Новости про оперативная память

JEDEC завершает стандарт гибридных DDR4 и NAND модулей

Стандартизирующая организация JEDEC объявила о создании первого стандарта, поддерживающего гибридные модули памяти, которые устанавливаются в обычные слоты памяти DDR4, но содержат и флэш-память NAND.

Такие не теряющие данные двухлинейные модули памяти NVDIMM (non-volatile dual in-line memory module) будут использованы для сверхвысокопроизводительных накопителей, а также для сверхбезопасных решений ОЗУ.

Первый тип таких модулей называется NVDIMM-N. В нём объединена память DRAM и NAND типов для обеспечения создания резервных копий и последующего восстановления всей ОЗУ, что значительно повышает надёжность работы в случае внезапного прекращения питания. Второй тип получил название NVDIMM-F. В нём применяется прямая адресация к NAND флеш, которая адресуется как блочно-ориентированный накопитель. Память NVDIMM-F сможет предложить сверхвысокопроизводительные твердотельные накопители для использования в качестве кэша записи, хранения метаданных и т.п.

Оба типа памяти будут использовать форм-фактор с 288 контактами, т. е. будут соответствовать стандартным модулям DDR4, и смогут устанавливаться в двухлинейные слоты стандартных промышленных серверов и платформ накопителей. Они будут распознаваться контроллерами как стандартная DDR4 SDRAM. Канал памяти же будет разделяться между DRAM и NAND чипами.

Первое коммерческое решение, соответствующее спецификации JEDEC NVDIMM ожидается к появлению в конце 2015 или начале 2016 года.

Kingston готовит 128 ГБ наборы памяти частотой 3 ГГц

Компания Kingston объявила о разработке первых в мире наборов модулей памяти DDR4 объёмом 128 ГБ и частотой 3000 МГц. Набор будет состоять из 8 планок по 16 ГБ с таймингами 16-16-16-39. При этом цена и дата начала продаж пока не называются.

Фирма HyperX, являющаяся подразделением мирового лидера в области памяти Kingston Technology Company, Inc., объявила о создании передового продукта, являющегося набором из 8 модулей памяти DDR4, которая работает на частоте 3 ГГц. 16 ГБ модули HyperX Predator будут работать в четырёхканальной конфигурации на материнских платах с 8 слотами DDR4. Сама компания называет подходящей платформу MSI X99 MPOWER и процессор Intel Core i7 5820K.

В ходе выставки Computex в Тайбее, HyperX представит высокопроизводительную систему, в которую будут установлены новые 16 ГБ модули памяти, а также недавно выпущенный PCIe SSD HyperX Predator M.2.

SK Hynix начинает производство 20 нм памяти

Компания SK Hynix, второй в мире производитель оперативной памяти, объявил, что во втором полугодии начинает массовое производство DRAM памяти, используя для этого 20 нм технологический процесс. Данный переход позволит компании лучше соответствовать нуждам рынка хай-энд памяти.

Сейчас наиболее совершенные технологии, доступные SK Hynix, включают размеры элементов 25 и 29 нанометров. Более тонкий производственный процесс позволит производителям выпускать на 30% больше чипов ОЗУ на пластинах того же диаметра в 300 мм, которые использовались ранее. В результате себестоимость каждой такой микросхемы будет ниже, что означает большую прибыль для компании.

Некоторые эксперты считают, что 20 нм техпроцесс крайне важен для производителей памяти, поскольку позволит выйти на плотности равные 8 Гб на чип, такие же, как существуют в памяти DDR4.

По информации крупнейшего в мире трекера памяти, DRAMeXchange, SK Hynix за второе полугодие 2014 значительно продвинулась в качестве производства по 25 нм технологии, что позволило фирме существенно увеличить прибыль. Ранее сообщалось, что Samsung Electronics, мировой лидер в области памяти, в этом году будет использовать 20 нм технологию для более чем половины всей производимой памяти. Эта компания приступила к массовому производству в конце прошлого года.

Третий крупнейший игрок рынка, Micron Technology, начал опытное 20 нм производство микросхем в четвёртом квартале 2014 года. Компания планирует увеличить массовое производство по 20 нм технологии также в этом году, однако объёмы будет относительно малыми.

Новая угроза компьютерной безопасности — электромагнитные утечки

Учёные компании Google выявили новый способ взлома компьютеров. Так, хорошо подготовленные хакеры могут повлиять на часть памяти компьютера и обойти защиты безопасности. В блоге безопасности Google Project Zero, группа исследователей компании описала новый эксплоит, который получил название Rowhammer.

