Новости про оперативная память и сервер

Intel Optane продаётся по 850 долларов за 128 ГБ

Энергонезависимая оперативная память Intel Optane доступна для приобретения по цене в 842 доллара за набор объёмом 128 ГБ и 2461 доллар за 256 ГБ набор. Это кажется много, но в мире серверов это заметно дешевле традиционной DDR-памяти.

Память Optane характерна низкими задержками, высокой скоростью, и может сохранять своё состояние даже после отключения питания. Всё это очень важно для серверов. Теперь, после многих лет ожидания, такая память стала доступной для заказа. Безусловно, если посмотреть на первый абзац, то покажется, что цена просто неимоверна. Однако традиционные планки для серверов стоят заметно дороже — 4300 долларов за 128 ГБ и 24 250 долларов за 256 ГБ версию. Таким образом OPM на 80—90% дешевле.

Память Intel Optane
Память Intel Optane

Для бытовых потребителей OPM совершенно не готова. К примеру, набор 8x32 ГБ DDR4 обойдётся в 1800 долларов, но это во много раз дешевле Optane. В общем, эта память нашла свою нишу на рынке.

Реально приобрести Intel OPM можно будет в июне. Стоимость одной планки памяти пока неизвестна, как неизвестна и производительность в различных условиях работы.

Цены на мобильную DRAM падают

Цены на мобильную память заметно снизились в связи с наполнением складов смартфонов. Такую информацию распространил DigiTimes со ссылкой на производителей DRAM.

Разочаровывающие продажи смартфонов привели к большим накоплениям на складах. Поэтому спрос на мобильную DRAM был снижен на фоне падающих цен на ОЗУ.

8 Гб модули LPDDR4

На стоимость мобильной памяти также влияет цена на память для ПК, отмечает источник. Вместе со снижением памяти на PC DRAM, производители стали использовать своё оборудование для производства продукции для мобильной памяти.

Начиная с 2015 года, цена на оперативную память постоянно снижались, и сейчас чипы eTT DRAM объёмом 4 Гб стоят менее 2 долларов США. Причиной тому стал меньший, чем ожидалось, спрос, и большие объёмы поставок.

Источники также выразили пессимизм и касательно цен на память для серверов, а также для прочих нишевых рынков памяти.

Transcend анонсирует серверную DDR4 память частотой 2133 МГц

Компания Transcend Information с гордостью представила три новых модуля памяти DDR4 серверного класса.

В их число вошли модели RDIMM объёмом 8 ГБ и 16 ГБ частотой 2133 МГц со скоростью передачи данных в 17 ГБ/с, а также сверхнизкопрофильные модули объёмом 16 ГБ.

В пресс-релизе производитель утверждает, что планки памяти полностью совместимы с семейством процессоров Intel Xeon E5-2600 v3. Также память может похвастать высокой ёмкостью, превосходной производительностью, сверхнизким энергопотреблением при напряжении питания 1,2 В, а также увеличенной надёжностью. Всё это делает представленные модули превосходным решением для облачных вычислений, виртуализации и высокопроизводительных вычислительных технологий.

Модули памяти RDIMM Transcend

Что касается, низкопрофильных модулей DDR4 VLP RDIMM, то они примечательны высотой планки всего в 2 см, что прекрасно подходит для применения в современных системах с ограниченным пространством, таких как блейд серверы. Благодаря же меньшему вертикальному размеру, эти модули не препятствуют движению воздуха внутри корпуса, упрощая и удешевляя систему охлаждения.

Все представленные модули DDR4 от Transcend обеспечены ограниченной пожизненной гарантией. О сроках начала продаж модулей пока не сообщается.

Samsung изготовила 8 Гб микросхемы DDR4

Компания Samsung Electronics объявила о том, что начала массовое производство наиболее совершенной DDR4 памяти в промышленности, объёмом 8 Гб, а также модулей объёмом 32 ГБ. Эти микросхемы будут изготавливаться по 20 нм технологии и нацелены на использование в корпоративных серверах.

Вместе с новым продуктом компания Samsung полностью охватила свой портфель памяти, который включает 4 Гб DDR3 для PC и 6 Гб LPDDR3 для мобильных устройств, 20 нм технологией. С производством 8 Гб чипов DDR4, компания начала изготавливать RDIMM модули памяти объёмом 32 ГБ, cкорость передачи данных которых составит 2400 мегабит в секунду, что примерно на 29% больше, по сравнению с серверной памятью DDR3, где скорость равна 1866 Мб/с.

32 ГБ модуль памяти DDR4 от Samsung

Кроме 32 ГБ модулей новая разработка позволит компании выпускать планки максимальной ёмкости в 128 ГБ, применяя технологию TSV, которая ускорит расширение внедрение памяти высокой плотности. Также новая память имеет улучшенный механизм коррекции ошибок, который повысит надёжность обработки данных в корпоративных серверах.

В дополнение Samsung отметила, что новые модули работают на минимально возможном напряжении в 1,2 В.

