Новости про Samsung

Samsung выпускает матрицу камеры разрешением 200 мегапикселей

Южнокорейский гигант представил новый сенсор для фотокамер мобильных телефонов, которая снимает поистине гигантские изображения.

Размеры пикселя в новом датчике составляют 0,64 мкм. В современных матрицах мобильных фотокамер применяется комбинация пикселей в группы по 4 штуки, в результате 50 мегапиксельный сенсор создаёт изображение разрешением 12 мегапикселей, но с высокой светочувствительностью.

Фотодатчик Samsung Isocell HP1

Новый сенсор Isocell HP1 сможет работать при плохом освещении ещё лучше, поскольку, имея 200 Мпикс. он будет объединять группы по 16 пикселей в один большой пиксель размером 2,56 мкм. Эффективное разрешение изображения составит 12,5 Мпикс. Также сенсор позволит снимать видео в разрешении 8K при 30 к/с.

Кроме него компания также представила сенсор Isocell GN5, датчик, с размером пикселей 1,0 мкм с поддержкой технологии Samsung Dual Pixel Pro. Эта технология размещает два крошечных фотодиода рядом с пикселями сенсора, в результате создаётся массив из 1 миллиона фотодиодов, покрывающий все участки матрицы. Это позволяет обеспечивать «беспрерывный» автофокус и повышение резкости изображений как в очень ярких условиях, так и наоборот, в окружении с плохим освещением.

Появились первые плоды сотрудничества Samsung и AMD

В Сети появились первые сведения о результатах совместной работы Samsung и AMD, которые создавали новую SoC используя для этого свой опыт и знания.

Сообщается, что Южнокорейский гигант разработал несколько систем-на-чипе, которые ориентированы на средний, верхний и флагманский сегменты рынка.

Дебютирует совместный чип Exynos / mRDNA в средне-премиальной серии смартфонов Galaxy A. Кроме того, некоторые китайские производители смартфонов также готовятся выпустить устройства на основе этой SoC.

Сотрудничество AMD и Samsung

Сам чип будет основан на больших ядрах Arm Cortex-A78 с различным количеством графических вычислительных блоков архитектуры AMD mRDNA, которое зависит от целевого сегмента рынка. Телефоны Galaxy A получат SoC с 2 или 4 вычислительными блоками mRDNA. Телефоны Galaxy S будут иметь 6 CU. Графический процессор тестируется на тактовой частоте 1 ГГц. Для сравнения, графика в процессоре для Valve Steam Deck использует 8 CU частотой от 1 ГГц до 1,6 ГГц.

Это довольно любопытная информация, но не стоит забывать, что речь идёт о слухах.

Появились бенчмарки GPU AMD RDNA 2 в SoC Exynos 2200

Системы-на-чипе Samsung Exynos 2200 будет содержать графический процессор AMD Radeon RDNA 2. Это известно давно. И теперь появились тесты производительности этой графики.

В Сети опубликованы тесты графических процессоров трёх разных SoC в тесте CompuBench GFXBench 3.0, и оказалось, что решение Samsung и AMD заметно производительнее Apple A14 Bionic. Однако GPU в Apple M1 выступает в своей собственной лиге, что отлично видно на приведённой ниже таблице. В ней числа означают полученную частоту кадров. Тестирование проводилось в режиме Offscreen.

Apple A14 BionicExynos 2200 w/ AMD VoyagerApple M1
1080p Manhattan~ 120170.7~ 270
Aztec Ruins High Tier~ 3051.5~ 80
Aztec Ruins Normal Tier~80121.4~ 217

По слухам, графика в SoC Exynos 2200 имеет кодовое имя AMD Voyager и содержит 6 вычислительных блоков с 384 потоковыми процессорами. В тесте GFXBench он работал на частоте 1,31 ГГц, что вполне логично, учитывая, как хорошо архитектура RDNA2 работает на высокой частоте.

Apple против Samsung

Первые процессоры Exynos с GPU AMD должны появиться уже в этом году, однако о том, что это будут за продукты, пока совершенно не известно.

Samsung представила 8-слойные модули DDR5 объёмом 512 ГБ

Компания Samsung представила модули оперативной памяти DDR5 объёмом 512 ГБ на базе 8-слойных микросхем TSV со скоростью 7,2 Гб/с.

