Новости про оперативная память

SK Hynix разрабатывает самые плотные модули памяти

Корпорация SK Hynix объявила о разработке самых плотных в мире NVDIMM (Non Volatile DIMM) модулей памяти объёмом 16 ГБ, основанных на 4 Гб чипах DDR4. Производство чипов использует собственный 20 нм процесс компании.

Эти NVDIMM модули способны передавать данные DRAM в NAND Flash, плотность которых вдвое выше, чем оперативной памяти. Разместив оба типа памяти и контроллер для флэш-памяти на одном модуле разработчикам удалось безопасно сохранять данные в случае потери энергии, при этом сохранив высокий уровень производительности, характерный для DDR4. Этот продукт работает с частотой 2133 МГц, а при ширине шины в 64 бита может обеспечить скорость передачи данных в 17 ГБ/с. Для питания этим планкам понадобится напряжение в 1,2 В.

SK Hynix сообщает, что уже отправляет образцы модулей различным клиентам, и внимание к ним со стороны компаний, разрабатывающих серверы и операционные системы, усилилось. Сами же разработчики надеются создать новый рынок на свою память, значительно увеличив спрос на обработку больших объёмов данных. Hynix хочет начать массовое производство этих модулей в первой половине этого года, предоставив специализированное решение для клиентов, нуждающихся в повышенном уровне стабильности данных.

Apple выкупит четверть всего производства DRAM

Аврил Ву, вспомогательный вице-президент DRAMeXchange, полагает, что компания Apple может выкупить до 25% всех мировых поставок памяти DRAM. Это резкое увеличение, по сравнению с нынешними 16,5%.

Надо сказать, что такую стратегию нельзя назвать честной, ведь кроме гарантии достаточного количества комплектующих для своих устройств, Apple не допустит на рынок конкурирующие устройства, потому что для их сборки просто не хватит компонентов, и они будут слишком дорогими.

В эту игру Apple уже играет в Китае, где компания эффективно сокращает производство конкурентов в стране за счёт размещения огромных заказов на свои изделия. И Китайские партнёры начинают производить гаджеты для Apple в ущерб остальным заказчикам. По информации Tech Crunch это приводит к тому, что компания переполняет возможности поставщиков, приводя к задержкам выпуска передовых продуктов прочих компаний.

Такую не очень красивую стратегию впервые применил Стив Джобс, однажды заказав перед праздниками все грузовые рейсы для перевозки компьютеров iMac, и в результате другие компании, например, Compaq, не смогли найти себе доступных рейсов для доставки компьютеров оптовым поставщикам.

В Tame Apple Press уверены, что это знак, которым Apple даёт понять уверенность в своих возможностях распродать всю эту электронику.

Утверждена спецификация DDR4 для ноутбуков

Уже все ведущие производители представили свои модули памяти DDR4, которые будут работать с процессорами Haswell-E, в связи с чем в JEDEC решили подготовить спецификацию DDR4 и для ноутбуков.

Итак, спецификация получила название JESD209-4 Low Power Double Data Rate 4 или коротко — LPDDR4.

Он определяет пропускную способность модулей LPDDR4 на уровне 3200 МТ/с, а целевая скорость составит 4266 МТ/с, что вдвое больше, чем установлено для LPDDR3.

Для достижения этого архитектура была полностью переработана. В ней было заменено 16-битное одноканальное ядро на 32-битное двухканальное ядро (по 16 бит на канал). Ключевой особенностью новой памяти стала именно двухканальная архитектура, поскольку она позволяет снизить затраты энергии, необходимые для отправки больших объёмов данных, требуемых для интерфейса LPDDR4. Также были объединены тактовая и адресная шины, что позволило уменьшить тайминги.

На первый взгляд память LPDDR4 значительно превосходит по своим характеристикам прошлое поколения, и очень жаль, что мы не увидим лэптопов, основанных на ней, до середины будущего года.

Avexir готовит DDR4 частотой 3,4 ГГц

Несмотря на то, что память DDR4 имеет заметно большую частоту, чем DDR3, до настоящего времени все производители памяти для энтузиастов не выпустили ни одной модели DDR4 с частотой выше 3,0 ГГц.

Таким образом продукция компании из Тайваня, Avexir, станет первым модулем памяти с частотой в 3,40 ГГц.

На прошлой неделе два розничных интернет магазина, Overclockers UK и Caseking, объявили о подготовке эксклюзивных продаж новых модулей от Avexir на территории Великобритании и материковой Европы. Среди прочего две компании объявили о том, что Avexir готовит к выпуску память DDR4 частотой в 3,40 ГГц. Однако при этом представленные к продаже планки модели Avexir Platinum продаются без радиатора, а их максимальной частотой называется 2,40 Ггц. Это значит, что они гарантировано не предназначены для разгона. Наиболее вероятно, для энтузиастов компания подготовит модули Blitz, которые оснащаются светодиодной подсветкой.

