Новости про 10 нм

Это достаточно иронично, поскольку именно ARM процессоры отобрали прибыль у Intel, когда популярность компьютеров начала падать.

Также ирония заключается в том, что по слухам, чипы ARM, которые будут выпущены в этом году, будут нацелены на конкуренцию с Intel в центрах обработки данных.

Сейчас LG Electronics уже сообщила о планах сотрудничества с Intel, что, несомненно, делает Intel конкурентом для крупнейших производителей чипов на заказ TSMC и GlobalFoundries.

Стоит отметить, что Intel не первый раз открывает своё производство для сторонних заказчиков. В 2000-х года Hewlett-Packard использовала производственные мощности Intel для выпуска своих RISC процессоров.

По информации China’s Economic Daily News, тайваньский производитель TSMC будет производит все чипы A11 в полном объёме. Скорее всего, новые процессоры будут изготовлены по 10 нм технологии и будут установлены в iPhone следующего года выпуска.

Возможная причина такого решения кроется в скандале, который получил название «чипгейт». Компания Apple заказывала процессоры A9 для iPhone 6 и 6S у Samsung и TSMC. Процессоры, произведённые Samsung, оказались горячее аналогов, производства TSMC, потребляли больше энергии, однако они и работали быстрее.

Однако чипгейт касался процессоров A9, а сейчас речь идёт об A11, и система производства их различна. В прошлых чипах использовался 14 нм процесс, в то время как в A11 будет применяться 10 нм технология. Возможно, что у Apple просто не было другого выхода, а возможно, TSMC предложила заманчивую цену. Поскольку акции Apple за последний год очень сильно упали в цене, компании необходимо сократить расходы, чтобы увеличить прибыль.

Отмечается, что TSMC уже оканчивает разработку документации для производства A11, и мелкосерийное производство процессоров может начаться уже в третьем квартале 2017 года. Сейчас TSMC является эксклюзивным производителем системы-на-чипе A10, которая будет применена в Apple iPhone 7.

Кроме Apple компания TSMC будет производить 10 нм чипы для Xilinx, MediaTek и HiSilicon.

Отмечается, что новый смартфон получит 5,8” AMOLED дисплей «Slim RGB» и будет основан на процессоре Snapdragon 823. Также платформа получит 6 ГБ оперативной памяти. Также, по слухам, Galaxy Note 6 получит сканер роговицы.

По всей видимости, Note 6 станет первым смартфоном от Samsung, оснащённым 6 ГБ памяти LPDDR4.

Будучи изготовленной по 10 нм технологии, новая память обеспечит большую производительность при меньшем энергопотреблении, что означает увеличение времени автономной работы. Сообщается, что компания уже занята разработкой прошивки для данного смартфона, который должен появиться в продаже в августе.

Для рынка SoC это потрясающая новость, поскольку она означает, что блоки чипа, инструменты разработки, конструкция и методология, необходимые для разработки клиентами, получили подтверждение пригодности.

Компания ARM сообщила прессе о некоторых деталях 10 нм чипа Artemis. Так, фирмами был изготовлен упрощённый чип, состоящий из 4 ядер CPU и GPU Mali. В центральном процессоре применена пока не представленная архитектура, в то время как GPU содержал лишь единственный шейдер. Данная микросхема объединила в себе необходимую комплектацию с возможностью подтверждения технологического процесса 10FinFET.

Обе компании уверяют, что проведя бенчмарки изготовленной SoC установили «впечатляющий прирост в эффективности и снижении энергопотребления», по сравнению с современным 16 нм процессом. О том, когда же заказчики смогут воспользоваться новой технологией, ни одна из компаний ничего не сообщила.

По уверению разработчиков, новая память обеспечит лучшие скорости передачи данных и повышенную энергоэффективность, по сравнению с предыдущей памятью 20 нм класса. Так, прирост составит до 30%, а чипы смогут поддерживать передачу данных на скорости до 3200 Мб/с.

Что касается энергоэффективности, то она возрастёт на 10—20%. Этого удалось добиться благодаря фирменной конструкции ячеек памяти Samsung, новой технологии литографии и технологии осаждения сверхтонкого диэлектрического слоя.

Кроме энергоэффективности это позволило повысить и качество. В своём блоге компания отметила, что при переходе на 10 нм производство 8Gb DDR4 DRAM количество брака на пластинах снизилось более чем на 30%.

Следующим шагом в развитии памяти, компания Samsung видит выпуск более плотных 10 нм чипов мобильной ОЗУ, которая будет иметь меньшие габариты и большую скорость работы.

Также не будут забыты и пользователи PC, которые получат модули памяти объёмом от 4 ГБ для ПК и ноутбуков до 128 ГБ для промышленных серверов. Эти модули памяти южнокорейская компания планирует выпустить в текущем году.

