Новости за 13 декабря 2012 года

BioShock Infinite снова отложен

По слухам, бывший производственный директор Epic Games, Род Фергюссон, подсказал креативному директору Irrational Games Кену Левайну, что игра BioShock Infinite получит больше преимущества, если пробудет в разработке ещё три или четыре недели.

Иными словами, игра BioShock Infinite отложена опять. Так что, дата релиза 26 марта оказалась очень размытой, и реально мы увидим этот проект на своих PC, Xbox 360 и PlayStation 3 лишь тогда, когда игра будет к этому готова.

BioShock Infinite

Но в этой новости есть и хороший знак. По крайней мере, эти сведения говорят нам о том, что издатель и разработчик не стремиться выпустить игру именно в объявленный день, игнорируя качество. Левайн настроен сделать игру правильно, а не быстро. Что ж, подождём — увидим.

Появились сведения о GeForce GTX 670 FTW LE

Компания EVGA, следуя модной тенденции выпуска продуктов «LE», подготовила к анонсу свою новую видеокарту GeForce GTX 670 FTW LE.

Новый ускоритель основан и во многом похож на GTX 680. Эта карта, как мы помним, имеет частоту GPU в 1006 МГц, а частота памяти составляет 6208 МГц. И новый ускоритель GTX 670 FTW LE получает тот же самый дизайн с лишь немного сниженными частотами.

EVGA GTX 670 FTW LE

Итак, новая видеокарта EVGA GTX 670 FTW LE (модель: 02G-P4-2676-KR) имеет видеопроцессор частотой 941 МГц с разгоном до 1019 МГц в режиме Boost. Частота видеопамяти также оказалась немного ниже референтной и составляет 6008 МГц. В остальном же видеоускоритель ничем не отличается от старшего брата.

Цена на видеокарту в розничной сети составит порядка 390 долларов США.

Забудьте о 3D транзисторах — встречайте 4D

Компания Intel несколько лет назад представила технологию Trigate или 3D транзисторы. Однако учёные из университета Пердью пошли дальше, представив 4D транзистор. Правда, удивляться пока рано.

Исследователи из университета Пердью заявили об успешной замене кремния в транзисторах и открытия пути создания намного меньших структур микросхем, чем позволяют кремниевые полупроводники.

Команда учёных применила арсенид индия-галлия, который в будущем станет важнейшим материалом для производства полупроводников с размеров элементов меньше 10 нм. Изготовленный в университете прототип был сделан по 20 нм техпроцессу.

4D транзистор

Согласно объяснению Педэ Е (Peide Ye), профессора по электрике и компьютерному инжинирингу, три проводника арсенида индия-галлия размещаются друг над другом, при этом прогрессивно укорачиваясь к верху. Полученное сужающееся пересечение имеет вид ёлки. А значит, почему бы не назвать получившуюся структуру 4D транзистором? Вот его пояснение:

«Один дом может вмещать множество людей, но чем больше этажей, тем больше и людей, то же самое и с транзисторами. Увеличение их слоёв приводит к большему току и более быстрым операциям для высокоскоростных вычислений. Эта разработка добавляет полностью новое измерение, которое я назвал 4D». Но попридержите коней. Ещё слишком рано радоваться.

Хотя арсенид индия-галлия, на самом деле, довольно интересный материал для уменьшения элементов чипов, как и отметил Е, эта технология покажет себя лишь когда транзисторы дойдут до 10 нм. В любом случае, будет ли подобный подход применим в будущем, мы знаем, что Закон Мура получил право на дальнейшее существование.