Южнокорейская фирма будет применять 8-слойные стеки меньшей толщины, чем нынешние 4-слойные пакеты DDR4. Снижение высоты на 40%, вероятно, обеспечивается за счёт сокращения зазоров между слоями, что является большим достижением. Кроме того, эти модули получат и лучшее охлаждение.

Слайд презентации со спецификацией DDR5 от Samsung
Слайд презентации со спецификацией DDR5 от Samsung
Слайд презентации со спецификацией DDR5 от Samsung

Модули DDR5 по 512 ГБ станут огромным рывком для владельцев систем HEDT и серверов, где объём DDR4 ограничен 32 ГБ и 64 ГБ на один сокет DIMM. Это значит, что общий объём ОЗУ не превышает 128 ГБ и 256 ГБ соответственно, в то время как в будущих системах можно будет получить 512 ГБ на одном сокете.

Samsung Foundry увеличивает цену производства микросхем

Южнокорейский производитель микросхем Samsung Foundry объявил об увеличении цены на производство чипов, что несомненно повлияет на огромное количество игроков на компьютерном рынке, включая NVIDIA, которая производит GPU для современных видеокарт именно у южнокорейского гиганта.

Причиной этого роста называется необходимость накопления средств для открытия нового завода в Пхентаке, где будут выпускаться микросхемы по технологиям 5 нм и 4 нм, что необходимо для сохранения конкуренции с TSMC, продукция которой находится в дефиците.

Блин с микросхемами Samsung

Учитывая, что Samsung уже подписала договоры с рядом своих клиентов, повышение цены не должно сказаться на продукции для графических плат и других изделий, уже находящихся в производстве. Однако при необходимости заключения нового контракта, клиент будет вынужден заплатить и новую цену. Будем надеется, что у NVIDIA достаточно долгосрочный договор, и это подорожание её не коснётся.

Samsung намекает на планки памяти DDR5 объёмом 768 ГБ

Компания Samsung объявила о том, что она занята выпуском микросхем памяти DDR5 объёмом 24 Гб, что позволит на одной планке разместить микросхемы суммарным объёмом 768 ГБ.

Компания уже демонстрировала регистровую память DIMM (RDIMM) объёмом 512 ГБ, где используются стеки в форме 32×16 ГБ, основанные на чипах DRAM 8×16 Гб. Маломощные и качественные сигналы реализованы по технологии Through Silicon Via в 8-уровневых стеках. Однако используя такие же 8-уровневые стеки со слоями по 24 Гб, Samsung в 32 чиповом модуле может достичь объёма 768 ГБ.

В серверных системах с 2 модулями на канал мы можем увидеть 12 ТБ оперативной памяти DDR5. Сейчас серверы с процессорами Xeon Scalable Ice Lake-SP поддерживают лишь 6 ТБ памяти.

Samsung DDR5

Компания отмечает, что планирует выпускать на рынок не только гигантские 768 ГБ модули, но также подготовит и более доступные планки объёмом 96 ГБ, 192 ГБ и 384 ГБ.

Что касается потребительского сегмента DDR5, то тут будут доступны модули объёмом 24 ГБ и 48 ГБ, в то время как системы HEDT, без сомнения, будут иметь 128 ГБ ОЗУ и более.

Пока Samsung не сообщает сроки начала продаж новой памяти DDR5.

У Samsung проблемы с наладкой 5 нм процесса

Производство микросхем — сложная задача. Проблемы с переходом на новые технологии не являются редкостью. С ними сталкиваются даже крупнейшие компании, вроде Intel и GloFo, которая так и не вышла из кризиса. Сейчас же в затруднительной ситуации оказалась Samsung.

Согласно информации, опубликованной Business Korea, компания Samsung снова испытывает проблемы с наладкой 5 нм процесса. Ранее сообщалось, что внедрение 5 нм технологии южнокорейским гигантом продвигается медленно, но было неясно, насколько всё плохо и удалось ли компании решить проблемы.

По информации прессы, технология 5 нм от Samsung страдает низким качеством продукции. Выпуск годных микросхем составляет 50%. Это значит, что каждый второй выпущенный чип является бракованным. И это очень плохо.

