Новости за 4 января

Первые 5 нм чипы достигают 80% годности

Компания TSMC продолжает хвастаться успехами по внедрению нового техпроцесса с размерами элементов в 5 нм.

Недавно она сообщала, что качество производства новых микросхем отличное, и что уже в первой половине 2020 года нас ждёт массовое производство процессоров по 5 нм нормам.

Теперь же компания сообщила, что рисковое производство микросхем SRAM по 5 нм нормам достигает 80% качества. Безусловно, это очень маленькие микросхемы. Полноразмерные микропроцессоры намного крупнее, а потому выход годной продукции будет намного ниже. Сайт AnandTech подсчитал, что при производстве микросхем площадью 100 мм2, выпуск годной продукции будет находиться на уровне 32%, что весьма неплохо, поскольку 5 нм технология находится лишь в середине рискового производства.

Распределение годных и негодных ядер в микросхемах малого размера
Распределение годных и негодных ядер в микросхемах большого размера

Эта технология будет использовать пятое поколение FinFET, а также EUV с более чем десятью слоями. Процесс N5 унаследует все правила конструирования из технологии TSMC N7, так что клиентам будет несложно провести миграцию.

Transcend выпускает SSD высокой надёжности

Обсуждения о том, какая память лучше, MLC, TLC или QLC не утихают. Однако никто не сомневается в том, что самым надёжным вариантом является память SLC-NAND, хотя она и самая дорогая. Именно поэтому компания Transcend выпустила накопитель формата M.2, работающий в режиме SLC.

Компания сообщает, что накопитель позволяет осуществить 100 000 циклов перезаписи, что в 32 раза выше, чем позволяет обычная память BiCS4. Оптимизация скорости работы осуществляется с помощью DRAM-кэша.

SSD-накопитель Transcend работающий в режиме SLC

Устройство идеально для тех сфер, где требуется большая частота перезаписи, например, в серверах, медицинском оборудовании, системах мониторинга и терминалах. Устройства доступно в трёх вариациях по ёмкости: 64 ГБ, 128 ГБ и 256 ГБ. Скорость последовательного чтения составляет 560 МБ/с, а записи — 420 МБ/с. При доступе блоками 4K случайное чтение осуществляется на скорости до 56 000 IOPS, а записи — до 75 000 IOPS. Конечно, это намного ниже, чем предлагают современные SSD.

В накопителе применяется обычная память BiCS4 Toshiba 3D-TLC-NAND, но в режиме использования лишь одного бита на ячейку. В результате скорость работы заметно снижается, зато вырастает надёжность, до 3600 ТБ перезаписываемых данных для модели объёмом 64 ГБ, и до 14400 ТБ для 256 ГБ версии. Цены на накопители пока не объявлялись.

Сокет LGA1200 будет поддерживать старые кулеры

Новый процессорный сокет для чипов мейнстрим-класса от Intel, имеющий кодовое имя H5, будет совместим с кулерами для сокета LGA115x.

Это будет означать, что с новым сокетом будут механически совместимы кулеры для процессорных сокетов LGA1156, LGA1155, LGA1150 и LGA1151. Однако прежде чем ставить старый кулер на новом процессоре нужно убедиться, что его охлаждающей способности будет достаточно для работы с современными мощными процессорами, такими как Core i9-10900K.

Контактно-матричное поле процессора с сокетом LGA1200

Сравнение механики двух сокетов LGA1200 и LGA1151 были опубликованы инсайдерами momomo_us и eUUUK50, которые показали, что эти пакеты будут иметь идентичные размеры. Изображение контактной площадки LGA1200 также было опубликовано в Сети. На нём видно, что Intel использовала пустые участки подложки из стеклоткани, на которых разместили дополнительные 49 контактов.

Сравнение чертежей сокетов LGA1151 и 1120

Сокет LGA1200 дебютирует с 10-м поколением настольных процессоров Core Comet Lake и 400-й серией чипсетов. Ожидается, что это произойдёт во II квартале 2020 года.