Хакеры могут запускать специальную программу в ОЗУ, которая создана, чтобы быстро обращаться к определённому ряду транзисторов в памяти компьютера. Эта «чеканка» по транзисторам приводит к тому, что, заряд из них перетекает на соседний ряд памяти. Данная электромагнитная утечка может привести к так называемому эффекту «переворачиванию битов», в котором транзисторы в соседних рядах памяти изменяют своё состояние на противоположное.

Впервые исследователи Google показали возможность использования переворачивания битов для получения неавторизованного уровня доступа для контроля над компьютером жертвы. Выявленная техника Rowhammer может повлечь «эскалацию привилегий», расширяя влияние хакеров за пределы определённых огороженных пространств памяти в более чувствительные зоны. Таким образом, учёные выявили одну из фундаментальных уязвимостей компьютерного аппаратного обеспечения, которую нельзя полностью исправить в существующих системах.

Конечно, это не тот хак, который легко выполнить. Команда Project Zero была ограничена тестовым ноутбуком с Linux на борту, и только затем учёные установили, что уязвимость работает лишь на менее чем половине моделей компьютеров, на которых они проводили эксперимент.

Установлен рекорд скорости DDR4

Компания MSI сообщает, что оверклокер с ником Toppc установил новый мировой рекорд для памяти DDR4. На материнской плате MSI X99 SLI Plus он разогнал оперативную память до 4032 МГц, что всего на 17 МГц опережает предыдущий рекорд.

Данная материнская плата является одной из последних разработок компании на базе чипсета Intel X99. Для установления рекорда разгона в ней Toppc применил оперативную память Kingston Hyper X DDR4 4GB. Как несложно догадаться, компания MSI использовала данное достижение чтобы в очередной раз похвалить себя за превосходный арсенал функций разгона, которыми обладает материнская плата.

По словам компании, производительности платы будет достаточно для построения на её основе мощной рабочей станции, предназначенной для тяжёлых расчётов и рендера сцен. Среди главных функций в платформе, MSI назвала наличие Gigabit LAN от Intel, поддержку NVIDIA SLI, поддержку накопителей Turbo M.2 со скоростью до 32 Гб/с, интерфейса SATA Express со скоростью до 10 Гб/с. Также фирма похвасталась наличием на плате технологии Guard-Pro и компонентов военного класса 4, что должно обеспечить стабильную и надёжную работу.

Samsung начал массовое производство 8 Гб памяти LPDDR4

Компания Samsung объявила о начале массового производства первой в промышленности мобильной памяти Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) объёмом 8 Гб, которая изготавливается по нормам 20 нм техпроцесса.

Новая память привлекательна тем, что потребляет меньше энергии, чем любая другая настольная или серверная память, но при этом более производительна.

По сути, южнокорейский гигант предложил вдвое увеличить скорость работы памяти по сравнению с прошлым поколением LPDDR3, а с учётом скорого обновления флагманских моделей телефонов новым поколением, данный апгрейд придётся очень кстати производителям смартфонов. Новые чипы памяти обеспечивают скорость передачи данных на уровне 3200 Мб/с, что вдвое быстрее памяти DDR3, используемой в персональных компьютерах. Таким образом, новые модули смогут обеспечить беспроблемную видеосъёмку в разрешении 4K и быструю фотосъёмку в разрешении более 20 Мпикс. В то же время память LPDDR4 питается напряжением 1,1 В, и пакет объёмом 2 ГБ будет потреблять на 40% меньше, чем аналогичный модуль LPDDR3.

Компания Samsung начала выпускать пакеты LPDDR4 объёмом 2 ГБ и 3 ГБ, изготовленные из микросхем 8 Гб и 6 Гб соответственно, в декабре уходящего года. Пакеты объёмом 4 ГБ появятся в начале наступающего. Также в компании надеются быстро наладить выпуск  памяти и другого применения. Так, недавно был представлен 8 Гб чип DDR4 для серверов, который также изготовлен по 20 нм технологии.

Смартфоны следующего поколения будут работать с памятью LPDDR4

Рынок памяти DDR весьма предсказуем. После DDR2 в IT стали использоваться память DDR3. Ей на замену приходит DDR4, а через несколько лет стоит ожидать появления DDR5. То же самое касается и телефонов, в топовых моделях которых сейчас используется память LPDDR3.

В следующем же году ожидается появление памяти LPDDR4 в смартфонах. Скорости передачи данных в этой памяти стартуют с 3200 МТ/с, а целевая скорость составляет 4266 МТ/с, что в два раза больше, чем у LPDDR3.