Обычно цикл занимал два года, однако с выпуском Skylake данный подход оказался несостоятельным, и теперь компания официально объявила о смене подхода к производству новых моделей.

По словам самой Intel, теперь компания продлит срок использования 14 нм производства, а также будущего 10 нм техпроцесса. Дальнейшая оптимизация продуктов и технологического процесса позволит компании и дальше выпускать новые продукты с циклом в один год.

Новая концепция получила название «процесс—архитектура—оптимизация». При ней Intel продлевает срок использования одной архитектуры, подготавливая новые возможности и оптимизации каждый год. Таким образом, будущий переход на 14 нм Kaby Lake будет ознаменован «ключевыми улучшениями производительности, по сравнению с 6-м поколением процессоров семейства Core».

Одной из причин отказа от старой концепции выпуска продуктов стал рост стоимости строительства новых заводов, которые могут производить чипы по передовым технологиям. С учётом того, что TSMC и Samsung планируют перейти к 7 нм производству в 2018 году, будет интересно посмотреть, как Intel сможет сохранить лидерство.

Ранее сообщалось, что компания должна приступить к массовому производству 10 нанометровых чипов «примерно через два года». Однако сама Intel заявила, что данное сообщение неверно. Согласно информации, опубликованной самим полупроводниковым гигантом, «первый 10-нанометровый продукт запланирован на вторую половину 2017 года».

В настоящее время не ожидается, что Intel выпустит серверный процессор в 2017 году. Сейчас компания готовит второе поколение 14 нм серверных процессоров, которое будет выпущено к середине 2017 года. Однако компания продолжает эксперименты с потребительским рынком, пытаясь выпустить бытовые CPU по более тонкой технологии и наладить их производство во втором полугодии 2017. Серверный же чип, изготовленный по 10 нм, появится только в 2018 году.

Скорее всего, компания выпустит несколько моделей чипов по 10 нм технологии для оценки надёжности технологии. По крайней мере, так она поступила с нынешним 14 нм поколением.

Компания заявила, что представленные 10 нм чипы на 38% меньше, чем их аналоги, выпущенные по 14 нм технологии.

По словам Тхаэджоона Сона, автора документации Samsung SRAM, главное, что должны знать конструкторы чипов, это то, что существует рост производительности при переходе на 10 нм. Однако конечное сопротивление этих чипов, по сравнению с 14 нм, не улучшилось. Отвечая на вопросы, он сообщил, что конечное сопротивления продолжит расти и при 7 нм технологии производства. Сон отметил: «Вы ожидаете, что новый процесс будет лучше во всём, но не в этом случае».

Отмечается, что компания Samsung приступит к массовому производству чипов по 10 нм FinFET технологии к концу этого года.

Третье поколение будет называться Tigerlake, и оно будет представлять собой второй, дополнительный «так» в схеме выпуска «тик-так». В этом году мы увидим выпуск чипов Kabylake, которые также являются этапом «так» для 14 нм. На этом этапе компания использует тот же техпроцесс производства, но с применением новой архитектуры процессоров.

В ходе отчётной квартальной финансовой конференции, прошедшей в начале января, компания выразила своё стремление к возвращению к своей традиционной модели релизов «тик-так».

Если процессоры Cannonlake будут выпущены во второй половине 2017 года, а Icecake годом позднее, то Tigerlake должен поступить в продажу во второй половине 2019 года, и как следствие, 7 нм процессоры будут выпущены в 2020 году.

Примечательно, что контрактный производитель TSMC к этому времени планирует наладить выпуск чипов по 5 нм техпроцессу.

При этом начать выпуск чипов по 7 нм нормам фирма планирует начать уже в 2018 году. Такую информацию распространил в ходе встречи с инвесторами соисполнительный директор Марк Лиу. При этом идёт ли речь об опытном, или о массовом производстве, директор не уточнил.

Также глава отметил, что TSMC уже занимается исследованиями, направленными на 5 нм технологию производства уже в течение года, добавив, что технология будет готова к запуску в первой половине 2020 года.

Отмечается, что выпускаться 5 нм микросхемы будут при помощи экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV): «мы добились значительного прогресса с EUV для подготовки к внедрению, подобному 5 нм».

Что касается 10 нм, то компания отметила, что уже в первом квартале этого года она будет готова отпечатать микросхемы на заказ. Новая версия 16 нм FCC, менее энергоёмкая и менее дорогая версия 16 нм FinFET, будет готова для массового производства также в первом квартале.

В дополнение компания отметила, что во втором квартале 2016 года TSMC внедрит новую более плотную технологию пакетирования InFO, которая найдёт применение у крупных заказчиков. «Мы не ожидаем распространения среди большого числа заказчиков. Правда, мы ожидаем нескольких очень больших заказчиков». Одним из первых заказчиков продукции по технологии InFO станет Apple.