Новости про оперативная память и сервер

При этом такие уменьшения размеров элементов не дают такого же эффекта, как для большинства полевых транзисторов, используемых для системной логики. Тем не менее, SK Hynix начала отправку партнёрам пятогого поколения своей памяти DRAM, с техпроцессом 1β. Целью этой отправки стала проверка работы новой памяти с системами крупнейших производителей. Что такое 1β? Это процесс, в котором размер элементов составляет 12 нм.

По информации корейской Chosun Media, в процессе верификации будет принимать участие Intel, которая уже завершила этот процесс для четвёртого поколения памяти 1α от той же SK Hynix. Процесс проходил на процессорах Xeon Scalable, а поскольку память 1β также предназначена для применения в серверах, стоит ожидать, что те же процессоры будут применены и для верификации новой памяти.

Память 1β DRAM покажет на 40% большую эффективность, однако касается это энергетической эффективности или какой-то ещё, не ясно.

Примечательно, что SK Hynix — это не единственная компания, которая выпускает память по технологии 1β. В декабре прошлого года Samsung также анонсировала технологию 1β для памяти DRAM, используя для производства процесс экстремальной ультрафиолетовой литографии.

Память Optane характерна низкими задержками, высокой скоростью, и может сохранять своё состояние даже после отключения питания. Всё это очень важно для серверов. Теперь, после многих лет ожидания, такая память стала доступной для заказа. Безусловно, если посмотреть на первый абзац, то покажется, что цена просто неимоверна. Однако традиционные планки для серверов стоят заметно дороже — 4300 долларов за 128 ГБ и 24 250 долларов за 256 ГБ версию. Таким образом OPM на 80—90% дешевле.

Для бытовых потребителей OPM совершенно не готова. К примеру, набор 8x32 ГБ DDR4 обойдётся в 1800 долларов, но это во много раз дешевле Optane. В общем, эта память нашла свою нишу на рынке.

Реально приобрести Intel OPM можно будет в июне. Стоимость одной планки памяти пока неизвестна, как неизвестна и производительность в различных условиях работы.

Разочаровывающие продажи смартфонов привели к большим накоплениям на складах. Поэтому спрос на мобильную DRAM был снижен на фоне падающих цен на ОЗУ.

На стоимость мобильной памяти также влияет цена на память для ПК, отмечает источник. Вместе со снижением памяти на PC DRAM, производители стали использовать своё оборудование для производства продукции для мобильной памяти.

Начиная с 2015 года, цена на оперативную память постоянно снижались, и сейчас чипы eTT DRAM объёмом 4 Гб стоят менее 2 долларов США. Причиной тому стал меньший, чем ожидалось, спрос, и большие объёмы поставок.

Источники также выразили пессимизм и касательно цен на память для серверов, а также для прочих нишевых рынков памяти.

В их число вошли модели RDIMM объёмом 8 ГБ и 16 ГБ частотой 2133 МГц со скоростью передачи данных в 17 ГБ/с, а также сверхнизкопрофильные модули объёмом 16 ГБ.

В пресс-релизе производитель утверждает, что планки памяти полностью совместимы с семейством процессоров Intel Xeon E5-2600 v3. Также память может похвастать высокой ёмкостью, превосходной производительностью, сверхнизким энергопотреблением при напряжении питания 1,2 В, а также увеличенной надёжностью. Всё это делает представленные модули превосходным решением для облачных вычислений, виртуализации и высокопроизводительных вычислительных технологий.

Что касается, низкопрофильных модулей DDR4 VLP RDIMM, то они примечательны высотой планки всего в 2 см, что прекрасно подходит для применения в современных системах с ограниченным пространством, таких как блейд серверы. Благодаря же меньшему вертикальному размеру, эти модули не препятствуют движению воздуха внутри корпуса, упрощая и удешевляя систему охлаждения.

Все представленные модули DDR4 от Transcend обеспечены ограниченной пожизненной гарантией. О сроках начала продаж модулей пока не сообщается.

Вместе с новым продуктом компания Samsung полностью охватила свой портфель памяти, который включает 4 Гб DDR3 для PC и 6 Гб LPDDR3 для мобильных устройств, 20 нм технологией. С производством 8 Гб чипов DDR4, компания начала изготавливать RDIMM модули памяти объёмом 32 ГБ, cкорость передачи данных которых составит 2400 мегабит в секунду, что примерно на 29% больше, по сравнению с серверной памятью DDR3, где скорость равна 1866 Мб/с.

