Память Z-NAND от Samsung будет конкурировать с Intel Optane
Использование памяти постоянно растёт, а на фоне облачных хранилищ и Big Data, промышленности требуется особо быстрая память. Сейчас самое быстрое решение в области накопителей, на базе памяти типа 3D XPoint, подготовлено Intel и Micron. Однако Samsung не осталась в стороне и решила начать гонку сверхбыстрых накопителей.
Конкурировать корейская компания будет с памятью Z-NAND, которая представляет собой новую реализацию SLC (Single-Level Cell) NAND с улучшенным контроллером и другими усовершенствованиями, что позволит достичь большей производительности, как в последовательном, так и случайном режимах доступа.
Память SLC широко использовалась в SSD накопителях, однако последние годы в погоне за удешевлением и увеличением плотности стала использоваться память MLC и TLC. Память Z-NAND возвращает индустрию к корням SLC. Сейчас память 3D XPoint обеспечивает задержки на уровне 10/10 мкс, в то время как Z-NAND сможет предложить задержки 12—20/16 мкс.
По сравнению с Intel Optane P4800X объёмом 750 ГБ, готовящийся накопитель Samsung SZ985 объёмом 800 ГБ обеспечивает большую производительность при случайном чтении (550 000 IOPS против 750 000 IOPS), но проигрывает в записи (550 000 IOPS против 175 000 IOPS). В плане скорости чтения/записи преимущество будет на стороне Z-NAND: 3,2/3,2 ГБ/с против 2,4/2,0 ГБ/с у Optane P4800X. Надёжность же у обоих решений будет сравнимой.
О том, когда Samsung выпустит накопитель SZ985 и по какой цене пока не сообщается.