TSMC: Разработка 3 нм EUV протекает успешно
Разработка новых технологий производства микросхем никогда не останавливается. Неудивительно, что 3 нм технология от TSMC уже находится на завершающих этапах разработки, и первые микросхемы уже поставляются клиентам.
«Касательно N3, разработка технологии продолжается, и мы уже связались с первыми клиентами для определения технологии», — заявил Си Си Веи, исполнительный директор и глава TSMC на совещании с инвесторами и финансовыми аналитиками. «Мы ожидаем дальнейшее расширение нашей 3-нанометровой технологии, наша лидирующая позиция уверенно защищена в будущем».
С тех пор, как технология N3 перешла на этап разработки, TSMC никогда не сообщала о характеристиках процесса и о преимуществах над N5. Компания отмечает, что изучила все возможные структуры транзисторов, и пришла «к лучшему решению» для своих клиентов. Спецификации всё ещё разрабатываются, а потому кроме заявлений о соответствии требованиям ведущих партнёров, никакой информации нет.
Что касается технологии производства, то для 3 нм поколения будет применяться как экстремальная, так и глубокая ультрафиолетовая литография. В процессе N5 компания применяет 14 слоёв EUV, в N3 их число будет увеличено.