Новости про 10 нм

Samsung разработала 3-е поколение памяти DDR4 10-нанометрового класса

Компания Samsung заявила о завершении разработки 3-го поколения оперативной памяти DDR4 DRAM 10-нанометрового класса, для чего ей не потребовалась экстремальная ультрафиолетовая литография.

Благодаря своим разработкам была выпущена память 1Z нм объёмом 8 Гб. Технология позволила увеличить долю выпуска годной продукции на 20%, по сравнению с прошлым поколением. Массовое производство микросхем начнётся во второй половине 2019 года.

1z нм память DDR4 от Samsung

Новая память планируется к использованию в серверах нового поколения и хай-энд компьютерах, выпускаемых в 2020 году. Также технология будет использоваться для производства DRAM памяти других типов, включая DDR5, LPDDR5 и GDDR6.

В компании отмечают, что наладка производства 1Z нм памяти позволит фирме сохранить лидерство на рынке DRAM.

Intel готовит NUC с Core i3 и графикой Radeon

Компания Intel готовит к выпуску полностью собранные компьютеры Crimson Canyon серии NUC, которые объединяют 10 нм процессоры Core и дискретную графику AMD.

Модель компьютера NUC8i3CYSM оснащается центральным процессором Core i3-8121U Cannon Lake, 8 ГБ двухканальной памяти LPDDR4 и дискретной мобильной видеокартой AMD Radeon RX 540 с 2 ГБ памяти GDDR5 на борту. Для хранения данных предлагается 2,5” винчестер объёмом 1 ТБ, однако имеется слот M.2-2280 с интерфейсами PCIe 3.0 x4 (NVMe) и SATAГб/с.

Компьютер Intel NUC Crimson Canyon

Что касается процессора Core i3-8121U, то он имеет 2 ядра и 4 потока. Тактовая частота чипа составляет 3,20 ГГц, а объём кэша L3 равен 4 МБ. Видеокарта же основана на архитектуре Polaris и содержит 512 потоковых процессоров.

Машина получила довольно много современных коннекторов, включая беспроводную связь по стандартам 802.11ac + Bluetooth 5.0, реализованную на основе карты Wireless-AC 9560 WLAN. Также есть гигабитный порт LAN на контроллере Intel i219-V, инфракрасный ресивер и микрофон с формированием луча. Есть ридер карт SDXC и аудиовыход. По стандарту USB предлагают 4 порта типа A, один из них с быстрой зарядкой. Монитор можно подключить через два порта HDMI 2.0.b, каждый с 7.1-канальным звуком.

О цене и доступности машины Crimson Canyon NUC8i3CYSM пока не сообщается.

Выпуск 10 нм процессоров Intel может быть омрачён проблемами с чипсетом

В ходе выставки CES компания Intel рассказала, что к концу этого года она планирует выпустить 10 нм процессоры Ice Lake. Однако стали появляться слухи, что из-за проблем с реализацией PCIe 4.0 фирма не может наладить выпуск чипсетов.

Сайт kitGuru, ссылаясь на анонимные источники, сообщил, что Intel изо всех сил пытается решить проблему с PCIe 4.0. И если в ближайшее время это сделать не выйдет, компании опять придётся задержать 10 нм технологию.

Презентация Ice Lake

И хотя KitGuru относится с полным доверием своему источнику, наши коллеги отмечают, что эта информация не подтверждена. Более того, сейчас только начало года, и у компании ещё есть время для решения возникающих проблем.

Сейчас Intel находится под небывалым прессингом со стороны AMD. В «зелёном» лагере уже готовы начать выпуск 7 нм процессоров, а их чипсеты готовы к внедрению PCIe 4.0.

Intel активно готовит 7 нм процесс

Возможно, что у Intel появился свет в конце туннеля производства микросхем. Компания сообщила об активной разработке 7 нм технологии производства.

Этот 7 нм процесс будет использовать экстремальную ультрафиолетовую литографию (EUV). Об этом Intel сообщила инвесторам. Процесс будет отвязан от печально известного 10 нм глубокого ультрафиолета (DUV), и команды, работающие над технологиями, разделены. Сейчас протекает процесс квалификации 10 нм DUV технологии, и компания изготавливает небольшое количество маломощных процессоров Cannon Lake.

