Новости про TSMC и технологии

TSMC начинает опытное производство FinFET 16 нм

Контрактный производитель процессоров, компания TSMC, приступила к опытному производству микросхем с использованием 16 нм FinFET процесса. Такую информацию сообщил сам производитель микросхем.

Недавно назначенный исполнительный содиректор Марк Лиу в ходе ежегодного форума с поставщиками отметил, что завод хочет начать производство по 16 нм процессу с опережением графика. Ранее компания заявляла о начале попыток изготовления таких микросхем только в первом квартале 2015 года.

Лиу также отметил, что в следующем месяце TSMC приступит к массовому производству SoC на основе 20 нм технологии.

Исполнительный содиректор TSMC Марк Лиу

В дополнение Лиу рассказал и о финансовых результатах деятельности компании. Он сообщил, что благодаря 28 нм процессу в 2013 году было заработано 5,4 миллиарда долларов США, и этот процесс к концу года составит 23% от общего производства отпечатков компании.

Также был дан и прогноз развития отрасли в 2014 году. Ожидается, что мировой рынок полупроводников в 2014 году вырастет на 5%, что на процент больше ожидавшегося в 2013 году. Что же касается непосредственно производства полупроводниковых пластин, то здесь ожидается снижение роста с 11% в текущем году до 9% в наступающем. При этом рост самой TSMC будет опережать средние показатели. Содиректор считает, что после показанного в этом году роста на уровне 17—18%, TSMC ожидает также получить двухзначное число роста объёмов производства.

TSMC потратит 10 миллиардов долларов на расширение

Компания TSMC планирует потратить в будущем году 10 млрд. долларов на капитальные вложения, что вызвано видением в TSMC у компании Apple своего контрактного производителя процессоров следующего поколения.

По информации китайского ресурса Economic Daily News, компания TSMC известила поставщиков оборудования о своём решении выделить на капитальные вложения в 2013 году 10 млрд. долларов США. Это сигнализирует о том, что Taiwan Semiconductor Manufacturing Company поборола технические проблемы с 20 нм технологическим процессом, который будет использоваться в процессорах Apple следующего поколения.

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company

Это также говорит о том, что в Купертино научные разработки идут лучшими темпами, чем в Samsung. Сама же Apple командировала в TSMC порядка 200 инженеров-конструкторов, которые в Central Taiwan Science Park займутся оптимизацией процессоров под новый технологический процесс производства.

Опытное производство новых процессоров начнётся в TSMC в первой половине  года, а массовое производство ожидается начать во втором полугодии.

ARM и TSMC выпустили первый 20 нм чип Cortex-A15 MPCore

Разработчики ARM и производственники TSMC совместными усилиями отпечатали первый в мире образец процессора ARM Cortex-A15 MPCore с размером элементов 20 нм.

Компания ARM хочет оптимизировать свою физическую технологическую разработку на заводах TSMC с 20 нм технологией производства, поскольку именно она обеспечивает двойной прирост производительности, по сравнению с предыдущим поколением.

Исполнительный вице-президент и старший менеджер процессорного подразделения ARM Майк Инглис

Исполнительный вице-президент и старший менеджер процессорного подразделения ARM Майк Инглис (Mike Inglis) заявил, что это первый из 20 нм образцов ARM Cortex-A15 и он прокладывает путь к следующему поколению интеграции и производительности. Он отметил, что комбинация технологии TSMC, последнего процессора ARM Cortex-A15 и ARM Artisan Physical IP Solutions поможет достичь возрастающих требований на высокую производительность и энергоэффективность потребительских устройств.

В представленном отчете ARM особенно подчеркивается усиление сотрудничества между ARM и TSMC. В нём говорится, что тестовая микросхема была реализована с использованием коммерчески доступной цепочки инструментов 20 нм техпроцесса и дизайнерских услуг, обеспеченных совместной работой TSMC OIP Ecosystem и партнёров из ARM Connected Community.

Промышленные слухи: 14 нм в 2015

По заявлению руководителя отдела исследований компании TSMC Шан-и Чиана (Shang-yi Chiang), их компания планирует переход на нормы 14 нм техпроцесса в 2015 году.

