Новости за 1 июня 2013 года

NVIDIA представила мобильную серию игровых видеокарт GeForce 700M

Вчера компания NVIDIA представила полный модельный ряд своих видеокарт семейства GeForce GTX 700M.

Как отмечено в пресс-релизе NVIDIA, серия GPU GeForce GTX 700M дарит потрясающую производительность, передовые игровые технологии и реальную портативность новому поколению игровых ноутбуков.

Не секрет, что ещё в апреле компания делала анонс новой, 700-й серии мобильных видеокарт, однако тогда были представлен лишь начальный и средний сегменты рынка. Теперь же компания объявила о выпуске всего модельного ряда ускорителей для ноутбуков, включая самые производительные игровые модели.

NVIDIA GeForce GTX 780M

«Практически все новые игровые ноутбуки построены на базе графических процессоров GeForce GTX 700M, — отмечает Рене Хаас (Rene Haas), вице-президент и директор по вычислительным продуктам в NVDIA. — Графический процессор — это сердце любого игрового ПК, и все ведущие сборщики игровых машин единогласно выбирают серию GeForce GTX 700M для нового цикла продуктов. Процессоры GeForce GTX поднимают игровой процесс на новую высоту».

Все новые карты вышли на замену предыдущим моделям и обладают повышенной на 30—50% производительностью. Новые модели ускорителей включают: GeForce GTX 780M – самый быстрый в мире GPU для ноутбуков, GeForce GTX 770M, GeForce GTX 765M и GeForce GTX 760M.

Как обычно, новые ускорители оснащены технологиями Optimus, для автоматического перехода со встроенной графики на дискретную, Experience, для оптимизации настроек игр и GPU Boost 2.0, позволяющей гибко менять частоту GPU в зависимости от нагрузки.

Основные же характеристики видеокарт в их сравнении с прошлым поколением сведены в таблицу ниже:

Спецификации ряда NVIDIA GeForce GTX 700M

Графические процессоры GeForce GTX 700M доступны в ноутбуках от компаний Acer, Asus, Clevo, Gigabyte, MSI, Razer и Toshiba. Остальные производители будут объявлены позже.

Бюджетный iPhone будет медленнее iPhone 4S

Сайт DigiTimes, сославшись на производителей оборудования из Юго-Восточной Азии, сообщил некоторые сведения о новом поколении смартфонов от компании Apple.

Согласно приведенным данным, бюджетная версия iPhone, о которой давно ходит множество слухов, будет иметь аппаратные спецификации, сравнимые с версией iPhone 4S, однако процессор и дисплей будет хуже, чем у этой модели. Другими словами, это будет просто ерунда.

iPhone

В течение долгого времени Apple утверждала, что ни за что не согласится пожертвовать функционалом продукции в угоду большей прибыли или для расширения рынка. Но теперь, по данным источника, компания хочет отменить своё золотое правило.

Многие считали, что компания готовится выпустить урезанную версию iPhone 5, но теперь становится понятно, что Apple выпустит урезанный, по сравнению с iPhone 4S телефон, которому уже и так почти два года. Так что лишь в самом лучше случае, новый бюджетный смартфон Apple будет таким же производительным, как и iPhone 4S. Можно лишь надеяться, что цена на него будет достаточно привлекательной.

Учёные создали транзистор с превосходной масштабируемостью менее 10 нм

Существует всё большее число трудностей с сохранением закона Мурра, но факт остаётся фактом — размер транзисторов продолжает сокращаться. Учёные разрабатывают различные техпроцессы для продолжения уменьшения размеров элементов, такие как FinFET, но всё это требует очень больших усилий.

И вот команда из французской Лаборатории анализа и архитектуры систем разработала схему, которую назвала «лесом из нанопроводов совместно управляемых одним транзистором». По данным IEEE Spectrum эта конструкция объединяет массив из 225 нанопроводов из легированного кремния. При этом каждый такой провод имеет слой хрома толщиной 14 нм, покрывающий его среднее сечение, образуя, таким образом, вентиль.

Нанопроводной транзистор

Что весьма радует, эта схема производственного процесса не включает сложную литографию. Исследователи планируют в конечном счёте разработать IGA нанопровода ввиду их лучшей электронной мобильности. Несмотря на то, что конструкция леса из нанопроводов, несомненно, сложнее вышеупомянутой и внедряемой в производство технологии FinFET, она, потенциально, может упроститься сокращением общего числа нанопроводов, необходимых для транзистора, что позволит легко масштабировать транзисторы для более тонких технологических процессов производства.