Пластина с микросхемами

Переход от 10 нм к 7 нм позволит вдвое уменьшить размер транзисторов. В 10 нм процессе DUV используется комбинация ультрафиолетовых лазеров с длинной волны 193 мм и мультипаттеринг (на самом деле 4 уровня). В процессе 7 нм EUV применяются суперсовременные непрямые лазеры 135 нм длины волны, исключая мультипаттеринг. Объединение этого лазера с масками позволит создать 5 нм технологию.

Успешная работа над 7 нм процессом означает готовность к квалификации в конце 2019 года и начало массового производства в 2020—2021 годах. Учитывая, что квалификация 10 нм DUV началась в конце 2017 года, а массовое производство началось в мае 2018 года, Intel не станет использовать 10 нм в течение многих лет, как произошло с 14 нм технологией.

Intel отрицает отказ от 10 нм

Вчера мы сообщали о том, что компания Intel хочет отказаться от 10 нм процесса в связи с трудностями по его запуску. Однако в ответ на эти спекуляции компания выступила с опровержением, повторив мантру о готовности к концу 2019 года.

Отвечая на публикацию SemiAccurate компания заявила, что она продолжает демонстрировать «хороший прогресс» в 10 нм технологии. «Отпечатки улучшаются постоянно в соответствии с графиком, который мы опубликовали в последнем финансовом отчёте», сказано в твите Intel.

Пластина с процессорами

Завтра компания Intel проведёт собрание акционеров, и, несомненно, руководство окажется под прессингом в связи с затягиванием этой технологии.

Intel закроет 10 нм разработку

Компания Intel приняла решение отказаться от 10 нм процесса, который она готовила много лет.

Согласно отчёту SemiAccurate, компания только что приняла такое решение, отказавшись от борьбы за эту технологию. Сайт отмечает, что отказ от 10 нм показал, что Intel наконец-то смогла принять правильное решение в правильное время. Даже несмотря на все понесенные финансовые потери и упущенное время это первое зрелое решение компании за долгие годы. Очевидно, это было сложно, но на то была масса причин.

Пластина с процессорами

Изначально компания планировала выпуск продукции по 10 нм нормам в 2015 году, однако пока мы лишь видели различные вариации 14 нм технологии с переходом на мобильные процессоры по 10 нм технологии. Выпуск технологии для мощных настольных и серверных CPU постоянно откладывался, и до последнего ожидался в конце 2019 года.

Теперь же Intel отказывается от 10 нм полностью, заодно отбрасывая и все проблемы запуска процесса. В то же время AMD через несколько недель запустит процессоры EPYC по 7 нм технологии, демонстрируя явные технологические преимущества.

Производители замедляют работу над 7 нм процессом

Технологии производства микросхем с размерами элементов менее 10 нм требуют больших инвестиций, а потому многие разработчики и производители решили повременить с переходом на новые технологии. По всей видимости, такой шаг заметно повлияет на эволюцию полупроводниковых систем.

Стоимость создания микросхем менее 10 нм относительно велика. Недавно HiSilicon планировал потратить как минимум 300 миллионов долларов на разработку 7 нм SoC нового поколения. Разработчики, лишённые производств, боятся тратить большие деньги на до-10 нм процессы, сомневаясь, что в будущем эти затраты окупятся.

Qualcomm Snapdragon

К примеру, Qualcomm и MediaTek вместо разработки 7 нм SoC, решили заняться модернизацией своих средне-верхних решений, которые будут выпущены по 14/12 нм процессу. Обе компании задаются вопросом, есть ли необходимость в переходе на 7 нм производство.

Что касается самих производителей, то TSMC и Samsung Electronics уже представили дорожные карты с 7 нм микросхемами. В UMC решили сместить фокус на зрелые и специализированные процессы. Примерно по тому же пути решили двигаться и в GlobalFoundries, закрыв свою 7 нм программу. Крупнейший производитель чипов, компания Intel, и вовсе увязла в 14 нм технологии, уже опаздывая с 10 нм процессом на 3 года.

