70% производства, для Apple будет расположено в TSMC, ну а оставшейся долей производства, в 30—40%, займётся южнокорейская компания.

Правда, источники не исключают и возможности того, что оба производителя поделят заказы поровну.

Недавно назначенный исполнительный содиректор Марк Лиу в ходе ежегодного форума с поставщиками отметил, что завод хочет начать производство по 16 нм процессу с опережением графика. Ранее компания заявляла о начале попыток изготовления таких микросхем только в первом квартале 2015 года.

Лиу также отметил, что в следующем месяце TSMC приступит к массовому производству SoC на основе 20 нм технологии.

В дополнение Лиу рассказал и о финансовых результатах деятельности компании. Он сообщил, что благодаря 28 нм процессу в 2013 году было заработано 5,4 миллиарда долларов США, и этот процесс к концу года составит 23% от общего производства отпечатков компании.

Также был дан и прогноз развития отрасли в 2014 году. Ожидается, что мировой рынок полупроводников в 2014 году вырастет на 5%, что на процент больше ожидавшегося в 2013 году. Что же касается непосредственно производства полупроводниковых пластин, то здесь ожидается снижение роста с 11% в текущем году до 9% в наступающем. При этом рост самой TSMC будет опережать средние показатели. Содиректор считает, что после показанного в этом году роста на уровне 17—18%, TSMC ожидает также получить двухзначное число роста объёмов производства.

Первая версия NAND Flash памяти по 16 нм процессу была произведена Hynix ещё в июне этого года, а совсем недавно фирма начала выпускать более конкурентоспособную благодаря меньшему размеру чипа вторую версию.

Кроме того, компания разработала 128 Гб (16 ГБ) чип MLC. Этот самый плотный в мире чип основан на спецификации 64 Гб микросхем. Ожидается, что этот продукт поступит в продажу в начале следующего года.

По большому счёту более тонкий техпроцесс уменьшает скорость работы интерфейсов между ячейками, однако SK Hynix применила современную технологию Air-Gap, которая позволяет сохранить высокую скорость интерфейсов между ячейками. Эта технология создаёт изолирующую прослойку с вакуумными зазорами между цепями, не прибегая к использованию изоляционных материалов.

Компания SK Hynix в своём пресс-релизе пообещала и дальше увеличивать свою конкурентоспособность в решениях NAND Flash, ускорив разработку TLC (Triple Level Cell) и 3D NAND Flash.

«Мы начнём массовое производство по 20 нм в первой четверти 2014 года. Это в 90 днях от современности. 16 нм последуют за 20 нм через год. Мы видим оба процесса 20 нм и 16 нм как виртуально один размер», — заявил Моррис Чэн, исполнительный директор и глава TSMC, в ходе конференции с финансовыми аналитиками.

«Собственно по 20 нм мы получили заказ на 5 отпечатков и запланировали более чем 30 отпечатков в этом и следующем году от сегментов мобильных вычислений, CPU и PLD [programmable logic device]. И все эти отпечатки представлены в больших объёмах. Конструкция 20 нм экосистемы была подтверждена в реальных продуктах, и она готова поддерживать клиентов. Процесс подготовки производства равнозначен, или даже лучше, чем был у 28 нм. Мы ожидаем большое развитие 20 нм в следующем году, с прибылью от 20 нм в 2014 году большей, чем была с 28 нм в 2012 году. Вы видите, что 20 нм стартует вначале следующего года, в то время как 28 нм стартовали в третьем-четвёртом квартале 2011 года. Таким образом, точкой отсчёта для 28 нм был 2012 год. Однако наш рост с 20 нм в 2014 году будет более быстрым, чем рост с 28 нм в 2012 году. И хотя рост 28 нм процесса был рекордным для TSMC, 20 нм рост будет на 30% быстрее», — заявил господин Чэн.

«В 20 нм техпроцессе мы видим малую конкуренцию. Опытное производство началось в первом квартале 2013 г. и массовое производство начнётся в начале следующего года. Оборудование уже будет смонтировано, оборудование поставляется и будет смонтировано», — заявил Моррис Чан в ходе квартальной конференции с финансовыми аналитиками.

TSMC начала строительство производства Phase 5 на заводе Fab 14 ещё в апреле прошлого года. Конструкция цеха уже готова и установка оборудования началась в апреле этого года. Обычно, на полное оснащение завода по производству микросхем уходит от 6 до 12 месяцев. Кроме перечисленных заводов TSMC также планирует позднее начать производство 20 нм микросхем на заводе Fab 12/phase 6.

