Новости про оперативная память

G.Skill выпускает серию памяти Trident Z Royal Elite

Компания G.Skill представила новую серию оперативной памяти DDR4, предложив всем владельцам ПК отличную производительность и завораживающий внешний вид.

Память Trident Z Royal Elite обладает 8-зонной полноцветной подсветкой. Объём модулей достигает 32 ГБ, а частота может быть установлена на уровне 5333 МГц.

Модули памяти Trident Z Royal Elite серебристого цвета

Память Trident Z Royal Elite имеет притягательный многогранный дизайн радиаторов из полированного алюминия. После целого года проб и ошибок разработчики создали трёхмерную структуру из цельного куска алюминия. Каждый радиатор Trident Z Royal Elite разделён на 76 отдельных граней, что придаёт им неповторимый внешний вид. Кроме того, модули оснащены фирменной светящейся полосой, подчёркивающей дизайн модулей.

Модуль памяти Trident Z Royal Elite золотого цвета

Возможно, это не самая быстрая память от G.Skill, но уж точно самая привлекательная. В продажу память Trident Z Royal Elite поступит в мае этого года.

Спецификации модулей Trident Z Royal Elite

Asgard готова к массовому производству DDR5

Китайская компания Jiahe Jinwei, которая владеет игровым суб-брендом Asgard объявила о том, что опытное производство высокоскоростных модулей памяти DDR5 завершилось без каких-либо проблем.

Память Asgard использует микросхемы производства Micron, и теперь дорожная карта Jiahe Jinwei по выпуску памяти будет и дальше выполняться в срок.

Модуль памяти DDR5 от Asgard

Как всегда, в начале развёртывания памяти нового стандарта, её тактовые частоты находятся на низком уровне. Пока компания предлагает только модули DDR5 частотой 4800 МГц, что сопоставимо с наилучшими образцами DDR4.

Микросхемы памяти DDR5 Micron распаянные на модуле памяти

Конечно, выпуск более быстрой памяти является лишь вопросом времени, и Asgard уже планирует модули DDR5 частотой 5600 МГц в 2022 году. Они будут доступны в объёмах от 32 ГБ до 128 ГБ с задержками CAS в 46 циклов. Следующим шагом будет выход на частоту 6400 МГц, однако такие модули появятся только в конце 2022 года или начале 2023. Все эти частоты будут достигаться на относительно невысоком напряжении 1,1 В.

Спецификации и готовность памяти DDR5 от Asgard

Цены на DRAM во втором квартале будут расти

В то время, как пользователи разочарованы высокими ценами на видеокарты и центральные процессоры, цены на память последние пару лет снижались. Однако эта ситуация скоро изменится.

Один из лидирующих обозревателей рынка, TrendForce, заявляет, что уже во втором квартале 2021 года цены на оперативную память заметно вырастут.

Установка памяти DRAM

Причина этого явления лежит в пандемии и растущих заказах на производство, которые даются на несколько месяцев вперёд. Многие месяцы спрос на память был невысоким, и теперь, когда он начал расти, производство не будет успевать за спросом, и как следствие, цена на DRAM поднимется.

В первом квартале цена на оперативную память уже вросла на 5—8%. На второй квартал прогнозируется дальнейший рост цены ещё на 20%. Такая ситуация может продолжаться и в III квартале. Так что, если вы хотите увеличить объём оперативной памяти своего ПК — делайте это сейчас.

Longsys / Lexar публикует производительность памяти DDR5

Одной из важнейших особенностей будущих компьютерных платформ станет поддержка памяти DDR5. Её спецификация опубликована JEDEC в июле, и почти сразу несколько компаний заявили о работе над этими микросхемами.

Китайская компания Longsys, владелец бренда Lexar с 2017 года, выпустила свои модули DDR5, опубликовала их характеристики и провела бенчмарки в AIDA64.

Модуль памяти DDR5 Longsys

Модули памяти Longsys представляют собой платы UDIMM ES1 DDR5 с 288 контактами. Память предлагается в объёмах 16 ГБ и 32 ГБ и имеет скорость передачи данных в 6400 Мб/с при таймингах CL40.

