Новости про Samsung

По уверению разработчиков, новая память обеспечит лучшие скорости передачи данных и повышенную энергоэффективность, по сравнению с предыдущей памятью 20 нм класса. Так, прирост составит до 30%, а чипы смогут поддерживать передачу данных на скорости до 3200 Мб/с.

Что касается энергоэффективности, то она возрастёт на 10—20%. Этого удалось добиться благодаря фирменной конструкции ячеек памяти Samsung, новой технологии литографии и технологии осаждения сверхтонкого диэлектрического слоя.

Кроме энергоэффективности это позволило повысить и качество. В своём блоге компания отметила, что при переходе на 10 нм производство 8Gb DDR4 DRAM количество брака на пластинах снизилось более чем на 30%.

Следующим шагом в развитии памяти, компания Samsung видит выпуск более плотных 10 нм чипов мобильной ОЗУ, которая будет иметь меньшие габариты и большую скорость работы.

Также не будут забыты и пользователи PC, которые получат модули памяти объёмом от 4 ГБ для ПК и ноутбуков до 128 ГБ для промышленных серверов. Эти модули памяти южнокорейская компания планирует выпустить в текущем году.

Ли отметил, что со стороны крупных производителей ОЗУ начнётся ценовой прессинг, который расширится и на остальные рынки памяти, включая память для мобильных устройств, серверов и бытовых гаджетов. При этом компания считает, что амплитуда удешевления не будет столь экстремальной, какой она была в первом квартале.

Во втором полугодии господин Ли ожидает, что спрос на чипы DRAM будет выше, чем в первом, однако условия рынка будут менее понятными, а цена будет зависеть от того, насколько быстро Samsung, Hynix и Micron нарастят мощности.

Он отмечает, что возможно падение цены на 20—30%, однако если производство быстро наберёт обороты, можно ожидать снижения цены на 25—40%. При этом Ли отметил, что в прошлом году цена на DRAM снизилась на 20—30%.

Южнокорейский гигант отметил, что начал массовое производство памяти, основанной на стандарте Universal Flash Storage (UFS) 2.0, который вдвое быстрее устройств прошлого поколения UFS.

Таким образом, современные телефоны могут стать заметно быстрее. Дело в том, что скорость чтения с новых чипов вдвое быстрее, чем в типичных SATA SSD, и достигает 850 МБ/с. Правда, скорость записи немного ниже и может достигать 250 МБ/с.

По словам производителя, новая память позволит «бесшовно воспроизводить UltraHD видео», а при комбинации с технологией USB 3.0 обеспечит заметное ускорение в передачи данных на устройство.

Примечательно, что новый чип по размеру даже меньше карты micoSD, что облегчает его интеграцию в смартфоны, при том, что скорость работы такого устройства несравнимо выше, чем у съёмных решений.

Что касается внедрения, то Tame Apple Press уже заявила, что в первую очередь микросхемы памяти будут использованы в новых мобильных решениях Apple, но вполне возможно, что скоро мы их увидим и в некоторых смартфонах Samsung.

Накопитель разработан для подключения посредством 12 Гб/с интерфейса Serial Attached SCSI (SAS). Он оснащён улучшенным блоком контроллера и 16 ГБ кэша DRAM. Удивительно, но компания сумела уместить этот гигантский накопитель в стандартный форм-фактор 2,5”.

По информации компании-разработчика, добиться такой компактности ей помогла память V-NAND третьего поколения. «Данный SSD представляет собой комбинацию 512 чипов памяти Samsung V-NAND объёмом 256 Гб. Кристаллы 256 Гб уложены в 16 слоёв для формирования большого 512 ГБ пакета, а всего 32 таких NAND пакетов создают накопитель ёмкостью 15,36 ТБ. Используя 3-е поколение 256-гигабитной V-NAND технологии Samsung, которая собирает массивы ячеек в 48 слоёв, линейка PM1633a обеспечивает значительный прирост производительности и надёжности, по отношению к предшественникам, в которых использовалось 2-е поколение 32-слойной 128 Гб памяти V-NAND».

Южнокорейский гигант отметил, что накопитель может читать случайные данные на скорости до 200 000 IOPS, а скорость случайной записи достигает 32 000 IOPS. Последовательные же чтение и запись могут достигать 1200 МБ/с.

Новый накопитель доступен в широкой линейке объёмов от 15,36 ТБ до 480 ГБ. О ценах пока ничего не сообщается.

Представленные Samsung мониторы включают 3 модели. Все они имеют разрешение 1080p и все позволяют динамически менять частоту кадров при подключении по HDMI. При этом, к сожалению, максимально доступная частота кадровой развёртки составляет 60 к/с. Все три монитора построены на базе панелей VA с яркостью 250 нит и контрастностью 3000:1.

Новые мониторы имеют вогнутый экран с радиусом 1800 мм, так что если вы предпочитаете плоские дисплеи, первое решение FreeSync по HDMI не для вас. Надо отметить, что это достаточно сильноизогнутый экран, поскольку большинство дисплеев имеют радиус гиба 2700 мм и 3000 мм.