Микросхемы памяти Samsung

Обычно технология считается готовой для массового производства, когда доля годной продукции достигает 95%. При меньших величинах прибыльность такого производства резко падает. Компания Samsung запускает процесс 5 нм на заводе V1 Line, расположенном в Хвасоне. Для производства используется оборудование с ультрафиолетовой литографией, и несмотря на упорную работу инженеров результаты качества не превышают 50%.

Будем надеяться, что корейские специалисты найдут выход из сложившейся ситуации, это очень важно на фоне продолжающегося кризиса полупроводниковой продукции. Иначе нас ждёт очередное усиление дефицита.

SoC Samsung Exynos 2200 получит графику AMD RDNA 2

Следующий мобильный процессор Samsung модели Exynos 2200 уже находится в разработке, и согласно первым утечкам сведений, в качестве графики он получит GPU Voyager, основанный на архитектуре RDNA 2.

По слухам, SoC Pamir от Samsung нового поколения, будет изготовлена по технологии 4 нм, а в качестве графики будет использована разработка AMD. Это не должно вызывать большого удивления, ведь компании сотрудничают уже пару лет, а первая SoC с графикой от AMD появится уже в начале 2022 года. Система-на-чипе Pamir будет соперничать со Snapdragon 895 от Qualcomm, которая будет оснащена графикой Adreno 730 и также будет изготавливаться Samsung по технологии 4 нм.

Лиза Су представляет SoC Samsung Exinos

Что же будет представлять собой этот GPU Voyager пока достоверно не известно. Однако сообщается, что он будет содержать 6 вычислительных блоков, как Vega 6, то есть будет включать 384 потоковых процессора.

Samsung продемонстрировала SSD для шины PCIe 5.0

Компания Samsung представила предварительные спецификации твердотельных накопителей с интерфейсом PCIe 5.0 x4. Устройства будут доступны в формате E3.S 1T в течение ближайшего года, как раз к моменту появления первых процессоров с соответствующей шиной: AMD EPYC Genoa и Intel Sapphire Rapids.

Накопитель Samsung PM1743 будет основан на проприетарном контроллере компании, а также на памяти TLC V-NAND 6-го поколения. Надёжность SSD заявлена на уровне одной перезаписи в день, а сами устройства предполагают смешанный тип нагрузки.

Накопитель Samsung PM1743 PCIe Gen 5 SSD

Накопители Samsung PM1743 предназначены для подключения по одному или двум портам PCIe Gen 5 x4. Он будет доступен в формате E3.S 1T (111,5×31,5 мм), что должно обеспечить возможность эффективного использования пространства в стойке. Что касается скорости работы этих SSD, то она пока неизвестна, однако теоретически шина может обеспечить 15,7 ГБ/с.

Примечательно, что для потребительских версий накопителей PCIe Gen 5 компания Samsung планирует использовать 7-е поколение памяти V-NAND, состоящее из 176 слоёв, однако эти устройства пока не анонсируются.

Samsung начал выпуск флагманских модулей памяти uMCP

Компания Samsung Electronics заявила о начале производства мультчиповых пакетов LPDDR5 на основе UFS (uMCP), которые предназначены для применения в смартфонах.

Эти модули объединяют LPDDR5 DRAM с UFS 3.1 NAND-памятью, обеспечивая производительность флагманских смартфонов на широком спектре устройств.

LPDDR5 от Samsung

Поскольку модули uMCP основаны на новейших интерфейсах NAND и DRAM, они обеспечивают высокий объём памяти и большую скорость при небольшом энергопотреблении. Так, по сравнению с прошлым поколением решений UFS 2.2, основанных на LPDDR4X, производительность DRAM увеличена с 17 ГБ/с до 25 ГБ/с, а NAND — с 1,5 ГБ/с до 3 ГБ/с. Кроме больших скоростей модули uMCP имеют малые габариты. Так, размер в плане нового пакета составляет 11,5×13 мм.

Уже сейчас южнокорейский гигант заявляет, что тестирует новые пакеты LPDDR5 uMCP с некоторыми крупнейшими производителями смартфонов, а значит, эти пакеты найдут себе применения в телефонах уже в этом месяце.