Новости про накопители

Представлена базовая спецификация NVMe 1.4

NVM Express Inc. анонсирует базовую спецификацию NVM Express (NVMe) версии 1.4, а также представляет спецификацию NVMe over Fabrics (NVMe-oF) 1.1. Эти документы теперь вступают в 45-дневный цикл инспекции участниками проекта разработки.

Архитектура NVMe 1.4 обеспечивает быструю и более простую в масштабировании технологию. Архитектура NVMe-oF 1.1 улучшит волоконную коммуникацию и, по сути, обеспечит промышленную реализацию NVMe/TCP.

Логотип NVMe

Основные возможности NVMe 1.4:

  • Помощник перестройки упрощает восстановление данных и их миграцию.
  • Постоянный журнал событий обеспечивает надёжную историю сбоев и отладок в работе накопителя.
  • NVM Sets и IO Determinism улучшают производительность, изоляцию и QoS.
  • Многопоточность или Asymmetric Namespace Access (ANA) обеспечивает оптимальные и избыточные пути к именному пространству для высокой доступности и многоконтроллерной масштабируемости.
  • Буфер хост-памяти обеспечивает снижение задержек и сложности SSD.

Что касается NVMe-oF 1.1, то эта спецификация предлагает:

  • Поддержку транспортом TCP протокола NVMe-oF в нынешней TCP/IP инфраструктуре ЦОД.
  • Асинхронное открытие событий информирования хостов о дополнении или исключении целевых точек в независимом от волокна стиле.
  • Отключение очереди ввода-вывода обеспечивает лучшее управление ресурсами ввода-вывод.
  • Контроль потока от края до края (от команды до ответа) повышает параллельность.

NVM Express, Inc. должна детально представить спецификации NVMe 1.4 и NVMe-oF 1.1 в ходе конференции Flash Memory Summit в начале августа.

Micron выпускает первый SSD на контроллере собственной разработки

Компания Micron выпустила новый твердотельный накопитель с интерфейсом NVMe, который предлагается в объёме от 256 ГБ до 1 ТБ.

По сравнению с прошлыми SATA накопителями, новая модель предлагает заметный прирост производительности. Накопитель Micron 2200 изготовлен в формате M.2 и подключается по шине PCIe. В его основе лежит память 3D TLC NAND, собственный ASIC контроллер памяти и прошивка к нему.

Говоря о скорости можно отметить, что Micron 2200 при последовательном доступе обеспечивает скорость чтения на уровне 3 ГБ/с и записи на скорости 1,6 ГБ/с. При случайном доступе чтение осуществляется на скорости 240 000 IOPS, а записи — 210 000 IOPS. Поэтому разработчики рекомендуют использовать эти SSD для вещания видео или его редактирования.

Твердотельные накопители Micron

Для ускорения записи в накопителе применён высокопроизводительный кэш. Часто, для высокой скорости записи используют «кэш» на базе памяти SLC, хотя обычно это выделенная область памяти с доступом, как у SLC.

Кроме неплохой производительности новый накопитель обеспечивает самоуправление энергопотреблением, а температурный менеджмент хост-контроллера не позволяет перегреваться самому и нагревать окружающие компоненты платы.

Накопитель уже рассылается по магазинам, но, к сожалению, цена пока не называется.

В Windows 10 меняется политика безопасного извлечения USB накопителя

Нас всегда пугают, что внезапное извлечение USB-накопителя приведёт к потере записываемых данных или даже повреждению извлекаемого устройства. Но давайте признаем, что никому до этого нет дела, и крайне редко люди пользуются функцией «безопасного извлечения». И вот теперь, спустя два десятка лет, Microsoft меняет соответствующую политику.

Начиная с Windows версии 1809 можно удалять USB-накопитель любого типа без применения средства безопасного извлечения. По умолчанию в ОС применена политика «Лучшей производительности», которая кэширует операции записи на внешний накопитель. При использовании инструмента «безопасного извлечения» все кэшированные данные записываются на накопитель, после чего пользователь уведомляется о возможности отключения.

После обновления Windows 10 политика по умолчанию изменится на «Быстрое извлечение». Как говорит само имя, теперь накопитель можно вынуть из порта в любой момент, однако, это может немного замедлить его работу. Если же вы хотите сохранить режим кэширования, то вам придётся изменить политику вручную, правда, это придётся делать для каждого внешнего устройства.

Простая инструкция по смене политики приведена самой Microsoft.

