В 2021 году NAND память будет иметь более 140 слоёв

Сейчас самая технологичная память представлена стеками по 64 слоя, однако в ближайшие годы этот процесс получит значительные усовершенствования.

По информации Applied Materials, к 2021 году стек памяти NAND будет представлен 140 слоями, и даже больше. Компания Applied Materials, расположенная в США, занимается поставкой оборудования, сервисом и ПО для производителей полупроводниковых чипов. Она уверяет, что слоёв будет не только больше, но они станут тоньше. Так, сейчас толщина всех стеков составляет 55 нм, а к 2021 году она составит 45 нм.

Дорожная карта 3D NAND от Applied Materials
Дорожная карта 3D NAND от Applied Materials

Сейчас Toshiba и Western Digital работают над 96-слойной памятью BiCS 3D NAND. Её опытное производство начнётся в течение года. 5-е поколение 3D NAND от Samsung также будет иметь 96 слоёв. В 2020 году память будет иметь по 120 слоёв, а к 2021 — 140. Но поскольку их число кратно восьми, то стоит говорить о 128 и 144 слоях.

В дорожной карте Applied Material ничего не говорится об их возможном объёме, однако ранее Samsung анонсировала разработку чипа объёмом 1 терабит. Сейчас 64-слойные чипы уже имеют объём 512 гигабит.