Пока ещё не известно, когда же Avexir планирует представить планки DDR4 частотой 3,40 ГГц, но учитывая, что в настоящее время компания не анонсировала память для энтузиастов, можно предположить, что модель Blitz станет частью этой программы в ближайшие месяцы.

Начались продажи памяти DDR4

Хотя чипсет Intel X99, вместе с процессорами Haswell-E, не поступит в продажу раньше сентября, один производитель памяти уже начал продажи модулей DDR4, пока лишь в Японии.

Стандарт памяти наконец-то получил обновление. Первой платформой, которая её поддерживает, станет Intel с чипсетом X99.

И для тех, кто хочет заполучить пока бесполезную память DDR4, один компьютерный магазин в Японии уже начал продавать модули объёмом 16 и 32 ГБ по цене в 350 и 685 долларов США соответственно. Конечно, цена немного шокирует, но не забывайте, что это первое предложение на рынке. Предлагаемые модули памяти изготовлены компанией SanMax из чипов производства SKHynix.

Память DDR4 поддерживает намного большую скорость передачи данных на уровне 2133—4266 МТ/с, в то время как предшественник работал на скоростях 800—2133 МТ/с. Новая память будет иметь и увеличенное количество контактов — 288, по сравнению с 240, и будет питаться напряжением 1,2 В.

Toshiba: наша память уменьшит энергопотребление CPU на 60%

Кэш-память, это маленькая часть ядра процессора, на которой расположены элементы памяти. Она применяется для быстрого доступа к данным, минуя всю остальную систему, шину, и ОС.

Обычно, кэш-память делится на два или три уровня, при этом, чем уровень ниже, тем меньше объём и выше скорость памяти. Для удовлетворения требованиям скорости разработчики процессоров применяют энергозависимую SRAM память.

Однако Toshiba представила новый тип кэша, который она назвала MRAM, или более точно STT-MRAM, которая является магниторезистивной памятью и использует переключение с помощью переноса спина электрона.

Собственно говоря, магнитные элементы хранения данных используются для хранения битов, и для модифицирования данных используют электроны с направленным спином.

Ранее уже осуществлялись попытки сделать нечто подобное, однако MRAM не была достаточно быстрой, и обладала меньшей, по сравнению со SRAM, энергоэффективностью.

Для решения проблемы Toshiba представила новую структуру схемы, которая маскируется под некоторые элементы DRAM и SRAM, но без утечки энергии. В результате MRAM кэш память L2 помогла снизить энергопотребление кэша на 80%, что в сумме составляет 60% всей энергии, потребляемой CPU. Надо сказать, что такой результат особенно хорош для AMD, которая использует большой кэш L2 и не применяет кэш третьего уровня. При этом, скорости работы памяти, по сравнению со SRAM, осталась неизменной. Так, MRAM позволяет записывать данные со скоростью 2,1 нс, а считывать — со скоростью 4,1 нс.

Учитывая, насколько сейчас популярны в мире вопросы энергоэффективности, можно ожидать, что компания заработает на своей разработке массу средств. Конечно, рядовой пользователь никогда не узнает о том, что в его процессоре теперь используется кэш-память нового типа, но он непременно почувствует увеличение времени автономной работы своего нового ноутбука.

Buffalo представила внешний винчестер с DRAM кэшем

Гибридные диски получают всё большее распространение, ведь они объединяют цену и объёмы обычных винчестеров с производительностью, близкой к SSD. Учитывая сложившуюся тенденцию, Buffalo Technology выпустила новый класс внешних жёстких дисков, которые имеют кэш на DRAM памяти, что предлагает быстрый доступ к часто запрашиваемым данным.

В отличие от встраиваемых винчестеров, модель HD-PGDU3 от Buffalo не использует твердотельный раздел. Все кэшируемые им данные располагаются в ОЗУ, которая хранится благодаря встроенной батарее. Естественно, это означает, что спустя некоторое время аккумулятор сядет, и кэшированные данные будут утеряны, но чтобы этого избежать, производитель оснастил винчестер маленьким индикатором заряда. Кроме хранения кэша, батарея также гарантирует, что в случае внезапного отключения винчестера от хоста, повреждение данных не произойдёт.

Две модели диска будут доступны в объёмах 500 ГБ и 1 ТБ, а на обеих будет присутствовать ОЗУ кэш объёмом 1 ГБ. Для подключения к хосту производителем был выбран интерфейс USB 3.0, что гарантирует высокую скорость чтения и записи.

Пока о цене на винчестер ничего неизвестно, но стоит учитывать, что на горизонте у нас Computex, где могут быть объявлены все детали.