Для примера, в настоящее время Intel изготавливает свои процессоры по 32 нм технологии. 22 нм чипы должны появиться уже в этом году, однако, по всей видимости, выход этих микросхем будет отложен. Согласно существующей технологической дорожной карте Intel, производство чипов по 14 нм технологии начнётся в 2013 году, а в 2015-м компания планирует перейти на 10 нм. На следующей неделе в Сан-Франциско пройдёт выставка IDF, на которой Intel представят обновленную дорожную карту. Интересно, будут ли смещены существующие сроки?

Дорожная карта GloFo

В то же время, GlobalFoundries планирует переход на 20 нм в микросхемах слабой мощности, предназначенных для сетевых, беспроводных и мобильных устройств, лишь в 2013 году. При этом выпуск высокомощных процессоров по 20 нм техпроцессу компания планирует начать в 2014 году. Эти данные полностью совпадают с планами AMD, по переходу на новые техпроцессы, что позволяет считать эту информацию правдоподобной.

Технологические планы GloFo

Кроме уменьшения размера элементов интегральных схем, Чиан также предположил, что в 2015 году их производство перейдёт на использование блинов подложек диаметром 450 мм.

При всем этом ни одна из трёх компаний не объявила об использовании технологии КНИ (кремний-на-изоляторе) в своих будущих чипах. Однако это вовсе не означает, что вся лидирующая тройка отказалась от этого. Тем не менее, по слухам, первыми на технологию 14 нм КНИ с использованием подложек диаметром 450 мм перейдёт компания Samsung.

TSMC может выпустить трёхмерные чипы раньше Intel

Процессорный гигант, компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) может первой представить микросхемы с трёхмерными связями транзисторов. Причем это может произойти уже в конце 2011 года. При этом им удастся обойти полупроводникового гиганта — компанию Intel.

Такой отчет подготовила позавчера тайваньская торговая группа. Отчет основан на неназванных источниках. Свою технологию трёхмерных транзисторов компания Intel представила в мае этого года, при этом тогда же TSMC заявили, что их не интересуют подобные техпроцессы, и что все их усилия направлены на уменьшение физических размеров транзисторов. Однако уличить руководство компании во лжи вряд ли удастся, ведь между разработками Intel и TSMC есть принципиальные отличия.

TSMC

Так, технология тайваньских разработчиков, получившая название (Through Silicon Vias — TSVs), представляет собой многослойные микросхемы, в которых между различными слоями существуют взаимосвязи, проходящие насквозь. В разработке Intel, под названием Tri-gate, кремниевые дорожки выступают над полупроводниковым субстратом.

Согласно отчета TAITRA, трёхмерные технологии TSMC позволят значительно увеличить плотность транзисторов в чипе, вплоть до 1000 раз. Устройства с трёхмерными микросхемами будут потреблять на 50% меньше электроэнергии. Новая технология позволит обойти множество трудностей, образованных традиционной «плоской» технологией построения микросхем.

Старший вице-президент TSMC по исследованиям и разработкам Шан-Йи Чиан подтвердил информацию, указанную в отчёте и сообщил, что их компания сейчас активно сотрудничает с разработчиками чипов для коммерциализации трёхмерной технологии производства.

28-нм видеочипы появится только в конце 2011 года

Для NVIDIA и ATI потребуется больше года, чтобы выпустить на рынок первые высокопроизводительные графические чипы по нормам 28 нм.

Причина достаточно очевидна — двум основным игрокам по производству чипов, TSMC и Global Foundries требуется время, чтобы запустить и отладить производство по 28 нм техпроцессу. TSMC постарается быть особенно осторожной с 28 нм, поскольку с внедрением ею 40 нм технологии не всё прошло гладко и отсутствие 40-нм чипов в IV квартале 2009 и I квартале 2010 обернулось недополучением миллионов прибыли для ATI.

28 нм

Демонстрационные образцы продукции по нормам 28 нм начали появляться уже в этом году. Есть уверенность, что следующее поколение продукции ATI будет производиться на мощностях TSMC и Global Foundries, а победитель получит большее количество заказов. 28 нм чипы для NVIDIA будет производить только TSMC, и это продлится какое-то время. Однако, если Global Foundries хорошо справится с 28 нм чипами для ATI, то и NVIDIA может обратиться к ней.

