Новости про производство

На рынке игровых ЖК панелей разгорается конкуренция

Промышленные источники, на которые традиционно ссылается DigiTimes, сообщают, что рынок игровых жидкокристаллических панелей становится более плотным. Сайт отмечает, что LG Display, Innolux и BOE Technology выпускают новые панели в этом крайне прибыльном сегменте.

В настоящее время лидером рынка является AU Optronics (AUO), фирма, выпустившая в прошлом году 1,8 миллиона панелей для таких клиентов как ASUS, Acer, BenQ, ViewSonic, AOC и Philips. На втором месте расположилась Samsung Display, поставив за 2017 год 1 миллион панелей, которые нашли себе место в мониторах Samsung, AOC, Philips и Chongqing HKC Optoelectronics.

Игровой 144 Гц монитор AOC G2460PF
Игровой 144 Гц монитор AOC G2460PF

Однако в этом году ожидается более плотная конкуренция. Так, BOE готова выпустить 31,5” игровые панели, а Innolux во втором полугодии планирует начать массовое производство 23,8”, 27” и 31,5” панелей.

В то же время LG Display уже приступила к массовому производству 34” игровых панелей с пропорциями 21:9, а также планирует выпуск 27” экранов на третий квартал текущего года.

В целом же аналитики ожидают, что в этом году объёмы продаж игровых ЖК панелей достигнут 5,5 миллионов штук, что намного больше 3,7 миллионов панелей, поставленных в прошлом году. В общем, конкуренция разгораяется нешуточная, что нам, конечным потребителям, всегда на руку.

Разработка 7 нм процесса Samsung идёт быстрее графика

В Сети появились слухи о том, что разработка 7 нм EUV процесса компании Samsung опережает график! Южнокорейский гигант с успехом продвигается в создании 7 нм технологии, а главным клиентом компании станет Qualcomm.

Скорее всего, под 7 нм процессом подразумеваются 7 нм LPP (low power plus) узлы, для производства которых применяется экстремальная ультрафиолетовая литография.

Логотип Samsung
Логотип Samsung

По имеющимся данным, Samsung наладила производственные условия и закончила опытные работы по 7 нм EUV процессу на линии Hwaseong S3. Инженеры и конструкторы, создававшие 7 нм процесс, подготовили конструктивную базу и методологии, необходимые для начала опытного производства для клиентов. Сами инженеры перешли к разработке 5 нм процесса, который пока находится на самых ранних этапах.

Согласно данным SE Daily, Samsung будет готова к началу массового производства Qualcomm Snapdragon 855 по 7 нм LPP процессу в конце этого или начале следующего года. В компании сообщают, что 7 нм технология обеспечивает на 40% меньше чипы, по сравнению с 10 нм процессом. Также они обеспечат 10% прирост производительности или 35% снижение энергопотребления.

2 нм могут оказаться невыгодными

В ходе мероприятия группы Synopsys, прошедшего в Санта Кларе, Калифорния, прозвучали слова сомнения о возможности перехода полупроводниковой промышленности на 2 нм нормы производства в будущем, поскольку этот переход вряд ли будет экономически целесообразным.

Конечно, инженеры видят способы уменьшения транзисторов до 5 нм, 3 нм и даже 2 нм, но некоторые сомневаются в коммерческой эффективности этих переходов. Пока об этом говорить слишком рано, но повышение сложности и рост затрат на всё уменьшающиеся чипы может означать, что даже 5 нм процесс окажется экономически нецелесообразным.

Дорожная карта уменьшения размеров транзисторов в микросхемах
Дорожная карта уменьшения размеров транзисторов в микросхемах

«Прирост производительности в 16%, полученный при переходе на 10 нм, теряется при переходе на 7 нм по причине сопротивления в металлических дорожках. Энергосбережение, возросшее на 30% при 10 нм, при переходе на 7 нм возрастёт на 10—20%, а площадь кристалла, уменьшившаяся на 37% при 10 нм сократится на 20—30% с переходом на 7 нм», — заявил Пол Пензес, старший директор технологической команды Qualcomm.

«Площадь по-прежнему уменьшается на хорошую двухзначную величину, но скрытые затраты возрастают, означая, что реальные преимущества в стоимости и прочие улучшения начинают снижаться… И не ясно, что останется на 5 нм», — добавил Пензес, допустив, что 5 нм процесс может стать единственным улучшением после 7 нм.