Samsung создала терабайтный eUFS накопитель

Ровно год назад Samsung начала производство 512 ГБ встраиваемых модулей Universal Flash Storage.

Эти чипы нашли себе место в Galaxy Note 9, а сам телефон был назван первым «готовым к терабайту» мобильным устройством, имея ввиду возможность установки карты microSD такого же размера и объёма.

Микросхема флеш-памяти Samsung eUFS объёмом 1 ТБ

Однако уже в ближайшем будущем мы можем увидеть мобильные устройства со встроенным терабайтом памяти. Южнокорейский гигант Samsung объявил о разработке чипа формата UFS объёмом 1 ТБ. В нём «объединяются 16 слоёв наиболее совершенной 512-гигабитной стековой V-NAND памяти Samsung и свежеразработанный проприетарный контроллер». Новая микросхема демонстрирует не только лучшую ёмкость, но и высокую скорость. Так, в Samsung обещают скорость последовательного чтения на уровне до 1000 МБ/с и до 260 МБ/с при записи.

Появится ли эта микросхема в топовых смартфонах Samsung этого года — вопрос открытый. Но учитывая важность конкурентной борьбы и прошлый опыт, этого можно ожидать.

Greenliant выпускает промышленные SSD с долговечностью 250 000 циклов

Компания Greenliant представила миру новый класс твердотельных накопителей с высочайшей выносливостью, которая может достигать 250 000 циклов записи/очистки.

Построены накопители на памяти типа SLC, а вся линейка продуктов получила имя EnduroSLC. В ней предлагаются накопители с гарантированной наработкой в 50 000, 100 000 и 250 000 циклов перезаписи.

Для достижения таких результатов разработчики использовали совершенные алгоритмы управления NAND памятью и код коррекции ошибок.

SSD накопители Greenliant EnduroSLC высокой долговечности

Эти SSD предназначаются для промышленного применения в областях, где требуется высокая надёжность и происходит обмен большим объёмом данных. Также они обеспечивают работу при высокой температуре. К таким отраслям разработчики отнесли авиацию, железнодорожный транспорт, морское оборудование, сейсмические инструменты, средства журналирования, базовые станции и системы управления автоматизацией производства.

Накопители Greenliant EnduroSLC предлагаются в пакете eMMC 5.1. Цена формируется индивидуально.

SMART Modular выпускает ускоритель памяти nvNITRO

Компания SMART Modular анонсировала начало поставок карт nvNITRO Accelerator Card, которые основаны на технологии MRAM.

Память MRAM имеет побайтную адресацию и характеризуется крайне низкими задержками, резко повышая производительность во множестве отраслей. Плата nvNITRO Accelerator Card использует эту прорывную технологию в отраслях, где скорость доступа к данным является критической. К примеру, в финансовых системах nvNITRO позволяет снизить задержки доступа к данным на 90%, по сравнению с SSD корпоративного класса. Именно поэтому представленная плата нацелена на финансовый сектор.

SMART nvNITRO Accelerator Card

Карта nvNITRO позволяет системному приложению записывать или протоколировать большие объёмы на полной скорости приходящих данных и обеспечивает предельно низкие задержки менее 10 микросекунд. Это позволяет клиентам использовать одну карту nvNITRO в качестве фронтэнд кэша, объединённого с менее дорогим бэкэнд накопителем, обеспечивая высокоэффективное решение для журналирования информации и доступа к терабайтам данных на очень высокой скорости без риска потерь информации. В плате нет ни суперконденсаторов, ни источников бесперебойного питания, ни батарей, поскольку в ней используется безопасная при сбоях постоянная память STT-MRAM.

В настоящее время плата nvNITRO Accelerator Card доступна в формате HHHL (половина длины половина высоты) PCIe Gen3. Она поддерживает NVM Express 1.2.1, однако её объём составляет лишь 1 ГБ. Карта обеспечивает доступ к данным (блоками 4K как при чтении, так и при записи) на скорости 1,5 миллиона IOPS с задержками порядка 6 мкс.

Первые образцы плат nvNITRO Accelerator Card уже можно заказать у производителя.

Представлена спецификация UFS 3.0

Ассоциация JEDEC опубликовала новый стандарт Universal Flash Storage (UFS) версии 3.0, который обещает удвоение пропускной способности и меньшее энергопотребление.

Накопители UFS 3.0 в скором времени найдут себе применение в хромобуках, устройствах виртуальной реальности и автомобилях. По сравнению с UFS 2.1 новый формат обеспечивает удвоение производительности до 11,6 Гб/с на линию, а пиковая пропускная способность возрастёт до 23,2 Гб/с.

