SK Hynix представляет концепцию 4D памяти
Трёхмерная память NAND произвела революцию в накопителях. Третье, высотное измерение, позволило набирать слои NAND памяти, увеличивая объём в десятки раз и открыв путь высокоёмким потребительским SSD.
Однако в SK Hynix считают, что могут ещё улучшить этот процесс благодаря четырёхмерным NAND пакетам. Речь не идёт об искривлении пространства-времени. Разработчики предлагают производить обычные 3D структуры, связывая слои NAND. Четвёртое измерение будет касаться расположения самих ячеек памяти.
В современной NAND памяти ячейки, хранящие заряд, располагаются вдоль периферийного блока, который отвечает за запись каждой ячейки. 4D NAND предполагает размещение этих ячеек в несколько слоёв, сокращая пространство для хранения данных.
Размещая ячейки в стеках, SK Hynix планирует связывать их с периферийным блоком проводниками. Таким образом, в каждом слое стека 3D NAND будет храниться большее число ячеек, а конечный накопитель будет иметь большую ёмкость при тех же габаритах. Стек V5 от SK Hynix предполагает размещение друг над другом четырёх ячеек памяти и одной периферийного блока.
Первая реализация памяти 4D NAND выполнена в 96-слойном чипе памяти TLC объёмом 512 Гб. При этом технология готова и для QLC. Опытное производство этого чипа объёмом 512 Гб начнётся к концу текущего года. На следующий же год разработчики планируют выпустить чипы объёмом 1 Тб.