IMEC: 5 нм EUV подвержена случайным дефектам

Исследователи из IMEC сообщили, что 5 нм процесс экстремальной ультрафиолетовой литографии будет очень сложным во внедрении.

Наибольшей проблемой, с которой столкнутся инженеры, являются случайные дефекты, которые возникают в чипах, выпущенных по технологии 5 нм EUV. Эти дефекты включают тонкие разломы и связки, такие как утолщение линий, что приводит к образованию несовершенных разрывов или замыканий двух линий или контактов изоляторов. Эти изъяны невероятно трудно искать, и в настоящее время нет чёткого решения по их исправлению.

Дефекты 5 нм EUV технологии

Ян Бороводски, бывший специалист по литографии Intel, предсказывал, что инженеры смогут создавать 5 нм и 3 нм устройства с использованием 2—3 проходов EUV. Однако растущее количество дефектов в чипах будут подталкивать инженеров к новой, толерантной к дефектам архитектуре, такой как нейронные сети.

По его мнению, 5 нм процесс будет коммерчески готов лишь в 2020 году, что вызвано большим количеством брака. Производители оборудования для EUV смогут создать машины для печати микросхем нового поколения, исключающего образование дефектов, лишь в 2024 году.

Intel и Micron завершают сотрудничество

Компании Intel и Micron решили прекратить своё сотрудничество в области разработки памяти типа 3D NAND.

В заявлении говорится, что начиная со следующего года Intel и Micron будут «работать независимо» над будущей 3D NAND. Это произойдёт после подписания третьего поколения 3D NAND в текущем году. При этом отмечается, что компании продолжат совместную разработку и производство энергонезависимой памяти 3D XPoint.

IM Flash

Два года назад Intel запустила завод по производству микросхем памяти на 300 мм пластинах в Китае, и уже тогда многие обозреватели заявили о приближающемся «разводе».

Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, было основано в 2006 году, когда до рыночного успеха памяти было ещё далеко. Сейчас у компаний несколько разные цели и рынки сбыта. В Intel предпочитают заниматься памятью для установки в SSD для ЦОД и промышленных серверов, в то время как Micron больше интересует потребительский рынок.

Сейчас обе компании налаживают производство памяти на базе второго поколение 64-слойной 3D NAND технологии.

Qualcomm Snapdragon 855 будет изготовлен TSMC по 7 нм нормам

Всего пара недель прошла с момента анонса Snapdragon 845, как уже появились слухи о его последователе. Нынешний, 845-й чип, изготавливается по 10 нм нормам FinFET компанией Samsung. Его последователь будет изготовлен по 7 нм нормам.

Если Snapdragon 835 и Snapdragon 845 изготавливались на заводах Samsung, то по информации Nikkei, Qualcomm решил перейти к производителю TSMC. Также TSMC будет изготавливать для Qualcomm модемы для смартфонов и лёгких устройств-конвертеров.

Qualcomm Snapdragon

Переход от Samsung к TSMC — это большой шаг для Qualcomm и всей индустрии, ведь большинство флагманских Android-смартфонов основаны именно на платформе Qualcomm. Также в ближайшее время начнут появляться ноутбуки на базе этих платформ.

Кроме новости о Qualcomm, Nikkei также сообщила о том, что TSMC также изготовит наследника для Apple A11, который используется в iPhone 8, iPhone 8 Plus и iPhone X. Сейчас Apple A11 Bionic изготавливается TSMC на 10 нм мощностях.

Графеновые чипы могут никогда не стать массовым продуктом

В новом поколении процессоров, изготовленным по 10 нм нормам, компания Intel в двух нижних слоях микросхемы планирует использовать кобальт.

Однако обозреватели считают, что в будущем большинство производителей продолжит использовать медные проводники и интерконнекты. Многие годы считалось, что для дальнейшего уменьшения производственного процесса потребуются новые материалы. В то же время IBM опубликовала презентацию, в которой считает медь достаточным проводником в микросхемах до 5 нм процесса, и даже ниже.

