Новости про техпроцесс

По информации Glofo, компания в качестве TSV заполняющего материала использует медь. Сама технология предусматривает сборку нескольких слоёв микросхемы в стек, с установлением связей не только по краям кристалла, но и сквозь слои. Также эта технология может быть использована для перехода с 28 нм до 20 нм.

Конечно, компания AMD будет главным клиентом на 20 нм производство, но пока ещё неизвестно, когда же начнётся массовое производство этих микросхем.

И хотя мы слышали о ряде проблем с производством этих 3D процессоров, факт работы опытного образца на лицо, что не может не обнадёживать.

Новый графический процессор пока не готов к выпуску, однако может быть использован в SoC будущих разработок, включая изготовленные по 16 нм техпроцессу FinFET на заводах TSMC. Две компании будут работать над созданием нового референтного дизайна системы, использующей стандарты с высокой пропускной способностью памяти и технологию TSMC 3D IC.

Производительность GPU 6-й серии будет необходима при создании будущих поколений SoC, при которых дизайнерам понадобятся более сложные и разнообразные технологические решения, такие как 16FinFET от TSMC.

«Посредством разнообразных проектов, инициированных данным партнёрством, Imagination и TSMC сработали вместе, чтобы показать, как SoC изменят будущее мобильных и встраиваемых продуктов», — заявил исполнительный директор Imagination Хуссеин Яссаи.

Вице-президент TSMC Клифф Хоу пояснил, что необходимость в высокопроизводительном мобильном GPU в будущем ускорит процессы производства чипов, так же, как разработки CPU стали продвигать новые техпроцессы в девяностых.

Показанная компанией дорожная карта немного разочаровала, поскольку эксперты рассчитывали, что переход на более тонкие процессы произойдёт несколько раньше.

Итак, согласно дорожной карте, 14 нм и 10 нм чипы, предназначенные для использования в сетевых, мобильных и потребительских устройствах, выйдут соответственно в 2014 и 2015 годах. Как мы знаем, обе технологии будут представлены в чистом и гибридном виде, который предполагает смешанное использование технологий FinFET для 10 нм процесса и BEOL для 14 нм.

Дальнейшее совершенствование технологии и переход на 7 нм произойдёт лишь в 2017 году. К сожалению, пока не сообщается, будет ли это чистый техпроцесс или смешанный, как это произойдёт с 14 и 10 нм.

Радует лишь то, что 2017 год назван не как год для выпуска первых образцов, а как год начала массового производства микросхем с размером элементов в 7 нм. И нет сомнения, что среди этих процессоров окажутся CPU и APU от AMD.

IBM утверждает, то новый транзистор потребляет меньше энергии и при этом способен пропускать больше тока, чем транзисторы изготовленные по современным технологиям.

«Результат реально демонстрирует преимущества нанотрубок в наиболее сложных транзисторах»,— заявил профессор материаловедения Университета Иллинойса Джон Роджерс (John Rogers). «Совершенно ясно, что нанотрубки имеют достаточный потенциал для создания чего-то на самом деле конкурентного, или дополнительного, кремнию». В настоящее время размер самых маленьких транзисторов составляет 22 нм.

Успех 9 нм карбоновых нанотрубчатых транзисторов потенциально расширит традиционную электронику, поскольку, как мы знаем, он превосходит 10 нм предел для кремниевых транзисторов. «Если нанотрубки не могут зайти намного дальше кремния, тогда работа над ними ─ это пустая трата времени», ─ заявил Аарон Франклин (Aaron Franklin), исследователь из IBM Watson Research Center. Тем не менее, он добавил: «Мы сделали транзистор из нанотрубок в агрессивном размере и показали, что они намного лучше самых лучших кремниевых образцов».

Однако несмотря на то, что технология получила довольно оптимистичные оценки, её промышленное применение будет крайне затруднительным, поскольку в настоящее время изготавливать углеродные нанотрубки в таких больших объёмах не представляется возможным.

