Новости про 14 нм и 22 нм

Память MRAM готова к производству

Компания Intel готова начать выпуск памяти типа MRAM в больших объёмах. Этот тип памяти разработан Intel и представляет собой энергонезависимую память, то есть её можно использовать для хранения данных, а не только в качестве ОЗУ.

Магниторезистивная память со случайным доступом создавалась как универсальная замена для DRAM (энергозависимой) и NAND (энергонезависимой) памяти. Сейчас стало очень сложно уменьшать размеры элементов при производстве памяти данных типов, а MRAM не имеет столь жёстких ограничений. Кроме того, у MRAM намного выше процент выхода годных микросхем при производстве. Так, при 22 нм технологии производства уровень годных микросхем на блине составляет 99,9% — поразительная надёжность технологии.

Фотография памяти SRAM MRAM
Фотография памяти SRAM MRAM

Кроме того, память MRAM уже демонстрировала установочное время в 1 нс, что выше теоретического предела для DRAM. Скорость записи также в несколько тысяч раз выше, чем у NAND. Также MRAM гарантирует 10 лет хранения данных при температуре 200° C и надёжность в 106 циклов переключений. Всё это сообщил Лигион Веи, инженер Intel.

Блок-схема памяти MRAM
Блок-схема памяти MRAM
Сводная информация о памяти MRAM
Сводная информация о памяти MRAM

Похоже, что именно по 22 нм технологии и будет начато производство памяти MRAM, хотя отмечается, что Intel уже начала разгружать 14 нм заводы, так что возможен быстрый переход на более тонкий техпроцесс.

Intel вынуждена вернуться к 22 нм процессу

Пытаясь выполнить все заказы на 14 нм производство компания Intel вынуждена идти на компромиссы. Учитывая, что 10 нм процесс далёк от готовности, у компании просто нет альтернативы, кроме перевода некоторой продукции на устаревшие технологии.

К таким продуктам относятся чипсеты H310, которые теперь станут больше. Данное решение вполне объяснимо. Дело в том, что H310 — это самые простые микросхемы системной логики, предназначенные для работы с процессорами Core 8-го и 9-го поколений. Материнские платы, построенные на этих чипсетах, используются в офисных машинах и простых потребительских машинах, которым вполне достаточно его скромных возможностей. Учитывая невысокие требования к чипу, Intel приняла решение выпускать их по 22 нм технологии.

Чипсеты Intel H310C (слева) и H310 (справа)
Чипсеты Intel H310C (слева) и H310 (справа)

По данным китайских источников, новый чипсет называется H310C. Его габариты составляют 10х7 мм, в то время как обычная 14 нм микросхема H310 имеет размеры 8,5х6,5 мм. Тепловыделение оригинального чипа составляло 6 Вт, и в связи со сменой технологии производства, его увеличение не ожидается. Также не ожидается, что изменение микросхемы повлияет на конструкцию материнских плат.

Intel уже имеет 14 нм тестовую схему

Сайт Nordic Hardware опубликовал эксклюзивное интервью с Пэтом Блимером (Pat Bliemer), управляющим директором Intel Northern Europe.

В этой беседе наши коллеги обсудили с Блимером технологические перспективы развития компании после перехода на 22 нм технологические нормы, которые будут использованы в центральных процессорах семейства Ivy Bridge. К сожалению, Блимер не стал заострять внимание на технических деталях вопроса, и не указал даже примерный срок, когда новые технологические решения появятся на свет. Однако он отметил, что в них в полной мере будут использована трёхмерная транзисторная технология Tri-Gate, такая же, как и в Ivy Bridge, а также то, что тестовая электросхема будущей технологии уже работоспособна.

Управляющий директор Intel Northern Europe Пэт Блимер

«Нам нужно продолжать и вы можете мне поверить, что в наших лабораториях мы уже имеем работающее следующее, после 22 нм, поколение, так что нам нужно продолжать… Я действительно не могу рассказать об этом ничего большего, кроме как то, что в лабораторных условиях мы уже стоим на пути, наши инженеры уже стоят на пути запуска и производства 14 нм продуктов… И я думаю, что самым важным нашим достижением стали металлические 3D затворы, и лишь конструкция затворов, на самом деле, может обеспечить более эффективное использование энергии и меньшее выделение тепла».

Сравнение плоской и 3D технологий транзисторов Intel

Напомним, что летом компания сообщала и о дальнейших производственных планах. Тогда, 14 нм техпроцесс планировался к внедрению в 2014 году, а 10 нм — около 2018 года.