Также интересным фактом является то, что большую часть оборудования, которое будет использовано для производства 20 нм чипов, будет позднее применяться для 16 нм FinFET техпроцесса. Случится это где-то в 2015 году.

«По 16 нм FinFET процессу массовое производство начнётся примерно через год после 20 нм SoC, другими словами, в начале 2015 года. Наш научно-исследовательский процесс производства 16 нм FinFET идёт хорошо, есть новые усовершенствования, и они лучше, чем планировались и он лучше, чем 20 нм год назад. Мы работаем с несколькими крупными клиентами и много изготавливаем, многие продукты изготавливаются», — несколько путано заключил Чан.

В настоящее время 16 нм техпроцесс является не просто самым совершенным при производстве чипов памяти, но и самым тонким процессом производства микросхем вообще. Таким образом, Micron ещё более утвердилась на позиции лидера в производстве чипов.

Представленные 128 гигабитные устройства предназначены для применения в потребительских SSD, переносных накопителях (USB флэшки и карты памяти), планшетных ПК, ультратонких устройствах, мобильных телефонах и облачных хранилищах в ЦОД. Новая 128 Гб NAND память может предложить самую высокую плотность данных на квадратный миллиметр при самой низкой стоимости по сравнению с любыми MLC чипами. Фактически, новая технология позволяет создавать ёмкости почти в 6 ТБ на одной кремниевой пластине.

По поводу выпуска новой технологии вице-президент Micron NAND Solutions Group Глен Хок, вслед за словами благодарности своей «команде инженеров, которая безустанно трудилась над самой маленькой и самой совершенной в мире технологией производства флэш», заявил: «Снижение стоимости всегда будет фундаментальным процессом для NAND индустрии». Так что новая технология действительно позволит понизить цену на флэш-накопители.

Сейчас компания Micron изготавливает 16 нм образцы 128 Гб MLC NAND, при этом полноценное производство начнётся в четвёртом квартале этого года. Кроме памяти компания также разрабатывает SSD накопители на базе новых микросхем, которые должны поступить в продажу в 2014 году.

Таковы данные источников, близких к производству, при этом ни сам производитель TSMC ни дизайнер Global Unichip не захотели как-либо комментировать ситуацию.

В малом объёме TSMC начнёт производство A8 уже в июле 2013 года и существенно повысит своё 20 нм производство после декабря, отмечает источник. Полноценно же завод сможет изготавливать чипы после запуска нового оборудования в первом квартале 2014 года.

Объём производства нового оборудования составит 50000 блинов, при этом часть из этого оборудования может позже быть использована для выпуска 16 нм чипов. Так, по имеющимся данным, TSMC начнёт выпуск процессоров Apple A9 и A9X в конце третьего квартала 2014 года.

Процессор A8, который сейчас готовится к выпуску, будет устанавливаться в iPhone, которые поступят в продажу в начале следующего года, в то время как процессоры A9/A9X предназначены для новейшего поколения iPhone и iPad. При этом начало поставок этих чипов для производителей смартфонов и планшетов источник не обозначил.

Ранее исполнительный директор и глава TSMC Моррис Чан отмечал, что его заводы начнут выпуск продукции по 16 нм FinFET процессу менее чем через год после начала массового производства 20 нм микросхем. Опытное же производство 20 нм изделий прошло ещё в первой четверти этого года.

Также компания собирается начать опытное производство по 16 нм техпроцессу FinFET в ноябре 2013 г., с планами массового производства где-то в 2014—2015 годах. Предварительная поддержка 10 нм литографии запланирована на 2016 год.

Примечательно, что TSMC планирует производить 64-битные процессоры ARM, ARMv8, как тестовые образцы техпроцесса FinFET 16 нм, что, как мы говорили выше, произойдёт в следующем году. Производители полагают, что в распоряжении разработчиков комплекты для проектирования микросхем с размером элементов 16 нм появятся в январе будущего года после утверждения первого набора интеллектуальной собственности. В то же время пакет разработки для стандартных ячеек и SRAM блоков выйдет месяцем позже.

«Техпроцесс FinFET 16 нм от TSMC будет в основном очень похож на 20 нм high-K metal gate процесс», — отметил Клифф Хоу, вице-президент TSMC по исследованиям и разработке. Это заметно отличается от недавно представленного 14 нм XM процесса Globalfoundries, основанного на модульной архитектуре, которая объединяет 14 нм FinFET устройства с 20 нм процессом LPM.