Новости про Samsung

Новые 8 ТБ NVMe NF1 SSD были оптимизированы для приложений с высокой интенсивностью обмена данными и промышленных серверов. Накопители построены на 16 NAND пакетах объёмом 512 ГБ от Samsung. Каждый из них представлен стеком из 16 слоёв объёмом по 256 Гб 3-х битной памяти V-NAND. В результате объём накопителя составляет 8 ТБ при габаритах 11×3,05 см. Это вдвое больший объём, чем предлагают обычные M.2 SSD размером 11×2,2 см, созданные для сверхтонких ноутбуков.

Новый формат должен быстро заменить 2,5” накопители благодаря втрое большей плотности, позволяя использовать беспрецедентные 576 ТБ в последних серверах 2U.

Кроме новой памяти накопители также получили и новый высокопроизводительный контроллер с поддержкой протокола NVMe 1.3 и интерфейса PCIe 4.0. Всё вместе это обеспечивает скорость последовательного чтения на уровне 3100 МБ/с и запись со скоростью 2000 МБ/с, что впятеро быстрее типичного SATA-SSD. Скорости случайного чтения и записи могут достигать 500K и 50K операций в секунду соответственно.

Для гарантирования длительной сохранности данных накопитель был создан с уровнем надёжности в 1,3 перезаписи в день за свой гарантийный трёхлетний период.

В них используется память 10-нанометрового класса, а модули предназначены для достижения производительности эквивалентной настольным ПК. По словам Samsung, новая память заметно увеличивает ёмкость и скорость работы, при снижении потребляемой энергии.

Так, в сравнении с прошлым поколением 16 ГБ модулей, изготовленных по 20 нм классу из чипов по 8 Гб, новые модули обещают 11% прирост в скорости и на 39% меньшее потребление энергии. Новая память обладает пропускной способностью в 2,666 Мб/с, а пара таких модулей при объёме 64 ГБ будет потреблять менее 4,6 Вт при нагрузке и 1,4 Вт в простое.

Карты памяти форматов microSDHC и microSDXC доступны в объёмах 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ. Они предназначены для автомобильных видеорегистраторов и прочих систем видеофиксации.

По данным Samsung карты PRO Endurance обеспечивают скорость последовательного чтения в 100 МБ/с, а записи — 30 МБ/с. Однако сильнее впечатляет надёжность. В компании считают, что она «в 25 раз выше, чем в предыдущих картах, сфокусированных на скорости».

Версия объёмом 128 ГБ может записать 43 800 часов Full-HD видео без остановок. Это 1825 дней или 5 лет!

Карты объёмом 64 ГБ и 32 ГБ не уступают топовой модели, предлагая беспрерывную работу в 26 280 и 17 520 часов соответственно.

Кроме этого карты памяти PRO Endurance обладают влагозащитой (до IPX7), защитой от перегрева, рентгеновского и магнитного излучений.

Карты памяти Samsung PRO Endurance поступят в продажу в конце месяца по цене 27, 49 и 97 долларов США за модели объёмом 32, 64 и 128 гигабайт соответственно.

В конце года экономический регулятор Китая начал расследование касательно высокой стоимости памяти. Теперь же и другие агентства решают присоединиться к процессу, подав иск на Samsung, SK Hynix и Micron.

Эти три компании являются крупнейшими производителями DRAM. Иск подан адвокатской конторой Hagens Berman в Калифорнии. Согласно этому иску все три компании обвиняются в коллективном ограничении поставок и незаконном раздувании цены.

В качестве доказательства иск приводит скачки цен на память в прошлом году, в результате которых цены на DRAM выросли на 47%, считая эти изменения неслучайными.

Стив Берман, один из адвокатов, сделал заявление: «То, что мы нашли на рынке DRAM — классическая монополия, схема фиксации цены, с малым количеством лидирующих корпораций держащих львиную долю рынка. Вместо игры по правилам, Samsung, Micron и Hynix решили придушить клиентов, выдавив из рынка больше прибыли».

Что касается самих виновников дела, то пока ни Micron, ни Samsung, ни SK Hynix не дали своих комментариев.

Так, Samsung Electronics опубликовала патенты на складные устройства в Корее и США, и уже в этом году представит дорожную карту на складные модели. В компании готовят смартфоны с внутренней складкой экрана уже 5 лет, и уже на 80% завершили разработку.

У Apple также разместили ряд патентов на раскладушки, включая один на устройство с тройным сложением экрана. Эти технологии также будут применяться не только в смартфонах, но и в других устройствах.

В Huawei зарегистрировали патент на устройство с одним экраном, который будет складываться посредине. Патент зарегистрирован в сентябре 2017 года.

Что касается LG Electronics, то компания заявляла о складных устройствах в августе. В компании отмечают, что это будут устройства с соединимым из двух частей экраном. При этом одна из частей даже в сложенном состоянии отображает служебную информацию.

Прочие китайские производители, включая Oppo, Lenovo, ZTE и другие, также готовят свои аналогичные варианты.

В 2019 году общемировые поставки складных смартфонов прогнозируются на уровне 700 000 штук, и дальше будут расти до 30,4 миллионов в 2021 году и 50,1 миллиона до 2022 года.

