Новости за 13 мая 2011 года

Microsoft удалили средства слежения из Windows Phone 7

Софтверный гигант Microsoft изменил часть своего программного обеспечения на устройствах с Windows Phone 7 таким образом, что оно теперь не раскрывает данных о пользователях геолокационных приложений.

Не смотря на заверения Редмонда в том, что они никогда не использовали эти данные для слежки за перемещением пользователей, текущее положение дел указывает на совершенно обратное.

Энди Лис (Andy Lees), президент бизнеса мобильной связи Microsoft заявил, что собранные корпорацией данные использовались исключительно для нахождения «ориентиров», таких как точки доступа Wi-Fi и базовые станции мобильных операторов. Кроме того он сообщил, что компанией уже сделаны определенные шаги для прекращения использования и хранения уникальных идентификаторов устройств при сборе информации об ориентирах. По заверению Лиса без уникального идентификатора или какого-либо иного важного изменения в операционной системе, Microsoft никак не сможет отследить путь конкретного отдельно взятого устройства.

Samsung выпустили первую в мире NAND память с удвоенной скоростью передачи данных

Крупнейший производитель микросхем памяти Samsung начал производство первых 64 Гб MLC чипов флеш-памяти.

Микросхемы памяти производства Samsung объемом 64 Гб, изготовленные по технологии multi-level-cell (MLC), имеют интерфейс второго поколения с удвоенной пропускной способностью (double data rate 2 – DDR2).

Новые чипы предназначены для применения в мобильных устройствах, таких как планшетные компьютеры и смартфоны. Интерфейс DDR2 уже оставлен позади такими монстрами рынка как AMD и Intel, но, по мнению Samsung, он будет «лучше поддерживать продолжающееся движение к более совершенным интерфейсам», таким как SATA3 и USB3. Президент подразделения памяти Samsung Electronics, господин Су-Ин Чо (Soo-In Cho) отметил, что им удалось достичь плотности 64 Гб на чип благодаря использованию «совершенного технологического процесса с размером элементов порядка 20 нм», но в отличие от конкурентов в лице Intel и Micron, они не станут сообщать о тонкостях техпроцесса.

Все представители компании Samsung будут говорить, что для производства чипов 64 Гб NAND MLC памяти используются элементы размером от 20 до 29 нм. Напомним, что Samsung представил первую микросхему флеш-памяти объемом 32 Гб с интерфейсом DDR1 в 2009 году, а массовое производство чипов началось только в апреле 2010 г. Это означает, что уже через несколько месяцев производители электронных устройств получат первые чипы новой памяти с интерфейсом DDR2. Основная часть чипов NAND работает на скорости до 40 Мб/с при интерфейсе DDR1. Так что, когда Samsung начнет поставки своей памяти с интерфейсом DDR2 не стоит ожидать, что они появятся где-либо ещё кроме дорогих SSD накопителей и смартфонов.