Кроме 32 ГБ модулей новая разработка позволит компании выпускать планки максимальной ёмкости в 128 ГБ, применяя технологию TSV, которая ускорит расширение внедрение памяти высокой плотности. Также новая память имеет улучшенный механизм коррекции ошибок, который повысит надёжность обработки данных в корпоративных серверах.

В дополнение Samsung отметила, что новые модули работают на минимально возможном напряжении в 1,2 В.

Идея разработки довольно проста. В SanDisk решили, что необходимо поместить накопитель как можно ближе к CPU, в итоге была выпущена flash-память в форм-факторе DIMM модуля.

В результате задержки при записи на ULLtraDIMM составляют всего 5 микросекунд, что быстрее любых существующих накопителей, включая те, что используют шину PCIe. Новая память доступна в объёме 200 и 400 ГБ. Для её производства используется MLC NAND память, изготовленная по техпроцессу 10 нм класса.

Модули имеют скорость случайного чтения/записи на уровне 150/65 тысяч операций ввода-вывода, а скорость последовательного чтения/записи составляет 760 МБ/с, что на 50% превосходит большинство потребительских SSD.

Главным плюсом разработки является совместимость. Поскольку ULLtraDIMM используют форм-фактор DIMM их можно применять в существующих серверах и блейд системах. Конечно, эта технология ограничена лишь серверами, но кто знает, возможно в будущем мы увидим подобное решение и для домашних компьютеров.

Утверждая, что представленная память является «наиболее совершенной» в своём роде, высокопроизводительные и высокоплотные модули DDR4 используют техпроцесс производства 20 нм класса, в противовес традиционным модулям DRAM объёмом 8 ГБ, изготавливаемым с использованием процесса 30 нм класса.

Микросхемы DDR4 объёмом 4 Гб имеют скорость передачи данных на уровне 2667 Мб/с, что, по заявлению Samsung, на четверть быстрее DDR3 20 нм класса. Кроме того, новые чипы потребляют на 30% меньше энергии.

Компания Samsung последний раз обновляла свою линейку ОЗУ ещё в 2008 году, представив 2 Гб чипы DDR3, изготавливаемые по процессу 50 нм класса. По информации производителя, новая ОЗУ DDR4 ускорит производительность корпоративных серверов на системном уровне, снизив при этом общее энергопотребление.

Корейский гигант полагает, что ранняя рыночная доступность 4 Гб микросхем DDR4 поможет в продвижении 16 ГБ и 32 ГБ модулей памяти, в то же время позволив фирме «поддерживать спрос на совершенную память DDR4 при быстром расширении, увеличении масштабов ЦОД и для прочих применений в промышленных серверах».

Исполнительный вице-президент по продажам памяти Samsung Ёоун –Хьюн Чун заявил: «Принятие ультравысокоскоростной DDR4 в следующем поколении серверных систем в этом году позволит начать продвижение совершенной памяти премиум-класса среди всей промышленности».

Так, когда происходит сбой питания или детектируются прерывания операций ввода-вывода, ОЗУ автоматически сохраняет все данные на присоединенную флэш-память, исключая необходимость применения внешних источников бесперебойного питания для серверов повышенной надёжности, говорится в пресс-релизе компании.

Сами модули оперативной памяти состоят из микросхем DDR3 и имеют общий объем планок равный 2 ГБ, 4 ГБ или 8 ГБ.

Копирование всех данных из DRAM (включая коды коррекции ошибок) осуществляется на интегрированную NAND флэш. Операция восстановления данных запускается автоматически, когда хост сервер или RAID-массив снова включается, либо это может осуществляться по команде программного обеспечения.

Модули памяти ArxCis включают собственную встроенную цепь питания, которая обеспечивает энергией NAND накопитель через обычный DIMM интерфейс. По заявлению вице-президента по маркетингу компании Viking Адриана Проктора (Adrian Proctor) Долговечность работы встроенной конденсаторной батареи гарантирована производителем в течение 7 лет.

По заявлению Проктора, эти новые модули памяти являются весьма экологичными, поскольку «устраняют необходимость в батареях устройств резервирования и обеспечивают более стабильное, энергоэффективное и не требующее дополнительного обслуживания решение, чем сложившееся исторически».

Модули памяти ArxCis имеют длину 5,25”, ширину 1,18” при толщине 0,3”. По заявлению Проктора, цена на ло-энд модули объёмом 2 ГБ будет начинаться от 300 долларов США.