Спецификации DDR5 от Longsys

В проведённых бенчмарках модули набрали 190 000 баллов, что вдвое больше, чем выдаёт Longsys DDR4 32GB C22 (91 575 баллов). Как видно по таблице, результаты хороши, ну кроме возросших задержек.

Longsys DDR5 32GBLongsys DDR4 32GBПроцент увеличения
AIDA64 Read35 84425 77039
AIDA64 Write32 61323 94436
AIDA64 Copy28 83325 84912
AIDA64 Latency112,156,897

Единственным несоответствием стал скриншот BIOS, в котором можно увидеть память DDR5-4800, в то время как нас убеждают, что испытывалась память DDR5-6400. Вероятной причиной тому называется низкая частота в Alder Lake ES (800 МГц), что и повлияло на общую производительность.

Тест памяти DDR5

Память типа DDR5 будет иметь скорость DDR5-8400 и даже выше, а модули получат объём до 128 ГБ. Доступной память будет вместе с платформой Alder Lake-S, которую планируют к концу этого или началу следующего года.

Micron отказывается от памяти 3D XPoint

Компания Micron объявила о том, что решила увеличить инвестирование в производство памяти на основе Compute Express Link (CXL), для чего она должна отойти от 3D XPoint.

В своём заявлении компания отметила: «Micron планирует применить знания, полученные от прорывного достижения в инициативе 3D XPoint, а также связанные инженерный опыт и ресурсы в новых типах продуктов памяти, которые нацелены на иерархию накопителей».

Память 3D XPoint

Таким образом, Micron бросит все силы на выпуск продуктов на основе CXL с интерфейсом PCIe, что обеспечит гибкую связь между вычислительной частью, памятью и накопителем. Целью CXL является предоставление пользователям большего объёма памяти, которой легче управлять, памяти, не связанной с CPU, как традиционная ОЗУ.

Фирма производила память 3D XPoint на заводе в Юте. Сейчас она ведёт переговоры о продаже предприятия. Единственным производителем памяти 3D XPoint остаётся Intel, которая предлагает её в накопителях Optane.

Samsung готовит первый в промышленности модуль DDR5 объёмом 512 ГБ

Компания Samsung объявила о разработке первого в индустрии модуля памяти объёмом 512 ГБ, изготовленного по технологии Through-Silicon via (TSV).

Благодаря TSV ускоряется интерконнект внутри трёхмерных стеков памяти. Южнокорейский гигант будет создавать стек из 8 слоёв чипов по 16 Гб каждый, что обеспечит 512 ГБ памяти на одном модуле. Что касается скорости, то разработчик уверяет, что она составит 7200 Мб/с. Эти модули высокого объёма разрабатывались для интенсивной вычислительной нагрузки, включая суперкомпьютеры, обработку задач ИИ и анализа данных.

Модуль памяти DDR5 объёмом 512 ГБ от Samsung

Также компания проделала большую работу по энергоэффективности. Она внедрила технологию High-K Metal Gate (HKMG), благодаря которой удаётся значительно снизить токовые утечки, возрастающие по мере утонения изолирующих слоёв, что неизбежно из-за продолжающейся гонки масштабирования. В результате сокращения утечек удалось снизить и операционный ток, что повлияло на общую энергоэффективность памяти, которая составила 13%.

Технология HKMG традиционно применяется в процессорах, однако Samsung использует её и при производстве памяти с 2018 года, когда она была внедрена на GDDR6. Теперь эта технология используется и в DDR5.

SK Hynix начала производить пакеты LPDDR5 объёмом 18 ГБ

Компания SK Hynix начала массовые продажи самых ёмких в мире пакетов LPDDR5. Новые устройства имеют объём 18 ГБ. Они созданы преимущественно для смартфонов хай-энд уровня и ноутбуков, в которых используются чипсеты с поддержкой LPDDR5.

Пакеты LPDDR5 объёмом 18 ГБ от SK Hynix включают различные устройства в области памяти и поддерживают скорость передачи данных в 6400 МБ/с, самую высокую, из доступных по спецификации на этот тип ОЗУ. Кроме того, новые пакеты предлагают на 11,7% большую ёмкость, по сравнению с микросхемами объёмом 16 ГБ.

Модули памяти LPDDR5 от SK Hynix объёмом 18 ГБ

В компании не сообщают, по какой технологии производится новая память, но очевидно, что речь идёт об одном из передовых процессов.