Растравы кислотой при производстве интегральных схем

Также компания Aveni выяснила, что щелочное травление позволяет расширить использование меди до 3 нм, и, возможно, данный подход будет применим до самого конца технологии CMOS.

В компании убеждены, что щелочная гальванизация делает уход от меди бессмысленным, поскольку кобальт при этом процессе не разрушается. «Одной из проблем с кислотными химикатами является частый протрав подлежащего барьерного слоя. Со щелочными химикатами у вас не возникает эта проблема растрава подслоя», — заявил в интервью технический директор Aveni Фредерик Райнал.

Samsung выпустила самую маленькую микросхему DRAM

Компания Samsung Electronics выпустила новые микросхемы оперативной памяти, которые по её уверению являются самыми маленькими в мире.

Микросхемы DRAM DDR4 от Samsung, выпущены по второму поколению технологии 10 нм класса, они имеют объём 8 Гб. Они обеспечивают 30% прирост в производительности по сравнению с первым поколением 10 нм класса производства. Энергоэффективность новых микросхем была увеличена на 15%, а 10% прирост производительности обусловлен новыми проприетарными технологиями производства. Среди инноваций компания отметила высокочувствительную систему данных ячеек и прогрессивную схему воздушного зазора.

Микросхемы Samsung DDR4 10нм-класса второго поколения

Новые 8 Гб микросхемы DDR4 могут работать на скорости 3600 Мб/с на контакт, в то время как 8 Гб чипы первого поколения обеспечивают скорость в 3200 Мб/с на контакт.

Компания Samsung уже завершила валидацию памяти второго поколения 10 нм класса у производителей CPU. Следующим шагом компании станет тесное сотрудничество с заказчиками в разработке более эффективных вычислительных систем следующего поколения.

Intel увеличивает производство Coffee Lake

Спрос на процессоры Coffee Lake оказался весьма высок, что повлекло рост розничных цен и опустошение складских запасов.

Чтобы соответствовать высокому спросу компания Intel решила добавить ещё одну площадку по тестированию и сборке процессоров. Завод в китайском Сычуане будет заниматься финальной интеграцией новых CPU.

Маркировка CPU из Сычуаня

В Intel сообщили, что причиной открытия производства стало желание «гарантировать стабильные поставки» всей линейки настольных процессоров Coffee Lake Core i5 и Core i7. Таким образом, новое производство позволит избавиться от сложившегося дефицита и снизить розничную цену на процессоры. В компании сообщают, что процессоры, произведенные на новой линии, должны появиться в продаже уже 15 декабря.

Кроме сообщения о новом производстве компания Intel выпустила также оповещение, в котором рассказала об особенностях маркировки CPU. Так, если на вашем Core i7-8700K, Core i7-8700, Core i5-8600K или Core i5-8400 написано «Собрано в Китае», значит, он был сделан в Сычуане. В противном случае, чип собирался на заводе в Малайзии.

AMD перейдёт на 12 нм со следующего года

В ходе Global Foundries Technology Conference технический директор AMD Марк Пейпермастер анонсировал переход компании с Global Foundries 14nm LPP FinFET процесса на 12nm LP процесс для выпуска «графических и клиентских продуктов». Переход должен состояться в 2018 году. В свою очередь Global Foundries анонсирует начало производства по 12LP технологии в первом квартале.

Наши коллеги из Tom’s Hardware связались с Пейпермастером, и он подтвердил, что речь идёт о переводе на 12 нм производство как графических процессоров Vega, так и Ryzen. Правда, он не стал уточнять, идёт ли речь о тех же Ryzen, но с уменьшенным размером элементов (этап «тик», если так удобнее), либо же это будут Zen+/Zen 2. Ранее же AMD сообщала, что процессоры Zen 2 будут изготовлены по 7 нм нормам.

Технический директор AMD Марк Пейпермастер

Ожидалось, что 7 нм чипы Zen будут соперничать с 10 нм Ice Lake, но, по всей видимости, мы увидим противостояние 12 нм LP процесса и 10 нм решения Intel.

Что касается NVIDIA, то свои новые GPU архитектуры Volta она производит по 12 нм нормам FFN на заводах TSMC, так что она давно опередила конкурента. С другой стороны, Volta не является потребительским решением, и пока все процессоры Pascal выпускаются по 16 нм нормам.