Новости про микросхемы

Новый спикер предназначен для применения в закрытых «наушниках-затычках», включая наушники TWS. Montara — это также первый в мире микроспикер, позволяющий создать наушники с влагопылезащитой уровня IP-57. Потребители таких наушники смогут ощутить все преимущества новой звуковой системы благодаря её точности передачи звука, чистоте и детализации инструментов, сверхнизким задержкам, влагозащите и большему времени автономной работы.

Джозеф Джян — исполнительный директор xMEMS заявил: «До настоящего времени промышленность полагалась на антикварную технологию вековой давности с многокомпонентными катушечными спикерами, которые требуют трудозатратных и многопрофильных линий сборки. Наш революционный продукт Montara меняет эту ситуацию, предлагая новую комбинацию звуковой точности, размера, энергопотребления и унификации, недоступных с подходом традиционных катушек».

Продукт Montara затмил ранние гибридные MEMS-спикеры, предложив целый спикер (актуатор и диафрагму) в кремнии, уменьшив толщину пакета и исключив необходимость калибровки драйвера и обеспечив повторяемость.

При этом TSMC продолжает работать на перспективу, финансируя исследования 2 нм технологии. Сообщается, что компания вложила 16 миллиардов долларов в эти исследования.

Ожидая начать массовое производство по 3 нм процессу в начале 2022 года, компания активно готовит и следующий этап. Для этого она приобрела большое количество крайне дорогих машин для экстремальной ультрафиолетовой литографии. И эти инвестиции не будут отбиты в текущем году.

Сейчас 2 нм находится на этапе разработки. Но в столь тонких технологиях, очень сложно делать прогнозы готовности, а потому, сроки массового применения новой технологии пока не называются. Яркий пример тому — Intel, которая до сих пор не может полноценно перейти на 10 нм процесс.

По своей сути эта технология станет переходной между N3 и N5. Марк Лиу, глава компании, официально сообщил, что процесс «N4 станет эволюцией N5».

Целью выпуска технологии N4 является дальнейшее улучшение процесса N5P. Этот план похож на решение N6, который TSMC предложила в качестве усовершенствования N7P. Таким образом, эти переходные технологии предлагают улучшенные версии, обеспечивая более высокую производительность выпущенных процессоров и меньшее энергопотребление, а переход на новую технологию происходит с минимальными затратами.

Согласно планам TSMC, техпроцесс N5 будет применяться с IV квартала 2020 года, N5P будет запущен в 2022 году, а N4 будет массово доступен в 2023 году. Опытное производство по нормам N3 стоит ожидать в первой половине следующего года.

Эта разработка является важнейшим звеном технологии, которая позволит заменить поток электронов в кремниевом микропроцессоре световым потоком, исключив электрическое сопротивление и избавившись от тепла, выделяемого из-за него.

Современные процессоры ограничены теплом, которое они выделят «по причине сопротивления, оказываемого на электрон при его прохождении по медным проводникам, связывающим транзисторы в чипе». Фотоника решает эту проблему, поскольку фотоны не получают сопротивления при своём движении. Главным преимуществом фотоники является не столько отсутствие тепловыделения, а то, что они позволят улучшить коммуникацию внутри чипов и между чипами в 1000 раз.

Исследователи отметили, что их достижение стало результатом кропотливой работы, длившейся 50 лет. Вместе с коллегами из университетов Йены, Линца и Мюнхена они объединили кремний и германий в гексагональные структуры, способные излучать свет. Ключевой техникой для этого стало использование гексагональных шаблонов и применение чистейших кристаллов, из доступных на сегодня. Благодаря этим структурам сплав «излучает свет крайне эффективно», — говорится в отчёте, опубликованном в журнале Nature.

Если дальнейшие работы будут идти по плану, то уже к концу этого года мы увидим работу первого кремниевого лазера.

Рынок памяти в 2019 году составлял 26,7%. Эндрю Норвуд, вице-президент Gartner, отметил, что его годовой спад составил 31,5%. В этой категории снижение прибыли от DRAM составило 37,5%, что было вызвано глобальным перепроизводством. Это привело к снижению рыночной цены вдвое, что порадовало потребителей и расстроило производителей.

Рынок NAND потерял не настолько много, поскольку здесь прибыль упала лишь на 23,1%. В результате Samsung, занимавшая первую позицию в рейтинге производителей микросхем в 2017 и 2018 годах, в 2019 году не смогла сохранить лидерство, поскольку большая доля её поступлений приходится именно на микросхемы памяти. Новым старым лидером стала Intel. На 3, 4 и 5 местах расположились SK Hynix, Micron Technology и Broadcom.

Чтобы достичь этой цели, компании нужно уже сегодня прикладывать все усилия. И у корейского гиганта уже есть первые результаты. Она представила прототипы первой 3 нм структуры за пределами FinFET, которые она назвала GAAFET. По ожиданиям компании, 3 нм процесс GAAFET предложит 35% увеличение плотности, 50% снижение энергопотребления и 35% прирост производительности, по сравнению с 5 нм процессом.

