Новости про аналитика, оперативная память и производство

Samsung увеличивает производство 25 нм DRAM

Компания Samsung Electronics увеличивает объёмы производства DRAM памяти по 25 нм технологическому процессу, с целью ужесточения противостояния Micron Technology и SK Hynix. Такую информацию распространил ресурс DigiTimes ссылаясь на обозревателей отрасли.

Ожидается, что Micron переведёт своё производство памяти на 20 нм процесс уже к концу текущего года, отмечают источники. Сейчас же фирма изготавливает большую часть своих микросхем памяти используя для этого заводы с процессом 30 нм.

Однако завод Micron в японской Хиросиме был модернизирован и теперь изготавливает чипы с размером элементов 25 нм. Завод в Хиросиме, по сути, работает с 12” пластинами и принадлежит японской Elpida Memory. Этот завод специально предназначен для производства микросхем DRAM.

Завод Micron в Хиросиме, равно как и тайваньская Inotera Memories, являются дочерними производствами Micron, и оба этих производителя должны перевести своё производство на 20 нм нормы к концу 2014 года, отмечают обозреватели.

Что касается китайского завода DRAM SK Hynix, то его процесс перехода на новые технологии был приостановлен в связи с пожаром, который произошёл на заводе осенью прошлого года, отмечает источник. Сейчас основным техпроцессом производства DRAM для SK Hynix остаётся 29 нм, а значит, у Samsung есть все шансы усилить свои позиции на рынке.

Цены на NAND память снизятся

В четвёртом квартале 2013 года цены на память NAND снизятся, несмотря на имеющийся спад общемировых поставок.

По сведениям промышленных источников, мировые поставки NAND флэш-памяти снизятся по той причине, что производители чипов задействовали свои мощности для производства DRAM продуктов. Тем не менее, спрос на конечном рынке на NAND память падает быстрее, чем снижаются объёмы поставок.

Производители чипов, включая Samsung Electronics, ранее в этом месяце сообщили о переводе своих NAND производств на выпуск микросхем DRAM, поскольку мировые поставки DRAM памяти упали вследствие пожара на заводе SK Hynix. Источник отмечает, что снижение поставок NAND памяти поможет смягчить финансовый удар, вызванный традиционным снижением поставок бытовой электроники в четвёртом квартале.

Тем не менее, конечный рынок NAND флэш оказался слабее, чем ожидалось ранее. Продажи хай-энд смартфонов по-прежнему разочаровывающие, что уменьшает общий спрос на твердотельную память.

Говоря о 2014 годе, аналитики ожидают дальнейшие трудности на этом рынке вызванные перепроизводством, особенно учитывая планы по запуску в следующем году новых производств.

Hynix может восстановиться через две недели

Как известно, завод по производству памяти Hynix, расположенный в китайском городе Уси, на прошлой неделе пострадал от взрыва и последовавшего за ним пожара, однако по последним данным, завод может полностью восстановить производство через 2—3 недели.

И хотя завод обволакивал густой дым, после детального анализа выяснилось, что производство сильно не пострадало. Вначале существовали опасения того, что завод может остановиться на месяц или больше, в результате цены на память на мировом рынке резко подскочили вверх, поскольку завод производил 15% всей DRAM памяти в мире.

Сейчас же сайт Fudzilla, ссылаясь на своих информаторов, уверяет: «Работа по всей видимости возобновиться скоро… возможно в течение двух или трёх недель, или даже раньше, но это всё ещё ранние оценки и более ясная картина откроется на следующей неделе».

Сейчас всё выглядит так, что в случившейся аварии было больше дыма, чем огня, разрушения оказались минимальными и потери в производстве пластин крайне малы, поскольку пожар по большей части бушевал в зоне вентиляции и главные производственные мощности, включая чистые помещения, не были задеты.

Сообщается, что компания Hynix имеет на своих складах готовой продукции запасы, достаточные для бесперебойной отгрузки продукции в течение 2—3 недель, и если за это время завод полностью восстановится и быстро выйдет на проектные производственные мощности, то рынок даже не заметит произошедшей аварии.