Одним из первых претендентов на применение памяти SK Hynix 18 ГБ LPDDR5-6400 станет игровой смартфон Asus ROG 3. Также эти пакеты могут появиться в топовых моделях ноутбуков и планшетов с 18 ГБ или 36 ГБ ОЗУ.

Asgard выпускает память DDR5-4800

Малоизвестный китайский производитель Asgard, с полным наименованием предприятия Shenzhen Jiahe Jinwei Electronic Technology Co., Ltd, представил модуль памяти DDR5.

Новый модуль памяти имеет объём 64 ГБ, работает на частоте 4800 МГц, соответствует требованиям JEDEC, работает при напряжении 1.1 В и таймингах 40-40-40.

Компания сообщила, что новый модуль является её первым продуктом JEDEC, он имеет маркировку VMA5AUK-MMH224W3. Как видно на снимках, дизайн у модулей довольно простой, а печатная плата изготовлена из традиционного зелёного текстолита. Модуль не имеет ни радиаторов, ни подсветок и весьма похож на низкопрофильный вариант.

Модуль памяти DDR5 от Asguard

Представленные модули памяти поступят в массовое производство ближе к моменту выпуска процессоров Intel Alder Lake-S (12-е поколение Intel Core) и материнских плат с чипсетами 600-й серии.

Кроме того, модули VMA5AUK-MMH224W3 будут совместимы с серверными процессорами Intel Sapphire Rapids-SP, мобильной серией Intel Tiger Lake-U, сериями APU AMD Van Gogh (Zen 2, Navi 2) и AMD Rembrandt (Zen 3, Navi 2).

Как известно, до этого момента о готовности памяти DDR5 сообщала лишь компания Team Group, которая проводит валидацию своих модулей.

Память Samsung HBM-PIM вдвое быстрее традиционной

Компания Samsung, один из создателей многослойной памяти типа High Bandwidth Memory, запустила свою инновацию, которая позволит заметно ускорить передачу данных.

Новая архитектура памяти HBM называется PIM — processing-in-memory, или обработка в памяти, и она использует мощь ИИ в работе HBM.

Память Samsung HBM-PIM

Как следует из названия, обработка в памяти позволяет в некотором виде программировать слой памяти и создавать новый встроенный ИИ-движок оптимизированный по памяти. Этот движок ИИ называется Programmable Compute Unit (PCU). Его задача — передавать данные между процессором и памятью параллельным путём, исключая узкие места, характерные для архитектуры фон Неймана. Традиционно, в классической архитектуре фон Неймана, применяется последовательная обратно-поступательная передача данных между процессором и памятью. Разработка Samsung позволяет выполнять этот процесс параллельно. При раннем тесте архитектуры в 2018 году память HBM2 показала удвоение производительности при снижении энергопотребления на 70%.

В настоящее время технология проходит валидацию различными партнёрами компании. Южнокорейский гигант ожидает, что этот этап завершиться уже в первом полугодии.

Когда память HBM-PIM будет готова, её можно будет легко интегрировать в новые и существующие системы для применения в ЦОД, высокопроизводительных вычислениях, мобильных приложениях на базе ИИ и так далее. Причём для этого не требуются аппаратные или программные изменения.

Teamgroup разработала память DDR5 для ноутбуков

Компания Teamgroup добралась до фазы валидации у производителей материнских плат оперативной памяти нового типа, что является уже вторым достижением компании в этом году.

Ранее компания уже сообщала о начале процесса валидации памяти DDR5 для настольных ПК. Теперь же она проверяет работоспособность памяти этого типа на ноутбуках.

Модуль SO-DIMM DDR5 от Teamgroup

Новые модули памяти DDR5 SO-DIMM по характеристикам аналогичны U-DIMM. Каждая планка памяти имеет объём 16 ГБ и работает на частоте 4800 МГц. Для питания применяется напряжение 1,1 В. Это очень важно именно для ноутбуков, где снижение мощности означает повышение ресурса автономной работы. Кроме того, повысится и стабильность благодаря встроенной поддержке коррекции ошибок.

Компания Teamgroup сообщает, что продолжает тесное сотрудничество с производителями материнских плат, чтобы создать модули памяти с более высокими спецификациями.