Компания Finalwire обновила AIDA64 до версии 4.50

Сегодня компания FinalWire Ltd. анонсировала новую майскую версию за номером 4.50 популярной диагностической и тестовой утилиты AIDA64.

В новой версии набора утилит появился криптографический бенчмарк OpenCL, расширена база данных по новым платформам Intel, появилась поддержка памяти DDR4 и новых видеоускорителей.

Полный перечень изменений приведён ниже:

  • добавлен криптографический бенчмарк OpenCL GPGPU AES-256;
  • расширена диагностика графического акселератора AMD Mantle;
  • добавлена поддержка чипсетов Intel H97 и Z97;
  • улучшена поддержка процессоров Haswell-E и модулей памяти DDR4.
  • добавлена поддержка профилей памяти DDR4 XMP 2;
  • добавлена поддержка SSD A-Data SP;
  • детализирована информация для AMD Radeon R9 295X2 и FirePro W9100;
  • детализирована информация для NVIDIA GeForce GT 740, GeForce GTX Titan Z.

AIDA64 v4.50, доступна в трёх редакциях: Extreme и Business, а также Extreme Engineer для инженеров с разрешением использовать на неограниченном количестве ПК, приобрести которые можно в онлайн-магазине AIDA64.

Crytek: 8 ГБ ОЗУ может быть недостаточно

Многие производители стремятся выжать максимум из аппаратного обеспечения, предложив наилучшую картинку, из возможных.

При этом Crytek всегда оказывалась на передовой этой тенденции и движок CryEngine является явным тому подтверждением. Как бы то ни было, но, по словам менеджера Crytek по разработке игрового движка в США Шона Трейси, имеющихся 8 ГБ памяти в консолях нынешнего поколения просто недостаточно, что звучит просто поразительно.

«8 гиг могут быть легко заполнены. Но не стоит забывать, что разработчики не всегда имеют доступ ко всем 8 гигам для своих нужд. К примеру, Xbox One оставляет некоторое количество ОЗУ для целей ОС», — отметил Трейси.

По словам менеджера, такие игры как Ryse: son of Rome уже столкнулись с проблемой нехватки 8 ГБ ОЗУ в Xbox One. Это может звучать странно, учитывая, что ваш ПК скорее всего имеет 4 или 8 ГБ, однако память консолей устроена не так, как в настольном ПК, в котором различается оперативная и видеопамять, в отличие от консолей, где используется общий массив.

«8 ГБ ОЗУ, безусловно, будет одним из ограничивающих факторов в этом поколении. По мере улучшения аппаратной части, сложность сцен может быть улучшена, равно как динамика в них. В любом случае, говоря об этом, имеется в виду не простая мощь, которая обеспечит фотореалистичную графику, а технология, которая разумно масштабирует и использует всё предлагаемое аппаратное обеспечение».

Таким образом, игровые движки потребуют инноваций, чтобы обеспечить дальнейшее развитие. Кроме того, через некоторое время ПК получат очередное обновление аппаратного обеспечения, и авторам игр для консолей вновь придётся придумывать различные ухищрения, чтобы вложиться в аппаратные возможности приставок.

SK Hynix разрабатывает 128 ГБ модули DDR4

Пока на рынке отсутствуют материнские платы и процессоры с поддержкой памяти DDR4, но это не останавливает производителей памяти. Одним из лидеров этого рынка, как известно, является SK Hynix, и она сделала прорыв в подготовке памяти DDR4 высокой ёмкости.

Этот корейский производитель представил первый в мире модуль ОЗУ DDR4 объёмом 128 ГБ, который основан на 8 Гб чипах компании, изготовленных по 20 нм процессу.

«Разработка первого в мире 128 ГБ модуля DDR4 является важным в открытии серверного рынка ультравысокой плотности», — заявил Сун Джу Хон, глава подразделения DRAM в SK Hynix. «В дальнейшем компания усилит свою конкурентоспособность и сфере премиальной ОЗУ, разрабатывая высокоплотные, сверхвысокоскоростные и слабомощные потребительские продукты».

Компания SK Hynix использует технологию TSV (Through Silicon Via) — методику производства, позволяющую пропускать электрические соединения вертикально сквозь кремниевое ядро, что и позволяет удвоить плотность по сравнению с памятью предыдущего поколения. Новая память DDR4 работает со скоростью 2133 МГц и будет способна пропускать данные на скорости 17 ГБ/с по шине шириной 64 бита. Для питания этой памяти необходимо 1,2 В, в то время как DDR3 требуется 1,5 В.

Массовое производство новых 128 ГБ модулей DDR4 должно начаться к первой половине 2015 года. Однако есть большие сомнения, что подобные модули найдут свой путь на потребительском рынке, ведь редко какая материнская плата будет поддерживать более 32 ГБ ОЗУ.