Новый накопитель также включает поддержку режима питания 2,5 В VCC, что снижает энергопотребление и обеспечивает поддержку самых свежих типов NAND памяти.

Также спецификация UFS 3.0 включает две вещи, специфичные для автомобильного рынка — поддержка широко температурного диапазона работы (от -40° С до +105° С) и возможность обновления для повышения ремонтопригодности.

Кроме нового стандарта UFS JEDEC также представила и обновление UFS Card Extension, однако кроме общих фраз об улучшении эффективности и производительности, никакой информации не сообщалось.

Кто и когда будет использовать новый формат памяти, пока неизвестно, но по слухам, первой станет Samsung.

Учёные IBM разместили 330 ТБ данных на магнитной ленте

Ученые из компании IBM смогли разместить 330 ТБ несжатых данных на плёночном картридже, который умещается на ладони.

Данный технологический рекорд означает возможность записи 201 Гб информации на квадратный дюйм магнитной плёнки. Данная плёнка обеспечивает в 20 раз большую ёмкость хранимых данных, по сравнению с обычным коммерческим решением.

Создана она была компанией Sony Storage Media Solutions, однако для этого использовались новые разработки IBM, позволившие резко повысить плотность записи.

«Плёнка традиционно использовалась для видеоархивов, файлов резервного копирования, копий восстановления на случай аварий и сохранения информации в исходном состоянии, однако промышленность также расширилась на неисходные состояния в облаке», — заявил представитель IBM Эванджелос Элефтериу. «И хотя напылённая плёнка ожидаемо будет стоить немного дороже в производстве, чем нынешние коммерческие плёнки, потенциал очень высокой ёмкости сделает стоимость терабайта привлекательным, делая данную технологию применимой для холодных накопителей в облаке».

IBM Achieves the World’s Highest Areal Recording Density for Magnetic Tape Storage

Silicon Power выпускает флешку с 3 интерфейсами

Компания Silicon Power представила новое универсальное решение — USB накопитель с тремя различными разъёмами, который получил название Mobile C50.

Как сказано выше, Mobile C50 имеет три интерфейса: USB Type-A, Micro-B и Type-C. Такой подход позволил компании представить универсальное решение, позволяющее использовать накопитель с устройствами любого типа, будь то обычный компьютер, мобильный телефон или современные гаджет с USB Type-C.

Вся флешка покрыта надёжной защитой от попадания влаги и пыли. Разъём типа C закрыт высокоэластичным резиновым колпаком, который протестирован на открывание 10 000 раз. Кроме того, он объединён с самим накопителем, так что не стоит беспокоиться о возможной потере. С другого конца устройства расположился разъём USB Micro-B, который надёжно защищён USB портом. Накопитель устроен так, что его подключение и отключение проходит плавно и без усилий, а прикреплённое кольцо облегчает транспортировку вместе с ключами.

Накопитель SP Mobile C50 3-in-1 поставляется в объёмах 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ, имеет размеры 41,2х20х14,4 мм и весит 5,2 грамма. Его порты работают по интерфейсам USB Type-A (USB3.1 Gen 1), Micro-B (USB2.0), Type-C (USB3.1 Gen 1). Вместе с накопителем производитель предлагает фирменные файловые менеджеры и средство восстановления удалённых файлов. Гарантия на флешку составляет 5 лет, о цене, к сожалению, ничего не сообщается.

Viking Technology начала поставку SSD объёмом 50 ТБ

Многие небезосновательно считают, что для хранения больших объёмов данных годится только магнитный жёсткий диск, однако компания Viking Technology решила разрушить этот стереотип, выпустив SSD гигантского объёма в стандартном форм-факторе.

Компания начала продажи серии UHC (Ultra High Capacity) накопителей Silo, в котором применена память MLC NAND от SK Hynix. Накопители объёмом 25 ТБ и 50 ТБ работают по интерфейсу 6 ГБ/с SAS и обеспечивает скорость последовательного чтения в 500 МБ/с, а записи — 350 МБ/с. При случайных операциях скорость может достигать 15 000 IOPS при записи и 60 000 IOPS при чтении.

Такая скорость может показаться недостаточной, но не стоит забывать, что это продукт, предназначенный для корпоративного рынка, где больше ценятся надёжность и малогабаритность.

К сожалению (или к счастью), цена на накопитель не раскрывается. Но если вам вдруг понадобится очень ёмкий накопитель, вы знаете, где его искать.