Новости за 17 августа 2013 года

Seagate выпускает 3,5” гибридный винчестер

Компания Seagate представила довольно интересную вещь для всех энтузиастов настольных ПК, которые имеют ограниченный бюджет. Известный производитель жёстких дисков выпустил первый в мире 3,5” гибридный жёсткий диск.

Конечно, гибридные диски, также известные как SSHD, не являются чем-то новым, однако до настоящего времени они были ограничены форм-фактором 2.5”, поскольку предназначались исключительно для ноутбуков. В результате эти винчестеры имели большую удельную стоимость гигабайта, чем винчестеры для настольных ПК, а также ограниченную 5400 об/мин. скорость вращения их шпинделя.

Гибридный винчестер Saegate ST1000DX001

Новая модель ST1000DX001 от Seagate имеет частоту оборотов шпинделя равную 7200 об/мин, винчестер имеет 64 МБ кэша и 8 ГБ твердотельного кэша, объём же магнитного накопителя составляет 1 ТБ. Винчестер подключается к материнской плате по интерфейсу SATA 3, а производитель снабдил его 3-х летней гарантией.

К сожалению, о цене на него пока ничего не известно. На рынке существует только 2,5” SSHD от Seagate, однако он имеет скорость шпинделя в 5400 об/мин., так что аналогии проводить между ними нельзя. Кроме этого анонса компания обещает также представить и 2 ТБ модель 3,5” гибридного жёсткого диска.

TSMC готовит 20 нм производство на начало 2014 года

Моррис Чан, исполнительный директор Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. заявил, что его компания планирует начать производство чипов по 20 нм техпроцессу в феврале 2014 года, для чего выбран завод Fab 14/phase 5, а с мая производство откроется и на заводах Fab 15/phase 3 и 4.

«В 20 нм техпроцессе мы видим малую конкуренцию. Опытное производство началось в первом квартале 2013 г. и массовое производство начнётся в начале следующего года. Оборудование уже будет смонтировано, оборудование поставляется и будет смонтировано», — заявил Моррис Чан в ходе квартальной конференции с финансовыми аналитиками.

TSMC начала строительство производства Phase 5 на заводе Fab 14 ещё в апреле прошлого года. Конструкция цеха уже готова и установка оборудования началась в апреле этого года. Обычно, на полное оснащение завода по производству микросхем уходит от 6 до 12 месяцев. Кроме перечисленных заводов TSMC также планирует позднее начать производство 20 нм микросхем на заводе Fab 12/phase 6.

Производство TSMC

Также интересным фактом является то, что большую часть оборудования, которое будет использовано для производства 20 нм чипов, будет позднее применяться для 16 нм FinFET техпроцесса. Случится это где-то в 2015 году.

«По 16 нм FinFET процессу массовое производство начнётся примерно через год после 20 нм SoC, другими словами, в начале 2015 года. Наш научно-исследовательский процесс производства 16 нм FinFET идёт хорошо, есть новые усовершенствования, и они лучше, чем планировались и он лучше, чем 20 нм год назад. Мы работаем с несколькими крупными клиентами и много изготавливаем, многие продукты изготавливаются», — несколько путано заключил Чан.

Память DDR3 разогнана до 4,4 ГГц

Мы все знаем, что оверклокеры, чтобы увеличить частоту и напряжение центральных процессоров, используют цилиндрические стаканы, в которые наливают жидкий азот или даже гелий.

По такому же пути пошли и оверклокеры Джеймс «YoungPro» Треваскис и TeamAU, но разгоняли они не процессор, а память.

Они изготовили большой «бандаж» вокруг самих планок памяти и слотов. Как это выглядело, показано на снимке.

Процесс разгона памяти

Залив полученную ёмкость сжиженным азотом, и используя модуль памяти G.SKILL TridentX DDR3 3000MHz C12 объёмом 4 ГБ, команда оверклокеров смогла разогнать планку ОЗУ до невиданных ранее частот в 4400 МГц при тайминге CL13, что теперь является мировым рекордом частоты памяти.

В установлении рекорда им помогло аппаратное обеспечение тестовой установки, которое включало материнскую плату ASUS Maximus 6 Impact и процессор Intel Core i7 четвёртого поколения модели 4770K.

Результаты разгонга памяти

Как следует из скриншотов, вся информация прошла валидацию, так что да, это настоящий рекорд.