Новости про 10 нм и Samsung

Samsung начинает массовое производство 10 нм памяти DDR4

Компания Samsung приступила к массовому производству «первых в мире 10 нм, 8 Гб чипов DRAM DDR4», а также модулей памяти, основанных на этих чипах.

По уверению разработчиков, новая память обеспечит лучшие скорости передачи данных и повышенную энергоэффективность, по сравнению с предыдущей памятью 20 нм класса. Так, прирост составит до 30%, а чипы смогут поддерживать передачу данных на скорости до 3200 Мб/с.

Что касается энергоэффективности, то она возрастёт на 10—20%. Этого удалось добиться благодаря фирменной конструкции ячеек памяти Samsung, новой технологии литографии и технологии осаждения сверхтонкого диэлектрического слоя.

Оперативная память Samsung

Кроме энергоэффективности это позволило повысить и качество. В своём блоге компания отметила, что при переходе на 10 нм производство 8Gb DDR4 DRAM количество брака на пластинах снизилось более чем на 30%.

Следующим шагом в развитии памяти, компания Samsung видит выпуск более плотных 10 нм чипов мобильной ОЗУ, которая будет иметь меньшие габариты и большую скорость работы.

Также не будут забыты и пользователи PC, которые получат модули памяти объёмом от 4 ГБ для ПК и ноутбуков до 128 ГБ для промышленных серверов. Эти модули памяти южнокорейская компания планирует выпустить в текущем году.

Samsung продемонстрировала 10 нм FinFET SRAM

Южнокорейская компания Samsung продемонстрировала 128 Мб чипы SRAM, изготовленные по FinFET процессу с размером элементов 10 нм.

Компания заявила, что представленные 10 нм чипы на 38% меньше, чем их аналоги, выпущенные по 14 нм технологии.

Структура 10 нм SRAM от Samsung

По словам Тхаэджоона Сона, автора документации Samsung SRAM, главное, что должны знать конструкторы чипов, это то, что существует рост производительности при переходе на 10 нм. Однако конечное сопротивление этих чипов, по сравнению с 14 нм, не улучшилось. Отвечая на вопросы, он сообщил, что конечное сопротивления продолжит расти и при 7 нм технологии производства. Сон отметил: «Вы ожидаете, что новый процесс будет лучше во всём, но не в этом случае».

Отмечается, что компания Samsung приступит к массовому производству чипов по 10 нм FinFET технологии к концу этого года.

Переход Samsung на 10 нм ожидается в конце 2016 года

Компания Samsung анонсировала свои планы по выпуску 10 нм продуктов в 2016 году.

Южнокорейский гигант подтвердил, что следующим производственным техпроцессом будет «полноценное производство», и будет готово оно к концу следующего года. При этом много деталей сообщено не было.

300 мм пластины Intel

В то время как Intel должен стать первым производителем процессоров, который перейдёт на 10 нм, процессорный гигант не давал никаких деталей и сроков данного процесса. Большинство обозревателей считают, что это произойдёт в конце 2016 года. Что касается TSMC, то она оказалась более предсказуемой. В прошлом месяце тайваньская фирма подтвердила начало поставок 10 нм продуктов в следующем году, вероятно, в конце. Вполне возможно, что все три лидера рынка запустят свои 10 нм производства в одном квартале.

Что касается 14 нм FinFET, то он работает на 4 заводах Samsung, опередив TSMC, однако к 2017 году это лидерство может исчезнуть. Сейчас более актуально стоит вопрос о том, кто раньше сумеет сделать 14/16 нм технологию экономически привлекательной.

TSMC ускоряет разработку 10 нм процесса

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) планирует ускорить разработку 10 нм техпроцесса, чтобы более плотно конкурировать с Samsung Electronics, которая, как сообщается, взялась за изготовление 14 нм FinFET чипов для Qualcomm.

Компании TSMC и Samsung сейчас между собой тесно конкурируют, стремясь наладить FinFET процесс. Однако корейская компания использует его в микросхемах с 14 нм узлами, а TSMC — с 16 нм. Процессоры по обеим, 14 нм и 16 нм технологиям, должны поступить в продажу в самом начале 2015 года.

TSMC

Тайваньская компания была пионером в области FinFET технологии и изначально планировала массово выпускать 16 нм микросхемы в конце 2014 года. Однако компании пришлось изменить свои планы, и выпустить вместо FinFET процесса усовершенствованный 16 нм процесс FinFET Plus, который будет потреблять меньше энергии и позволит ещё сильнее уменьшить размер ядра процессора.