На заводе памяти Hynix произошёл взрыв

В первую очередь хочется надеяться, что в результате инцидента никто не пострадал. По крайней мере первые сообщения ничего не говорят о жертвах.

Сообщается, что на китайском заводе Hynix в Уси произошёл пожар, который стал следствием мощного взрыва химикатов. Уже сейчас цены на память подскочили на 10%.

По информации Kitguru, пострадавший завод выпускал память GDDR5, которая предназначалась для видеокарт NVIDIA, а значит произошедшая катастрофа заметно повлияет на мировые цены на память, а также на продукты, выпускаемые под брендом NVIDIA и наверняка опустошит складские запасы производителей видеокарт.

На территории, где бушевал пожар, Hynix изготавливала 30% от мирового объёма памяти, и теперь она потеряет половину своего производства, а значит, мировое производство чипов памяти снизится на 15%.

Сейчас компания занята выяснением есть ли пострадавшие, а также проводит расследование причин возникновения пожара. Об этом заявил в телефонном интервью Сон Хее Ёоун, представитель Icheon, южнокорейского филиала Hynix. Огонь, вспыхнувший в 15:50 по местному времени в ходе монтажа оборудования был погашен к 17:20, сообщает источник.

Цена на DDR3 будет расти

Мы все привыкли к низким ценам на оперативную память, что не может не радовать нас, конечных покупателей, но сильно огорчает производителей, доводя их буквально до банкротства.

Но теперь, по мнению аналитиков DigiTimes, цена на DDR3 пойдёт вверх. В попытках создать дефицит производители ОЗУ давно снижают объёмы производства DDR3, переводя мощности на выпуск памяти для серверных систем и растущего мобильного рынка. В начале января 4 ГБ модули DDR3 на контрактном рынке продаются по цене от 17 до 17,5 долларов за штуку.

Однако комбинация различных факторов, включая снижение объемов производства памяти для PC и переход на производство мобильных чипов, к концу января позволила повысить цены на оперативную память на 10%. При этом тенденция роста сохранится и на февраль благодаря усилиям поставщиков, отмечает источник.

Эксперты отмечают, что данный рост цен наконец-то позволит производителям чипов «перекрасить» свои бухгалтерские отчёты из красного в чёрный, поскольку новая цена должна обеспечить прибыльность производства DDR3 в 2013 году.

Мобильная RAM составит 30% мирового производства памяти

Доля мобильной ОЗУ в мировом производстве чипов памяти в 2013 году будет расти и составит 30% от общего объёма оперативной памяти, что заметно больше 21% в прошлом году.

Такую информацию распространил ресурс DigiTimes, ссылаясь на промышленные источники.

Эти прогнозы не могут вызывать удивления, поскольку рынок смартфонов и планшетов переживает активный рост, в то время как настольные ПК продаются всё хуже и хуже.  Особенно, по мнению источников, за рост потребления мобильных чипов RAM будут отвечать растущие мировые продажи смартфонов, которые, как ожидается, в 2013 году составят более миллиарда устройств. При этом каждый из этих смартфонов получит в среднем от 1 до 2 ГБ памяти.

Такие фирмы как Samsung Electronics и SK Hynix перешли в сектор мобильной памяти намного раньше конкурентов, благодаря чему эти поставщики теперь занимают 70% рынка, отмечает источник.

Цены на DRAM снова упадут

Сайт Digitimes, ссылаясь на производителей ОЗУ, сообщает, что OEM сборщики ПК имеют на собственных складах трёхмесячный запас DRAM, вызванный слабыми продажами ПК в преддверии выхода Windows 8.

При этом некоторые сборщики, дела у которых идут совсем плохо, уже имеют на своих складах практически полугодовой запас планок оперативной памяти, отмечает источник. Спрос на рынке ПК сейчас весьма слабый, что нехарактерно для третьего квартала, ведь сейчас как раз идёт подготовка к учебному году.

Выход  Windows 8 в конце октября, безусловно, несколько улучшит ситуацию, так что OEM сборщики получат возможность использовать свои запасы, разгрузив склады.

Обычно, OEM сборщики ПК перед третьим кварталом пиковых продаж всегда пополняют свои запасы. Свою роль в росте запасов сыграло и банкротство Elpida. Многие OEM сборщики просто побоялись, что компания прекратит производство из-за нехватки средств и не сможет выполнить свои контрактные обязательства по поставкам.

