Новости за 28 мая 2016 года

Samsung представила 10 нм память LPDDR4

Компания Samsung представила мобильную память LPDDR4 объёмом 6 ГБ, изготовленную по 10 нм техпроцессу. По слухам, эта память будет использована в смартфоне Galaxy Note 6, который поступит в продажу в августе этого года.

Отмечается, что новый смартфон получит 5,8” AMOLED дисплей «Slim RGB» и будет основан на процессоре Snapdragon 823. Также платформа получит 6 ГБ оперативной памяти. Также, по слухам, Galaxy Note 6 получит сканер роговицы.

Samsung LPDDR4

По всей видимости, Note 6 станет первым смартфоном от Samsung, оснащённым 6 ГБ памяти LPDDR4.

Будучи изготовленной по 10 нм технологии, новая память обеспечит большую производительность при меньшем энергопотреблении, что означает увеличение времени автономной работы. Сообщается, что компания уже занята разработкой прошивки для данного смартфона, который должен появиться в продаже в августе.

IBM готовит недорогую память

Ветеран рынка вычислительной техники, компания IBM, объявила о значительных успехах в разработке нового типа динамической памяти со случайным доступом.

Память, получившая название фазопеременной, или PCM — phase-change memory, обеспечит более быстрый доступ к данным при меньшей стоимости. Разработчикам удалось достичь плотности в три бита на ячейку, что на 50% больше, чем у прототипа, представленного в 2011 году.

При работе PCM меняет состояние стеклоподобной подложки из аморфного состояния в кристаллическое, используя электрический заряд. Подобно NAND флеш, память PCM продолжает сохранять своё состояние при отключении питания, однако в отличие от нынешней технологии флеш, где доступ к ячейке занимает 70 мс, доступ к PCM занимает 1 мс.

Фазопеременная память IBM

Трёхбитная память обеспечит более быстрый доступ к твердотельным массивам накопителей, обеспечив ускорение в работе приложений. Также эта память может заменить DRAM в системах подобных базам данных, снизив стоимость технологии. По словам разработчиков, те производители, которые воспользуются трёхбитной PCM в смартфонах, смогут загружать их за 3 секунды.

Когда же эта память появится в конечных устройствах, IBM не уточняет. Частично из-за того, что ей потребуется найти партнёра, который примет память нового типа. Для налаживания коммерческого выпуска PCM потребуется минимум три года.

Toshiba выпускает первый NVMe SSD объёмом 1 ТБ

Компания Toshiba выпустила новый твердотельный накопитель OCZ RD400, который станет первым потребительским решением NVMe/M.2 с объёмом 1 ТБ. Кроме того, данный накопитель станет первым SSD Toshiba, выпущенным под брендом OCZ.

Данный накопитель позиционирован разработчиками как хай-энд решение. Оно основано на 15 нм MLC NAND памяти Toshiba, при этом используется протокол NVMe и шина PCI-Express Gen3 x4, что позволяет значительно ускорить передачу данных, по сравнению со стандартным интерфейсом SATA.

OCZ RD400 NVMe SSD

Согласно представленным спецификациям, OCZ RD400 NVMe SSD достигает скорости последовательного чтения в 2600 МБ/с и записи в 1600 МБ/с. При чтении и записи случайных блоков по 4 кБ скорость составляет 210 000 и 140 000 операций ввода-вывода в секунду соответственно.

OCZ RD400 NVMe SSD

Накопитель Toshiba OCZ RD400 будет предложен в двух версиях: стандартном M.2 модуле или плате расширения PCIe. При этом накопители будут представлены в объёмах 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1024 ГБ. Надёжность OCZ RD400 достигает 592 TBW (в зависимости от модели). В продажу накопители M.2 должны поступить в ближайшее время по цене в 110, 170, 310 и 740 долларов США за SSD объёмом 128, 256, 512 и 1024 гигабайта соответственно. Версии в корпусе платы расширения обойдутся на 20 долларов дороже