AMD vs TSMC

В конце 2010 ATI представит свои 40-нм продукты поколения Radeon HD 6000. NVIDIA так же выпустит продукты на основе GF104 и аналогичных чипов во второй половине этого года и первой половине 2011 года исключительно по нормам 40 нм.

Логотип Global Foundries

ARM и TSMC заключили сделку по производству микросхем

Давние партнеры ARM и TSMC объявили о подписании нового соглашения, которое подтверждает сотрудничество по запуску в производство оптимизированных микросхем на основе ARM SoC (System-on-Chip) на мощностях компании TSMC по 28 нм и 20 нм техпроцессам.

По условиям соглашения TSMC сможет получить доступ к широкому кругу ARM процессоров, которые будут переделаны для использования по её технологиям. Кроме того, две компании будут сотрудничать по  оптимизации реализаций ядер процессоров для обеспечения оптимальной мощности, производительности и площади кристаллов. В результате готовые решения планируется использовать в различных областях, включая беспроводные сети, портативные компьютеры, планшетные ПК и в секторе высокопроизводительных вычислений.

Логотип TSMC

«Мы считаем, что усилия повысят ценность наших открытых инновационных платформ, что, в свою очередь, даст возможность эффективно использовать всю цепочку поставок», — сказал Фу-Цзе Сюй, вице-президент по дизайну и технологиям, а так же заместитель председателя R&D компании TSMC. «Сотрудничество одного из лидеров индустрии ИС — ARM и производителя мирового класса TSMC предоставит нашим общим заказчикам убедительные преимущества для использования современных технологий в полупроводниковой промышленности».

Логотип ARM

ARM ещё в прошлом году подписала производственное соглашение с TSMC, соперником GlobalFoundries, но оно охватывало только чипы на базе Cortex-A9 с использованием технологии 28 нм.

TSMC начинает строительство нового завода по производству 300-миллиметровых подложек в Тайване

Крупнейший тайваньский чипмейкер TSMC сегодня официально начал строительство Fab 15 — завода по производству 300-мм подложек в центральной части Тайваня, в Научном парке Тайчжун. Это предприятие после выхода на полную мощность будет выпускать более 100 тысяч 12-дюймовых пластин в месяц.

«TSMC приложила много усилий, чтобы усовершенствовать свою технологию производства и производственные процессы. Имея множество партнеров и IDM клиентов мы смогли сформировать сильную конкуренцию в полупроводниковой промышленности», — сказал председатель и главный исполнительный директор TSMC Моррис Чанг. «Новая Fab 15 в центральной части Тайваня, в Научном парке подтверждает наши обязательства по обеспечению наших клиентов передовыми технологиями и удовлетворения их потребностей. Создание Fab 15 создаст дополнительно 8000 высококачественных рабочих мест, демонстрируя движение TSMC по пути корпоративной социальной ответственности».

Логотип TSMC

Инвестиции TSMC в Fab 15 будут составлять более 9,3 млрд. долл и начнут приносить плоды в первом квартале 2012 года, когда объект начнёт массовое производство 40-нм и 28-нм чипов. Дальнейшее развитие планируется для изготовления подложек на более совершенных техпроцессах (20-нм и менее).

Помимо строительства новой фабрики, TSMC также вкладывают средства в расширение Fab 12 и Fab 14, которые в настоящее время выпускают до 200000 пластин в месяц. До конца этого года на этих заводах планируется достичь уровня выпуска в 240000 пластин в месяц.

TSMC и Fujitsu совместно освоят 28-нм техпроцесс

Fujitsu Microelectronics и Taiwan Semiconductor Manufacturing Company подписали в четверг соглашение о совместной работе над освоением нового энергоэффективного и высокопроизводительного производства logic/SoC на 28-нм нормах, которое должно быть внедрено в конце следующего года на базе технологической платформы TSMC. Компании также обсуждают возможности объединения усилий в области разработки на основе медных соединений упаковок для чипов с большим числом контактов.