Для примера, в настоящее время Intel изготавливает свои процессоры по 32 нм технологии. 22 нм чипы должны появиться уже в этом году, однако, по всей видимости, выход этих микросхем будет отложен. Согласно существующей технологической дорожной карте Intel, производство чипов по 14 нм технологии начнётся в 2013 году, а в 2015-м компания планирует перейти на 10 нм. На следующей неделе в Сан-Франциско пройдёт выставка IDF, на которой Intel представят обновленную дорожную карту. Интересно, будут ли смещены существующие сроки?

В то же время, GlobalFoundries планирует переход на 20 нм в микросхемах слабой мощности, предназначенных для сетевых, беспроводных и мобильных устройств, лишь в 2013 году. При этом выпуск высокомощных процессоров по 20 нм техпроцессу компания планирует начать в 2014 году. Эти данные полностью совпадают с планами AMD, по переходу на новые техпроцессы, что позволяет считать эту информацию правдоподобной.

Кроме уменьшения размера элементов интегральных схем, Чиан также предположил, что в 2015 году их производство перейдёт на использование блинов подложек диаметром 450 мм.

При всем этом ни одна из трёх компаний не объявила об использовании технологии КНИ (кремний-на-изоляторе) в своих будущих чипах. Однако это вовсе не означает, что вся лидирующая тройка отказалась от этого. Тем не менее, по слухам, первыми на технологию 14 нм КНИ с использованием подложек диаметром 450 мм перейдёт компания Samsung.

Тогда глава компании, Джен-Сун Хуанг, говорил, что «мы имеем действительно хороший опыт по работе с 28 нм… Так что я действительно не переживаю о 28 нм».

Однако в этих заявления есть одна интересная деталь. В них нигде не говорится о внедрении архитектуры Kepler.

По информации сайта Bright Side of News, которые ссылаются на собственные источники информации, NVIDIA планирует повторить стратегию, которая принесла успех с предыдущей архитектурой. Тогда линейка видеокарт GeForce 8000 сначала была переименована в GeForce 9000, а затем в GT 200. В ходе переименований техпроцесс изготовления чипов совершенствовался, но это было лишь плавное развитие, не революция.

Теперь же компания хочет представить ограниченное количество урезанных чипов Fermi, технология производства которых также подвергнется оптимизации.

Так, младшие карты GeForce 600, которые получат меньшие номера моделей, будут нацелены на рынок OEM и SI производителей. Однако ожидается, что эти ускорители могут появиться и в магазинах, поскольку некоторые компании часто пускают в розничную продажу некоторую часть видеокарт, которые достойны продаваться в качестве дискретных решений.

Означает ли это, что видеоускорители на процессоре Kepler перепрыгнут через линейку GeForce 600 и сразу выйдут под именем GeForce 700, так же как это было с GeForce 300 и 400? Только будущее покажет.

«Мы намного лучше подготовлены к 28 нм техпроцессу, чем к 40 нм. Потому что мы отнеслись к этому куда более серьёзно. Мы добивались успеха так долго, что мы все как в коллективе, так и на производстве, забыли, насколько это тяжело. Поэтому одной из вещей сделанных нами было создание организации, которая бы занималась модернизацией разработок. У нас было много, очень много экспериментальных чипов изготовленных по 28 нм, мы много работали над этими микросхемами», заявил исполнительный директор NVIDIA Джен-Сун Хуанг (Jen-Hsun Huang).

Напомним, что 40 нм техпроцесс TSMC имел большие проблемы с выходом годных чипов, которые были вызваны непосредственно технологическим процессом, производственными трудностями и ошибками проектирования. NVIDIA начали разрабатывать свою линейку 40 нм чипов без какой-либо информации о возможных проблемах, что и привело к задержке выхода ключевых продуктов построенных на архитектуре Fermi.

«Мы имеем действительно хорошие наработки по 28 нм. Они выглядят намного лучше, чем наш опыт с 40 нм. Они более всесторонние, взаимосвязанные между TSMC и нами, повышающие нашу уверенность в готовности к выпуску продукции, когда подойдет её время. Так что я действительно не переживаю о 28 нм», добавил Хуанг.