Intel не выпустит 10 нм процессоров до зимних праздников 2019 года

Давайте представим 2019 год. У компании AMD вовсю продаются 7 нм процессоры, в то время как Intel по-прежнему предлагает только 14 нм решения. Примерно настолько печально выглядят перспективы Intel по 10 нм технологии.

В сессии вопросов и ответов по результатам финансовой деятельности за II квартал 2018 года, Intel заявила, что первый продукт на базе 10 нм процесса появится только к зимним праздникам 2019 года. Это значит, что 14 нм процесс сохранится у Intel не только до конца 2018 года, но и почти на весь 2019 год.

В клиентском сегменте Intel готовится выпустить 9-е поколение процессоров Core под названием Whiskey Lake. Это будет 5-е поколение процессоров, изготавливаемых по 14 нм процессу. Первыми четырьмя были Broadwell, Skylake, Kaby Lake и Coffee Lake.

Технологическая дорожная карта Intel 

Скорее всего, вместе с Whiskey Lake Intel перейдёт и в 2019 год, конкурируя с 12 нм Pinnacle Ridge от AMD, и увеличивая число ядер. Также Intel проигрывает и в HEDT сегменте, выпуская 20-и и 22-ядерные процессоры с LGA2066, а также подготавливая 28-ядерный чип. К концу 2019 года AMD готовится выпустить 3-е поколение процессоров EPYC, уже по 7 нм технологии. Процессоры Ryzen будут выпускаться по 10 нм нормам.

На картинке вы можете увидеть слайд Intel, датированный 2013 годом. На нём показаны планы Intel по выпуску 10 нм технологии в 2015 году. Это изображение отлично демонстрирует, как планы могут расходиться с реальностью.

Samsung начинает массовое производство 32 ГБ модулей DDR4 для игровых ноутбуков

Компания Samsung анонсировала старт массового производства модулей памяти SoDIMM DDR4 объёмом 32 ГБ, которые предназначены для игровых ноутбуков.

В них используется память 10-нанометрового класса, а модули предназначены для достижения производительности эквивалентной настольным ПК. По словам Samsung, новая память заметно увеличивает ёмкость и скорость работы, при снижении потребляемой энергии.

SoDIMM память от Samsung

Так, в сравнении с прошлым поколением 16 ГБ модулей, изготовленных по 20 нм классу из чипов по 8 Гб, новые модули обещают 11% прирост в скорости и на 39% меньшее потребление энергии. Новая память обладает пропускной способностью в 2,666 Мб/с, а пара таких модулей при объёме 64 ГБ будет потреблять менее 4,6 Вт при нагрузке и 1,4 Вт в простое.

Intel: проблемы 10 нм не коснутся 7 нм

Переход на 10 нм технологию производства доставил Intel массу проблем. Долгие годы компания отрабатывает этот техпроцесс, однако он до сих пор он даёт слишком много брака, когда речь заходит о высокопроизводительных решениях.

В ходе встречи с акционерами исполнительный директор Intel Брайан Крзанич в своём докладе коснулся и этой темы. Он заявил, что проблемы с 10 нм привели к тому, что AMD смогла вырваться в технологическом плане вперёд, однако переход на 7 нм не вызовет трудностей, поскольку это совершенно новая технология производства, к тому же компания поставит себе менее амбициозные цели.

Исполнительный директор Intel Брайан Крзанич

«7 нанометров будет первым переходом к литографическим инструментам, которые затем откроют нам возможность к печати элементов намного, намного мельче, и намного проще. Так что это первый шаг, отделяющий 10 и 7 нанометров. Ещё одна вещь… из-за которой мы не сделали 10 нанометров, связана с намного более агрессивным фактором масштабирования. Вместо наших типичных 2,4, промышленность применяет масштабирование в 1,5 и 2 раза», — заявил Крзанич. Он уточнил, что переход на 10 нм должен привести к масштабированию в 2,7 раза, а это очень сильно осложняет задачу.

Сбудутся ли обещания, данные директором своим акционерам, мы узнаем только через пару-тройку лет.