Компания Samsung с переходом на LPDDR3 вдвое увеличила частоту памяти с 800 МГц до 1600 МГц. С переходом на LPDDR4 частота увеличится ещё вдвое, а скорость передачи данных увеличится с 12,8 ГБ/с до 25,6 ГБ/с. Ресурс DRAMeXchange предполагает, что сейчас на рынке памяти Samsung с LPDDR4 занимает 1%, однако в конце 2015 года эта доля вырастет до 30%.

Другой крупный производитель, SK Hynix, также ожидает рост с 1% до 18% за год. Американская Micron пока не вышла на рынок LPDDR4, однако аналитики считают, что фирма займёт достойные 25% рынка.

Что касается производителей чипов, то вместе со Snapdragon 810 компания Qualcomm официально вышла на рынок памяти LPDDR4. Новый чип имеет ширину шины памяти 64 бита и поддерживает работу в двух каналах модулей частотой 1600 МГц. Обозреватели прогнозируют, что скоро вслед за ней многие другие фирмы представят свои модификации SoC с поддержкой памяти LPDDR4. Так, чип NVIDIA Erista наверняка будет работать с новой памятью, однако о возможностях новой SoC от Apple пока ничего не известно.

TeamGroup выпускает первую в мире 16 ГБ память DDR4

TeamGroup Inc. анонсировала свои новые наборы модулей памяти DDR4 2666 объёмом 64 ГБ (4х16 ГБ) для оверклокинга, что делает их самой ёмкой памятью в мире.

Этот новый продукт разделён на две параллельные серии, представленные в четырёх цветовых схемах.

Серия Team Dark использует специально сконструированный радиатор, который может обеспечить наилучшее охлаждение и превосходную производительность для оверклокеров. Модельный ряд Team Vulcan сохраняет размеры стандартного модуля, что делает его гарантированно совместимым с широким спектром материнских плат и предохраняет от несовместимости с большими кулерами процессора.

Кроме наборов DDR4 2666 64GB, TeamGroup также предлагает память того же типа в наборах общим объёмом 4, 8 или 16 ГБ. Все модули памяти оснащаются алюминиевыми радиаторами и построены на 8-слойных печатных платах.

О цене и доступности пока ничего не сообщается.

Transcend анонсирует серверную DDR4 память частотой 2133 МГц

Компания Transcend Information с гордостью представила три новых модуля памяти DDR4 серверного класса.

В их число вошли модели RDIMM объёмом 8 ГБ и 16 ГБ частотой 2133 МГц со скоростью передачи данных в 17 ГБ/с, а также сверхнизкопрофильные модули объёмом 16 ГБ.

В пресс-релизе производитель утверждает, что планки памяти полностью совместимы с семейством процессоров Intel Xeon E5-2600 v3. Также память может похвастать высокой ёмкостью, превосходной производительностью, сверхнизким энергопотреблением при напряжении питания 1,2 В, а также увеличенной надёжностью. Всё это делает представленные модули превосходным решением для облачных вычислений, виртуализации и высокопроизводительных вычислительных технологий.

Что касается, низкопрофильных модулей DDR4 VLP RDIMM, то они примечательны высотой планки всего в 2 см, что прекрасно подходит для применения в современных системах с ограниченным пространством, таких как блейд серверы. Благодаря же меньшему вертикальному размеру, эти модули не препятствуют движению воздуха внутри корпуса, упрощая и удешевляя систему охлаждения.

Все представленные модули DDR4 от Transcend обеспечены ограниченной пожизненной гарантией. О сроках начала продаж модулей пока не сообщается.

Samsung изготовила 8 Гб микросхемы DDR4

Компания Samsung Electronics объявила о том, что начала массовое производство наиболее совершенной DDR4 памяти в промышленности, объёмом 8 Гб, а также модулей объёмом 32 ГБ. Эти микросхемы будут изготавливаться по 20 нм технологии и нацелены на использование в корпоративных серверах.

Вместе с новым продуктом компания Samsung полностью охватила свой портфель памяти, который включает 4 Гб DDR3 для PC и 6 Гб LPDDR3 для мобильных устройств, 20 нм технологией. С производством 8 Гб чипов DDR4, компания начала изготавливать RDIMM модули памяти объёмом 32 ГБ, cкорость передачи данных которых составит 2400 мегабит в секунду, что примерно на 29% больше, по сравнению с серверной памятью DDR3, где скорость равна 1866 Мб/с.

Кроме 32 ГБ модулей новая разработка позволит компании выпускать планки максимальной ёмкости в 128 ГБ, применяя технологию TSV, которая ускорит расширение внедрение памяти высокой плотности. Также новая память имеет улучшенный механизм коррекции ошибок, который повысит надёжность обработки данных в корпоративных серверах.

В дополнение Samsung отметила, что новые модули работают на минимально возможном напряжении в 1,2 В.