Новости за 23 октября 2015 года

Intel Cannonlake отложен до 2017 года

Несмотря на плохие дела у AMD и явное технологическое и архитектурное отставание от Intel, компания может немного вздохнуть с облегчением, по крайней мере, в следующем году. Согласно последним слухам, Intel будет вынуждена задержать архитектуру Cannonlake с конца 2016/начала 2017 на минимум второе полугодие 2017 года, что даёт AMD возможность подготовить архитектуру 14 нм Zen без конкурентного давления и даже раньше, чем Intel выпустит 10 нм Cannonlake.

После выпуска Skylake несколько месяцев назад, компания Intel планирует в середине 2016 освежить линейку 14 нм чипами Kabylake, а уже затем, в конце 2016 или начале 2017 года фирма должна была выпустить 10 нм процессоры Cannonlake. Теперь же, с учётом переноса Cannonlake, цикл Тик-Так смещается уже на полтора года, возможно, даже на два.

Intel

В то же время сдвиг Cannonlake открывает перед AMD новые возможности, позволяя компании в конце следующего года спокойно выпустить 14 нм процессор Zen, который будет конкурировать с Kabylake. Несмотря на различия в технология производства, новый чип Zen вполне может показать лучшую энергоэффективность и переиграть Kabylake. Также на фоне слухов о выпуске Intel 8-ядерного процессора Cannonlake, AMD не стоит переживать, ведь выпуск и этого процессора будет перенесён, а значит, AMD имеет шанс маркетингово переиграть Intel и в этом направлении.

SK Hynix выпустит 48-слойную NAND память через год

Один из лидеров рынка памяти, компания SK Hynix, недавно приступила к массовому производству DRAM чипов 20 нм класса и сообщила о планах по выпуску 36-слойной флеш-памяти до конца этого года. Что касается 48-слойных чипов, то их выпуск компания запланировала на 2016 год.

На этом рынке фирма пытается догнать Samsung, которая начала массовое производство 20 нм ОЗУ ещё в марте 2014 года, а первая серийная 48-слойная микросхема NAND была выпущена в августе этого года.

SK Hynix 20 Nano-class 8GB LPDDR3

SK Hynix также объявила о своих планах по разработке флеш-продуктов на базе 3D NAND. Президент фирмы Парк Сун-вук заявил: «Это процесс становления новой технологии. Мы планируем произвести некоторое количество 36-слойных 3D NAND чипов поэтапно в этом году и массово выпускать 48-слойные продукты в начале следующего года».

Он также отметил, что «новая память будет хороша, но мы больше фокусируемся на расширении достижений нынешних DRAM и NAND продуктов. Вместо выпуска новой памяти на рынок, мы пытаемся найти способ сделать лучшими существующие чипы памяти».