Однако при этом Samsung, разрабатывающая 14 нм производство, действовала быстрее конкурента, заставив TSMC ускорить разработку своей 10 нм технологии, чтобы сохранить своё лидерство в этом бизнесе.

Samsung выпускает SSD объёмом 1 ТБ

Компания Samsung анонсировала выпуск твердотельного накопителя объёмом 1 ТБ. Этот SSD 840 EVO получил форм-фактор mSATA и предназначен для установки в ультрабуки премиального класса.

И хотя на самом деле объём накопителя 840 EVO составляет 960 ГБ, всего на 40 ГБ не дотягивая до заветной отметки, это по-прежнему несравнимо больший объём памяти по отношению к существующим на рынке SSD. По словам разработчиков, благодаря использованию контроллера MEX пятого поколения, скорость чтения/записи данных практически выровнялась и составляет 540/530 МБ/с соответственно. В качестве микросхем памяти применена NAND флэш, созданная по новой трёхуровневой теологии TLC.

Накопитель Samsung SSD 840 Evo mSATA

В своём блоге компания пояснила, как ей удалось создать накопитель такого объёма. По уверениям Samsung в SSD 840 EVO использовались 128 гигабитные модули NAND памяти, изготовленной по техпроцессу 10 нм класса. Для формирования терабайтного массива были использованы всего 4 пакета флэш-памяти, каждый из которых содержит 16 слоёв чипов объёмом 128 Гб. Благодаря совершенной технологии производства весь этот накопитель имеет толщину всего 3,85 мм и массу 8,5 г, что примерно на 40% меньше и в 12 раз легче типичного жёсткого диска.

Накопитель Samsung SSD 840 Evo mSATA

Накопитель Samsung SSD 840 Evo mSATA

Samsung SSD 840 Evo mSATA появится в продаже в январе наступающего года, однако цена пока не была названа.

Samsung разрабатывает самую быструю встраиваемую память

Эволюция мобильных чипов памяти идёт всё быстрее, ну если Samsung можно считать показателем прогресса.

Ещё не прошло и восьми месяцев с момента анонса компанией скоростных чипов eMMC 4.5, как появилась новая версия NAND от южнокорейского гиганта. На самом деле Samsung объявила о начале массового производства того, что фирма называет самой быстрой в мире памятью для встраиваемых решений. Новые чипы eMMC PRO основаны на 64 ГБ микросхемах NAND флэш-памяти, изготовленной по техпроцессу 10 нм класса, и это первые микросхемы, поддерживающие стандарт eMMC 5.0. Напомним, что всего 3 недели назад о начале производства чипов 10 нм класса объявила компания Micron, которая изготовила микросхемы NAND по 16 нм техпроцессу.

Чип памяти Samsung eMMC 5.0

Новые чипы доступны в вариантах с объёмом 16, 32 и 64 ГБ. Случайная скорость чтения из этих микросхем составляет 7000 операций ввода-вывода в секунду, а скорость последовательного чтения и записи равна 250 МБ/с и 90 МБ/с соответственно. Такие скорости окажутся невероятно полезными для обеспечения многозадачности в мобильных устройствах. А учитывая готовящийся к выпуску процессор Exynos 5 Octa 5420 от Samsung, такая память позволит компании в полной мере реализовать его возможности и создать мобильные гаджеты с невероятной производительностью.

Samsung выпускает чипы 10 нм флэш памяти

Лишь в августе компания Samsung объявила о начале массового производства сверхбыстрой памяти eMMC, и вот теперь компания объявила об обновлении техпроцесса.

Теперь в новых чипах eMMC Pro Class 2000 объёмом 64 ГБ компания перешла с 20 нм техпроцесса на 10 нм. Эти чипы стали на 20% меньше, а также, по уверениям Samsung, на 30% более производительными и более лёгкими в производстве. И хотя интерфейс JEDEC eMMC 4.5 только начал набирать популярность, компания планирует в следующем году создать новый стандарт, который будет поддерживать новую конструкцию.

Новая память Samsung eMMC Pro Class 2000

Новые чипы позволяют записывать данные со скоростью 2000 IOPS и считывать на скорости 5000 IOPS, что выше существующих значений в 1500/3500 операций ввода-вывода. Это значит, что физическая скорость записи превысит порог в 260 МБ/с при чтении и 50 МБ/с при записи.

Новые процессоры поступят в массовое производство уже в ноябре и будут применены в тонких смартфонах и планшетах, выпускаемых огромным множеством компаний по всему миру.