Компания подготовила 3 монитора в двух линейках: CF591, которая включает единственную 27” модель, и CF390, представленную 23,5” и 27” экранами. Главными отличиями между ними стали широкая цветовая палитра в CF591, включающая 117% sRGB, два видеовхода HDMI и встроенные 5 Вт динамики. В то же время CF390 не имеет подобных функций, а видеовходы представлены HDMI и VGA.

Новые мониторы поступят в продажу в марте этого года на территории США, Европы и Азии, а на остальных рынках их можно будет приобрести в  апреле. О цене пока ничего не сообщается.                      

Компания заявила, что представленные 10 нм чипы на 38% меньше, чем их аналоги, выпущенные по 14 нм технологии.

По словам Тхаэджоона Сона, автора документации Samsung SRAM, главное, что должны знать конструкторы чипов, это то, что существует рост производительности при переходе на 10 нм. Однако конечное сопротивление этих чипов, по сравнению с 14 нм, не улучшилось. Отвечая на вопросы, он сообщил, что конечное сопротивления продолжит расти и при 7 нм технологии производства. Сон отметил: «Вы ожидаете, что новый процесс будет лучше во всём, но не в этом случае».

Отмечается, что компания Samsung приступит к массовому производству чипов по 10 нм FinFET технологии к концу этого года.

Данное дело включало нарушение четырёх патентов Samsung, однако было сокращено до одного, поскольку Samsung отказалась от одного из патентов до начала суда, а два других, по мнению суда, основаны на ложных данных.

В ходе слушаний в федеральном суде Ричмонда, штат Виржиния, было установлено, что NVIDIA не нарушала патентов, принадлежащих Samsung. Гектор Мартинез, представитель NVIDIA, после заседания сообщил: «Мы удовлетворены окончанием этого дела, что отражает особое внимание суда к фактам и применённому закону».

Примечательно, что в декабре NVIDIA проиграла дело в торговой палате США, по которому обвинила Samsung в нарушении патентов в области графики, на что американская компания подала апелляцию.

Эти сверхширокоформатные мониторы будут представлены в диагоналях 30” и 35” и будут выпущены во втором и третьем кварталах соответственно. Скорее всего, релизы будут приурочены к выпуску новых поколений видеокарт, в которых будет встроен порт DisplayPort 1.3, достаточный, для поддержки такого изображения.

Ожидается, что обе модели дисплеев получат VA матрицу, которая обладает более высоким контрастом и лучшей цветопередачей, по сравнению с TN панелями.

Сейчас же можно встретить мониторы с максимальной частотой «развёртки» в 100 Гц при разрешении 3440x1440 пикс., и это будет «разогнанный» режим. К сожалению, большей никакой информации о готовящихся дисплеях нет, но наверняка ближе к их выпуску она станет общедоступной.

Впервые же технологию FinFET компания запустила в первом квартале 2015 года, изготовив LPE (Low-Power Early) процессор Exynos 7 Octa. С новой же технологией южнокорейская компания продолжит демонстрировать своё технологическое лидерство, обеспечив распараллеленную производительность и энергоэффективность процессора Exynos 8 Octa, а также SoC Snapdragon 820 от компании Qualcomm, которые будут изготовлены в первой половине текущего года.

Использование трёхмерной FinFET структуры транзисторов позволило в процессе LPP увеличить производительность и уменьшить энергопотребление на 15%, по сравнению с процессом LPE. Кроме того, использование полностью обеднённых FinFET транзисторов позволяет улучшить возможности производства, расширив пределы масштабирования.

Таким образом, обновлённый 14 нм FinFET техпроцесс должен стать одним из самых оптимизированных решений для IoT приложений. Компания ожидает увидеть растущий спрос на эту технологию в широком спектре отраслей, от сетевых устройств до автомобилей.

В накопителе T3 разработчик использовал вертикальную NAND память (V-NAND) собственной конструкции, технологию SSD TurboWrite и новейший интерфейс USB 3.1 Type-C. Всё это позволило обеспечить скорость чтения и записи данных в 450 МБ/с. Накопитель отформатирован в exFAT и поддерживает работу с широким спектром устройств, включая компьютеры под управлением Windows и Mac OS, а также портативные устройства на базе Android.

Накопитель Portable SSD T3 компактен и прочен. Его габариты составляют всего 74х58х10 мм при выдерживаемых перегрузках в 1500 G. Фактически это означает, что накопитель можно без последствий уронить с высоты в 2 метра. Встроенная технология Thermal Guard предупреждает перегрев накопителя при высоких температурах.

Представленный SSD доступен в четырёх вариантах с объёмом в 250 ГБ, 500 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. С февраля устройство можно будет приобрести в США, Китае, Корее и некоторых странах Европы, а в остальных странах его можно будет купить спустя несколько месяцев. Цена на  Portable SSD T3 пока не называется, но известно, что гарантия на накопитель составит 3 года.