Toshiba представила первую 16-ядерную стековую NAND память с технологией TSV

Компания Toshiba объявила о создании первой в мире флеш-памяти NAND, которая состоит из 16 «штабелированных» ядер NAND с использованием технологии TSV. Данный метод, который также использовался в линейке ускорителей AMD Fury, позволяет увеличить производительность при снижении энергопотребления.

Разработанный прототип новой микросхемы памяти компания представила на конференции Flash Memory Summit 2015.

16-слойная NAND TSV память

При традиционной конструкции стековой флеш-памяти, слои связаны между собой на торцах пакета. Технология Through Silicon Via (TSV) использует вертикальные электроды и связи для прохождения сквозь ядра памяти для их объединения. Всё это позволяет увеличить скорость передачи данных и снижает энергопотребление.

Технология TSV от Toshiba позволяет достичь скорости передачи данных на уровне 1 Гб/с при меньшем напряжении питания чем прочие типы NAND: 1,8 В для цепей ядра, 1,2 В для цепей ввода-вывода. Также на 50% снижается энергопотребление при операциях чтения, записи и передачи данных.