Новости за 30 октября 2019 года

Samsung представила 12-слойный чип HBM2

Южнокорейский гигант Samsung представил первую в промышленности 12-слойную 3D-TSV (Through Silicon Via) микросхему, которую она назвала «одной из самых сложных пакетных технологий для массового производства высокоскоростных чипов».

Эта технология будет использоваться для производства памяти HBM объёмом 24 ГБ. Компания назвала данную технологию самой сложной потому, что ей пришлось «штабелировать» в одном пакете 12 микросхем DRAM в крошечной трёхмерной системе. Слои памяти соединяются вертикальными линиями связи, для прокладки которых в чипах изготовлены 60 000 отверстий, каждое из которых в 12 раз тоньше человеческого волоса.

Чип памяти HBM2 от Samsung

«Толщина пакета (720 мкм) осталась той же, что и в продуктах HBM2 высотой 8 слоёв, конструкция компонентов которых весьма сложная. Это поможет заказчикам реализовать следующее поколение продуктов с высокой ёмкостью с большей производительностью без необходимости изменения конструкции и конфигурации их системы».

В компании отметили, что технология пакетирования 3D-TSV становится актуальной из-за нарастающих ограничений в сохранении темпов Закона Мура.

Конструкция 8-и и 12-и слойной упаковки 3D-TSV

Стоит отметить, что у новой разработки Samsung могут возникнуть проблемы с внедрением. Технология памяти HBM2 довольно дорогая. Пару лет назад эту память использовала AMD в своих топовых видеокартах, но сейчас из-за её высокой стоимости она перешла на GDDR6.

Intel создала набор разработчика с видеокартой Xe

Исполнительный директор Intel Боб Свон сообщил, что дискретная видеокарта Xe DG1 (Discrete Graphics 1) вышла на этап рабочей валидации.

Под такими словами мистер Свон подразумевает систему отладки после выпуска микросхемы, а именно, её размещение на печатной плате и оценку работы и загрузки. После того, как эти тесты пройдут успешно, можно будет утверждать, что продукт почти готов, и будет начато тестирование программного и аппаратного обеспечения в реальных условиях.

Анонс видеокарты Intel Xe

Как будет выглядеть видеокарта Xe в плане экстерьера, пока не известно, но определённо, она будет состоять из тех же конструкционных блоков, что и графика Gen12, интегрированная в процессоры Tiger Lake. Первая версия DG1 (Discrete Graphics 1) будет иметь относительно низкую производительность, возможно, такую же, как и интегрированная в Tiger Lake версия.

Кроме того, избранным партнёрам был передан тестовый набор Discrete Graphics DG1 External FRD1 Accessory Kit (Alpha) Developer Kit. Пока он находится на раннем этапе тестирования, однако это значит, что до релиза осталось несколько месяцев.

Сам факт создания рабочей видеокарты Xe шеф по маркетингу Intel в области графики Крис Спук прокомментировал немногословным твитом: «Она жива!». Господин Спук ожидает, что конечный продукт будет доступен к концу следующего года.

Micron устанавливает рекорд разгона DDR4 в 6024 МГц

Частоты оперативной памяти в 3200 МГц являются, фактически, стандартом современных компьютеров, однако ещё 3 года назад таким же стандартом считалась частота в 1600 МГц для DDR3.

На развитие скоростей работы оперативной памяти сильно влияют результаты разгона. Ещё год назад все говорили о рекорде в 5 ГГц, а уже сейчас такую память можно купить в магазине. Изначально частота DDR4 составляла 2133 МГц, но теперь компания Micron сообщает о превышении порога частота DDR4 в 6 ГГц.

Модули памяти Crucial Elite

Модуль памяти Elite DDR4 4000 8 GB был разогнан до частоты 6024 МГц. Разгон осуществлялся на материнской плате ASUS X570 ROG Crosshair VIII Impact с процессором Ryzen 5 3600X, который работал на базовой тактовой частоте 2209 МГц. Тайминги при этом составили 30-27-27-58-127-1.

Подтверждение разгона DDR4 до 6024 МГц

Результаты разгона подтверждены CPU-Z.