Вместе с ростом запасов, цена на DRAM память в третьем квартале продолжит снижаться, отмечает источник. Лишь в августе контрактная цена на DRAM память упадёт на 10%. На фоне этого некоторые производители памяти продолжили снижение объёмов производства, стараясь искусственно создать дефицит. Сообщается, что Elpida и Rexchip Electronics уменьшили своё производство на 25—30%. Другие гиганты рынка, такие как Samsung Electronics и SK Hynix не снижали производство, а просто перенаправили продукцию не на рынок персональных компьютеров.

Micron представили первый модуль памяти DDR4

В настоящее время члены JEDEC приводят множество аргументов при обсуждении времени выпуска памяти стандарта DDR4. Одни считают, что это должно произойти уже в следующем году, другие предлагают повременить ещё два года, а между тем, Micron начали выпуск первых опытных модулей памяти DDR4, работающих на частоте 2400 МГц.

Сообщается, что компания уже начала поставки первых инженерных образцов «полнофункциональных модулей DDR4 DRAM» в форм-факторе DIMM своим основным клиентам. Это означает, что Micron будет готов к массовому производству нового типа памяти уже в 2013 году.

Основным преимуществом DDR4 является снижение энергопотребления при повышении производительности, по сравнению с памятью современного стандарта. Представленный образец был разработан в сотрудничестве с тайваньской компанией Nanya (входящей в конгломерат Formosa Plastics) с использованием 30 нм технологического процесса Micron.

Восемь четырёхгигабитных (512 МБ) чипов DDR4 в одном модуле обещают увеличить плотность памяти до 8 ГБ на один DIMM модуль, таким образом, мейнстрим системы смогут иметь объём ОЗУ равный 32 ГБ, а топовые, в будущем — до 128 ГБ. Micron использует чипы с 8-ю, 16-ю и 32-я ножками, сами же чипы способны производить от 2,4 до 3,2 млрд. переключений в секунду. Это значит, что в ближайшее время компания представит модули с эффективной частотой 3,2 ГГц.

Главный игрок рынка вычислений, компания Intel, не планирует переход на память DDR4 ранее 2014 года. Первым чипом, который будет поддерживать память этого типа, будет серверный Haswell-EX. Настольные же ПК должны получить поддержку DDR4 только в 2015 году вместе с Broadwell, 14 нм версией Haswell.

Казалось бы, что если такая компания как Intel не заинтересована в продвижении стандарта, то Micron зря так рано начали работу над этим проектом. Но к счастью для производителей памяти, такие компании как AMD, NVIDIA, Qualcomm и TI не разделяют мнение гиганта и могут начать поддержку DDR4 уже в 2013 году.

Мировое перепроизводство DRAM уменьшится до 13%

В настоящее время перепроизводство чипов оперативной памяти составляет 17% от текущих потребностей. Однако в следующем году ситуация немного улучшиться. Так, по мнению Тайваньских производителей чипов, перепроизводство в первой половине 2012 года составит 13%.

Суммарное производство чипов памяти в Тайване было за месяц уменьшено с 450 000 пластин в ноябре до 250 000 в декабре. Общемировое же производство DRAM упало до примерно миллиона кремниевых пластин, что на треть меньше, чем производилось в рекордном 2008 году. Однако не все производители пошли по этому пути.

К примеру, такие гиганты индустрии, как Samsung Electronics и Hynix Semiconductor не сократили собственные производства, отмечают источники.

По информации iSuppli, в третьем квартале уходящего года Samsung установила рекорд мировых поставок ОЗУ, заняв 45% рынка. Вслед за корейским гигантом расположились Hynix с 21,5%, Elpida и Micron с 12,1% рынка каждая.

Несмотря на значительное снижение объёмов производства, контрактные цены на ОЗУ продолжили постепенное снижении и в декабре. Так, 2 ГБ модули DDR3 подешевели на 3% до 9,25 доллара США, а 4 ГБ планки показали в два раза большую динамику. Упав на 6% за модуль, новая цена на них составила 16,50 долларов.