SanDisk анонсировала Flash DIMM

Компания SanDisk, совместно с Diablo Technologies, выпустила весьма любопытное устройство, названное ULLtraDIMM, которое предназначено для серверов и позволяет создать накопители с ультрамалым временем задержки.

Идея разработки довольно проста. В SanDisk решили, что необходимо поместить накопитель как можно ближе к CPU, в итоге была выпущена flash-память в форм-факторе DIMM модуля.

В результате задержки при записи на ULLtraDIMM составляют всего 5 микросекунд, что быстрее любых существующих накопителей, включая те, что используют шину PCIe. Новая память доступна в объёме 200 и 400 ГБ. Для её производства используется MLC NAND память, изготовленная по техпроцессу 10 нм класса.

SanDisk ULLtraDIMM

Модули имеют скорость случайного чтения/записи на уровне 150/65 тысяч операций ввода-вывода, а скорость последовательного чтения/записи составляет 760 МБ/с, что на 50% превосходит большинство потребительских SSD.

Главным плюсом разработки является совместимость. Поскольку ULLtraDIMM используют форм-фактор DIMM их можно применять в существующих серверах и блейд системах. Конечно, эта технология ограничена лишь серверами, но кто знает, возможно в будущем мы увидим подобное решение и для домашних компьютеров.

Samsung начала промышленное производство 20 нм памяти DDR4

Корейское подразделение Samsung, занимающееся производством микросхем, объявило о начале массового производства памяти DDR4 для корпоративных серверов и центров обработки данных.

Утверждая, что представленная память является «наиболее совершенной» в своём роде, высокопроизводительные и высокоплотные модули DDR4 используют техпроцесс производства 20 нм класса, в противовес традиционным модулям DRAM объёмом 8 ГБ, изготавливаемым с использованием процесса 30 нм класса.

Микросхемы DDR4 объёмом 4 Гб имеют скорость передачи данных на уровне 2667 Мб/с, что, по заявлению Samsung, на четверть быстрее DDR3 20 нм класса. Кроме того, новые чипы потребляют на 30% меньше энергии.

Модуль памяти Samsung DDR4

Компания Samsung последний раз обновляла свою линейку ОЗУ ещё в 2008 году, представив 2 Гб чипы DDR3, изготавливаемые по процессу 50 нм класса. По информации производителя, новая ОЗУ DDR4 ускорит производительность корпоративных серверов на системном уровне, снизив при этом общее энергопотребление.

Корейский гигант полагает, что ранняя рыночная доступность 4 Гб микросхем DDR4 поможет в продвижении 16 ГБ и 32 ГБ модулей памяти, в то же время позволив фирме «поддерживать спрос на совершенную память DDR4 при быстром расширении, увеличении масштабов ЦОД и для прочих применений в промышленных серверах».

Исполнительный вице-президент по продажам памяти Samsung Ёоун –Хьюн Чун заявил: «Принятие ультравысокоскоростной DDR4 в следующем поколении серверных систем в этом году позволит начать продвижение совершенной памяти премиум-класса среди всей промышленности».

Viking представили комбинацию DRAM и флэш-памяти

Вчера компания Viking Technology представила свою новую разработку — модули памяти ArxCis-NVTM, которые, по утверждениям разработчиков, могут автоматически определять прерывания ввода-вывода и производить резервное копирование данных на твердотельную NAND память в случае аварийной ситуации.

Так, когда происходит сбой питания или детектируются прерывания операций ввода-вывода, ОЗУ автоматически сохраняет все данные на присоединенную флэш-память, исключая необходимость применения внешних источников бесперебойного питания для серверов повышенной надёжности, говорится в пресс-релизе компании.

Сами модули оперативной памяти состоят из микросхем DDR3 и имеют общий объем планок равный 2 ГБ, 4 ГБ или 8 ГБ.

Копирование всех данных из DRAM (включая коды коррекции ошибок) осуществляется на интегрированную NAND флэш. Операция восстановления данных запускается автоматически, когда хост сервер или RAID-массив снова включается, либо это может осуществляться по команде программного обеспечения.

Модуль памяти ArxCis-NVTM

Модули памяти ArxCis включают собственную встроенную цепь питания, которая обеспечивает энергией NAND накопитель через обычный DIMM интерфейс. По заявлению вице-президента по маркетингу компании Viking Адриана Проктора (Adrian Proctor) Долговечность работы встроенной конденсаторной батареи гарантирована производителем в течение 7 лет.

По заявлению Проктора, эти новые модули памяти являются весьма экологичными, поскольку «устраняют необходимость в батареях устройств резервирования и обеспечивают более стабильное, энергоэффективное и не требующее дополнительного обслуживания решение, чем сложившееся исторически».

Модули памяти ArxCis имеют длину 5,25”, ширину 1,18” при толщине 0,3”. По заявлению Проктора, цена на ло-энд модули объёмом 2 ГБ будет начинаться от 300 долларов США.