Компания сообщает, что 3 нм процесс GAAFET будет готов к массовому производству уже в 2021 году, весьма амбициозно. Если Samsung это удастся, то она сможет предложить более совершенный процесс производства, чем TSMC, уже в следующем году.

Технология GAAFET является эволюцией применяемой сейчас технологи FinFET. Она предлагает использовать конструкции с четырьмя затворами, которые окружают каналы транзистора и снижают токи утечки. Именно поэтому технология называется Gate-All-Around, с окружающим транзистором.

Недавно она сообщала, что качество производства новых микросхем отличное, и что уже в первой половине 2020 года нас ждёт массовое производство процессоров по 5 нм нормам.

Теперь же компания сообщила, что рисковое производство микросхем SRAM по 5 нм нормам достигает 80% качества. Безусловно, это очень маленькие микросхемы. Полноразмерные микропроцессоры намного крупнее, а потому выход годной продукции будет намного ниже. Сайт AnandTech подсчитал, что при производстве микросхем площадью 100 мм2, выпуск годной продукции будет находиться на уровне 32%, что весьма неплохо, поскольку 5 нм технология находится лишь в середине рискового производства.

Эта технология будет использовать пятое поколение FinFET, а также EUV с более чем десятью слоями. Процесс N5 унаследует все правила конструирования из технологии TSMC N7, так что клиентам будет несложно провести миграцию.

Система Cerebras CS-1 предназначена для искусственного интеллекта, а именно для его разработчиков. Компания Cerebras получила мировую известность за свой самый крупный в мире чип. В августе она анонсировала новый процессор, а теперь он готов к коммерческой эксплуатации. Новый чип умещается в компьютере высотой 66 см. Этот процессор содержит 400 000 ядер и поразительные 1,2 триллиона транзисторов.

Данный процессор получит название Wafer Scale Engine (WSE). Также он содержит 18 ГБ встроенной памяти SRAM, а его внутренняя шина развивает скорость 1 ПБ/с (да-да, петабайт). Представленный чип WSE — просто гигантский. Достаточно посмотреть на фотографию, где он лежит рядом с клавиатурой.

Основатель Cerebras Systems Эндрю Фельдман пояснил: «CS-1 является самым быстрым в индустрии компьютером для ИИ, и поскольку его легко установить, принести и интегрировать в существующую модель ИИ в TensorFlow и PyTorch, он даст результаты в первый день эксплуатации. В зависимости от нагрузки, CS-1 обеспечивает ускорение производительности в сотни или тысячи раз по сравнению с наследными альтернативами, занимая лишь одну десятую долю пространства».

Новая микросхема Stratix 10 GX 10M изготовлена по 14 нм технологии и содержит 43,3 миллиарда транзисторов. Этот чип построен на двух больших ядрах площадью 1400 мм² и четырёх трансиверах, что означает транзисторную плотность порядка 31 МТр/мм².

Для соединения ядер в Intel применили технологию пакетирования EMIB 2.5D, которая предоставляет высокоскоростной мост между двумя ядрами, занимая небольшое пространство. Шина данных EMIB содержит 25 920 коннекторов. Каждый из них имеет пропускную способность 2 Гб/с, что позволяет развить скорость между ядрами равную 6,5 ТБ/с.

Фактически, Intel впервые использовала EMIB для связи двух больших логических ядер. Раньше эта шина применялась для соединения памяти HBM и GPU Vega в процессорах Kaby Lake-G, а также для связи памяти HBM и трансиверов в других моделях Stratix 10.

Модельный ряд микросхем c программируемой матрицей Stratix 10 доступен с 2017 года, но когда можно будет заказать модель 10M пока не сообщается.

Ассоциация полупроводниковой промышленности (Semiconductor Industry Association — SIA) установила, что в августе 2019 года продажи составили 34,2 миллиарда долларов США, что на 15,9% ниже, чем год назад, но на 2,5% выше, чем в июле.

«Несмотря на то, что общемировые продажи полупроводников остаются заметно позади достижений 2018 года, месячные изменения продаж растут 2 месяца подряд, впервые за ближайший год», — заявил Джон Нюффер, президент и исполнительный директор SIA. «Продажи на американский рынок смешаны, с заметным спадом от года к году, но ростом от месяца к месяцу, большим, чем в любом другом регионе».

Так, в Америке (Северной и Южной) зафиксирован рост продаж полупроводников на 4,1%; в Азии и Тихоокеанском регионе — 1,8%; в Китае и Японии — 1,1%. При этом в Европе наблюдается сокращение на 0,8%. По отношению к прошлому году, продажи снизились: в Европе на 8,6%, в Азии и Тихоокеанском регионе — на 9,2%, в Японии — на 11,5%, в Китае — на 15,7%, а в Америках — на 28,8%.