Ранее в этом месяце NVIDIA заявляла о своих планах по проведению тест-драйва своего нового GPU с кодовым именем Kepler уже в конце этого года, а коммерческий запуск видеокарт компания планирует провести уже в 2012 году.

Производственный партнёр NVIDIA, компания TSMC, испытывает трудности с новым 28 нм технологическим процессом, по которому и будет изготавливаться Kepler. Кроме того, и сам GPU оказался медленнее, чем рассчитывали разработчики.

Запуск технологического процесса, с размером элементов 28 нм уже откладывался ранее. Из-за этого, компании AMD даже пришлось изменить стратегию по выпуску своих чипов. Так, AMD хотели выпустить хай-энд чип VLIW4 по нормам 32 нм, но всё же решили подождать, пока TSMC уменьшит процент брака при производстве чипов по нормам 28 нм техпроцесса. Ожидается, что TSMC начнет принимать заявки на производство GPU по технологии 28 нм в четвертом квартале этого года, а опытные производства чипов по 20 нм процессу начнет не раньше чем через год.

Еще один крупный клиент TSMC — компания Qualcomm, также готовится к началу производства по 28 нм технологии. Однако они еще не переработали конструкцию своих новых двухъядерных чипов 8960, 8270 and 8260A для их изготовления по объемному 28 нм техпроцессу.

Первый 28 нм видеопроцессор AMD из семейства Southern Islands должен выйти в первой половине 2012 года. Кроме GPU на том же техпроцессе компания также планирует изготавливать APU с кодовыми именами Krishna и Wichita, которые придут на замену Ontraio и Zacate.

Такой отчет подготовила позавчера тайваньская торговая группа. Отчет основан на неназванных источниках. Свою технологию трёхмерных транзисторов компания Intel представила в мае этого года, при этом тогда же TSMC заявили, что их не интересуют подобные техпроцессы, и что все их усилия направлены на уменьшение физических размеров транзисторов. Однако уличить руководство компании во лжи вряд ли удастся, ведь между разработками Intel и TSMC есть принципиальные отличия.

Так, технология тайваньских разработчиков, получившая название (Through Silicon Vias — TSVs), представляет собой многослойные микросхемы, в которых между различными слоями существуют взаимосвязи, проходящие насквозь. В разработке Intel, под названием Tri-gate, кремниевые дорожки выступают над полупроводниковым субстратом.

Согласно отчета TAITRA, трёхмерные технологии TSMC позволят значительно увеличить плотность транзисторов в чипе, вплоть до 1000 раз. Устройства с трёхмерными микросхемами будут потреблять на 50% меньше электроэнергии. Новая технология позволит обойти множество трудностей, образованных традиционной «плоской» технологией построения микросхем.

Старший вице-президент TSMC по исследованиям и разработкам Шан-Йи Чиан подтвердил информацию, указанную в отчёте и сообщил, что их компания сейчас активно сотрудничает с разработчиками чипов для коммерциализации трёхмерной технологии производства.

Наши коллеги с сайта Fudzilla опубликовали информацию, что согласно их источников, новый 28 нм чип уже существует в реальности и выглядит весьма неплохо. У NVIDIA не возникло каких-либо значительных проблем при выпуске первых микросхем Kepler, однако компании предстоит еще много работы по совершенствованию и доводке чипа. Собственно, это и не удивительно, ведь переход с техпроцесса 40 нм к 28 нм — это очень серьезная работа.

Новая архитектура обещает принести в мир графических ускорителей множество изменений. Достаточно просто представить, что на той же площади и с тем же TDP, что и раньше, теперь можно разместить намного большее количество транзисторов.

Существуют оптимистичные прогнозы, что поставки чипов Kepler начнутся уже в этом году, но вряд ли так произойдёт на самом деле, поскольку TSMC нужно немного больше времени, чтобы сделать 28 нм техпроцесс более зрелым.

Нынешнее поколение GPU достигло предельной производительности для чипов с размером элементов равным 40 нм, однако и NVIDIA и AMD уже полным ходом ведут разработки процессоров, изготавливаемых по технологии менее 30 нм.