Скорее всего, под 7 нм процессом подразумеваются 7 нм LPP (low power plus) узлы, для производства которых применяется экстремальная ультрафиолетовая литография.

По имеющимся данным, Samsung наладила производственные условия и закончила опытные работы по 7 нм EUV процессу на линии Hwaseong S3. Инженеры и конструкторы, создававшие 7 нм процесс, подготовили конструктивную базу и методологии, необходимые для начала опытного производства для клиентов. Сами инженеры перешли к разработке 5 нм процесса, который пока находится на самых ранних этапах.

Согласно данным SE Daily, Samsung будет готова к началу массового производства Qualcomm Snapdragon 855 по 7 нм LPP процессу в конце этого или начале следующего года. В компании сообщают, что 7 нм технология обеспечивает на 40% меньше чипы, по сравнению с 10 нм процессом. Также они обеспечат 10% прирост производительности или 35% снижение энергопотребления.

Неважно, требуется ли вам эффективная работа с телефоном, либо вы хотите поиграть, DeX Pad позволит вам подключить большой монитор, мышь и клавиатуру.

«Samsung DeX Pad перекрывает пространство между смартфонами и настольным ПК», — заявила Аланна Коттон, старший вице-президент Samsung Electronics America, — «DeX Pad — это более чем аксессуар. Это отражение нашей философии мобильной технологии: инновационные устройства и сервисы, работающие вместе безраздельно, помогающие потребителям создавать ещё большее».

Что касается технической части, то DeX Pad содержит пару портов USB-A 2.0, порт зарядки USB-C и видеовыход HDMI. Он поддерживает разрешения вплоть до 2560×1440 пикс. и совместим с телефонами Galaxy S8, S8+, S8 Active, Note8, S9 и S9+. Телефон, при этом, должен быть обновлён до Android OS версии 8.0.

В Samsung готовятся выпустить док-станцию S9 DeX Pad 13 мая по цене 100 долларов США.

Это сотрудничество нацелено на создание мобильных чипсетов Qualcomm Snapdragon 5G с использованием 7-нм LPP EUV процесса от Samsung.

В то же время Qualcomm ожидает, что будущие 5G-чипсеты будут выпущены на производственных мощностях южнокорейского гиганта. Использование 7-нм процесса обеспечит меньшую площадь чипа, позволив OEM изготовителям применять освободившееся пространство в других целях. Кроме того, новый усовершенствованный процесс, вместе с улучшенной конструкцией схемы, обеспечит значительное увеличение срока автономной работы.

По сравнению с 10-нм FinFET процессом, технология 7LPP EUV не только снижает сложность процесса и уменьшает количество шагов при изготовлении, но и на 40% повышает эффективность использования пространства, с 10% приростом производительности или до 35% снижения энергопотребления.

Однако теперь южнокорейский гигант решил закрепить своё лидерство, представив 2,5” SSD объёмом 30,72 ТБ.

Новый накопитель PM1643 построен на вертикальных 3D NAND чипах объёмом по 512 Гб. Не так давно фирма анонсировала терабитные чипы, но пока эта технология не готова к массовому внедрению, а потому в Samsung использовали хорошо откатанную микросхему ёмкостью 512 Гб.

Представленный накопитель обеспечивает скорость чтения до 2100 МБ/с, а записи — до 1700 МБ/с. Модель доступна в нескольких вариантах объёма. Так, кроме 30,72 ТБ версии выпущены варианты ёмкостью 15,36 ТБ, 7,68 ТБ, 3,84 ТБ, 1,92 ТБ, 960 ГБ и 800 ГБ.

Будем надеяться, что внедрение новых накопителей повлечёт создание более ёмких и дешёвых устройств хранения данных для компьютеров и мобильных устройств.

На той же конференции Intel представила свою конструкцию SRAM, но изготовленную по 10 нм, что «в пределах 15% от указанных 7 нм ячеек». Некий аналитик на EE Times заявил, что для intel это совершенно нехарактерно, заявлять о 15% отставании от конкурентов.

Intel заявила о 0,0312 мм² высокоплотных и 0,0367 мм² низковольтных битовых ячейках SRAM, выполненных по 10 нм процессу. В то же время 6T 256 мегабитное устройство Samsung имеет битовую ячейку площадью 0,026 мм². Конструкция Intel предлагает 0,62–0,58x масштаб по сравнению с 14 нм SRAM, сохраняя исполнение закона Мура и оставаясь «в пределах 15% от самой маленькой 7 нм ячейки».

Некоторые обозреватели скептически настроены по отношению к Samsung. Так, Дэвид Кэнтер отмечает, что Intel и TSMC куда более консервативны в разработке EUV, чем Samsung, и именно в этом кроется разница. Сама же Samsung отказалась сообщить о сроках начала производства EUV продуктов, что может означать фактическую невозможность южнокорейского гиганта выпускать такую продукцию.

В любом случае мы видим, что технология экстремальной ультрафиолетовой литографии, долгие годы откладывавшаяся на более тонкие техпроцессы, наконец находит себе место у производителей интегральных схем.