/ / Toshiba и SanDisk представили 48-слойную 256 Гб память NAND
7994420702;horizontal

Toshiba и SanDisk представили 48-слойную 256 Гб память NAND

5 августа 2015

Компании Toshiba и SanDisk представили новое поколение BiCS FLASH — трёхмерной стековой структуры ячеек флэш-памяти. Представленные микросхемы являются первыми в мире чипами объёмом 256 Гб (32 ГБ), которые состоят из 48 слоёв BiCS, каждая ячейка которого может хранить 3 бита (TLC).

Память такого типа позволяет увеличить объём, по сравнению с двумерными чипами NAND, при этом увеличив долговечность памяти при операциях чтения/записи, а также увеличив скорость работы. Представленные 256-битные устройства предназначаются для применения в различных областях, включая потребительские SSD, смартфоны, планшетные компьютеры и карты памяти, а также SSD для центров обработки данных.

48-слойная TLC NAND память от SanDisk и Toshiba

48-слойная TLC NAND память от SanDisk и Toshiba

Сейчас компании уже начинают опытное производство новых 48-слойных 3D NAND микросхем.

flash-память, NAND, SanDisk