Новости за 27 февраля

Представлены спецификации PCI-e 6.0

Шина связи PCI-e 4.0 появилась лишь в прошлом году и пока доступна только на процессорах AMD Ryzen 3000. Следующая версия стандарта, PCI-e 5.0, хотя уже и объявлена, но пока нет ни одного устройства на его основе. Однако уже в октябре нас ожидается публикация следующей, 6-й версии этой шины.

Все предыдущие поколения PCI-e получали удвоение пропускной способности. Эта тенденция сохранится и в будущем, а потому PCI-e 6.0 получит скорость в 64 ГТ/с на каждую линию.

Слот PCI-Express

Как видно на графике, передача данных будет осуществляться на скорости в 8 ГБ/с для каждой линии. Это значит, что полноценный 16-линейный слот позволит передавать данные на скорости в 128 ГБ/с. Если эта спецификация будет принята для потребительских компьютеров, это может означать конец эпохи полноразмерных слотов PCI-e для видеокарт, ведь их возможности будут избыточны. К примеру, уже сейчас видеокарта AMD Radeon RX 5500 XT благодаря шине PCIe 4.0 использует лишь 8 линий связи.

Пропускная способность PCI-e разных версий

G.Skill анонсирует наборы памяти объёмом 256 ГБ

Учитывая пожелания владельцев процессоров Ryzen Treadripper, компания G.Skill объявила о подготовке наборов памяти Trident-Z Neo объёмом 256 ГБ.

Эти наборы будут состоять из 8 планок объёмом по 32 ГБ каждая. Тактовая частота составит 3600 МГц, а задержки — CL16-20-20. Питающее напряжение равно 1,35 В.

Набор памяти Trident Z Neo DDR4-3600 CL16-20-20 256GB

Наборы памяти валидированы на платформе с процессором Ryzen Threadripper 3990X и материнской платой Asus ROG Zenith II Extreme Alpha.

На планках памяти Trident Z Neo DDR4-3600 использованы фирменные радиаторы G.Skill со светодиодной подсветкой.

Скриншот валидации набора Trident Z Neo DDR4-3600 объёмом 256 ГБ на процессоре Threadripper 3990X

Однако, несмотря на анонс, новые наборы памяти не будут доступны до II квартала этого года, так что всем, кто ждёт эти высокопроизвоительные высокоёмкие наборы придётся подождать.

Samsung начинает массовое производство по 7 нм нормам

Компания Samsung начала массовое производство микросхем с размером элементов 7 нм и 6 нм на новом заводе V1.

Южнокорейский гигант является одной из немногих выживших компаний по производству микросхем на заказ. И хотя TSMC является бесспорным лидером, Samsung хочет занять её место благодаря технологии GAAFET и финансовым вливаниям.

На днях компания сообщила, что её завод V1 приступил к массовому производству по нормам 7 нм и 6 нм с планом по переходу в будущем на 3 нм. Линия использует специализированную технологию EUV-литографии, которая является важным фактором в дальнейшем уменьшении размеров элементов транзистора.

Производство Samsung

Запуск нового производства с EUV в полупроводниковом мире является крупнейшим событием, поскольку TSMC нуждается в здоровой конкуренции, да и в целом производственных мощностей сейчас недостаточно. Некоторые сообщения гласят, что уже в этом году Samsung начнёт производство графических процессоров для NVIDIA по 7 нм нормам.

К концу года корейская компания планирует инвестировать в завод V1 6 миллиардов долларов, что позволит утроить производственные возможности по 7 нм и более совершенным техпроцессам.