Новости про NAND и Toshiba

Новая серия клиентских SSD получила название SG5. Как было сказано выше, накопители основаны на микросхемах NAND памяти, изготовленной по 15 нм технологии. Выпуск накопителей в различных форм-факторах, как старом добром 2,5”, так и новомодном M.2 2280 (одно- и двухстороннем), позволяет продукту найти себе применение в различных условиях монтажа.

Кроме эффективной памяти серия SG5 также может похвастать собственной технологией коррекции ошибок, получившей название QSBCTM (Quadruple Swing-By Code), и поддержкой высокоэффективной кодировки коррекции ошибок ECC, которая повышает защищённость пользовательских данных от повреждения и повышает долговечность накопителя.

Таким образом, компания продолжает усиливать свои позиции на рынке SSD, предлагая новые модели накопителей для различных нужд. Поставки опытных образцов накопителей Toshiba SG5 уже начались.

Разработанный прототип новой микросхемы памяти компания представила на конференции Flash Memory Summit 2015.

При традиционной конструкции стековой флеш-памяти, слои связаны между собой на торцах пакета. Технология Through Silicon Via (TSV) использует вертикальные электроды и связи для прохождения сквозь ядра памяти для их объединения. Всё это позволяет увеличить скорость передачи данных и снижает энергопотребление.

Технология TSV от Toshiba позволяет достичь скорости передачи данных на уровне 1 Гб/с при меньшем напряжении питания чем прочие типы NAND: 1,8 В для цепей ядра, 1,2 В для цепей ввода-вывода. Также на 50% снижается энергопотребление при операциях чтения, записи и передачи данных.

Накопители изготовлены с использованием 19 нм NAND памяти TLC производства Toshiba. Также Toshiba подготовила и контроллер для накопителя. Примечательно, что контроллер обладает технологией кэширования в память SLC, которая характеризуется максимальной последовательной скоростью чтения и записи. Среди других возможностей контроллера можно отметить режим DEVSLEEP, в котором накопитель потребляет лишь 6 мВт. Безусловно, имеется поддержка NCQ и TRIM.

Накопитель OCZ Trion 100 будет поставляться в объёмах 120, 240, 480 и 960 ГБ по цене 57, 88, 185 и 370 долларов США соответственно. Все 4 варианта предлагают скорость последовательного чтения на уровне 550 МБ/с. В то же время скорость записи немного меняется в зависимости от объёма и при его увеличении составляет 450 МБ/с, 520 МБ/с, 530 МБ/с и 530 МБ/с. Максимальная случайная скорость чтения блоками по 4 КБ составляет 79 000 IOPS для 120 ГБ версии и 90 000 IOPS для остальных. Средняя скорость записи варьируется от 25 000 IOPS до 64 000 IOPS.

Накопитель выпущен в 2,5” форм-факторе толщиной 7 мм с интерфейсом SATA 6 Гб/с. Гарантия на серию Trion 100 составляет 3 года.

Память получила название BiCS (сокращение от bit cost scalable). Компании создали чипы с памятью по 2 бита на ячейку, что обеспечит плотность записи в 128 гигабит (16 ГБ) на чип. Опытное производство памяти уже начато, а массовое должно начаться в первой половине 2016 года на новом заводе Fab2 в Yokkaichi Operations.

«Мы с радостью представляем наше второе поколение 3D NAND, обладающее 48-слойной архитектурой, которое разработано совместно с нашим партнёром Toshiba», — заявил доктор Шива Шиварам, исполнительный вице-президент по технологии памяти компании SanDisk.  «Мы использовали наше первое поколение технологии 3D NAND как средство изучения, позволившее нам разработать наше коммерческое второе поколение 3D NAND, которое, мы уверены, предоставит нашим клиентам интереснейшее решение в сфере накопителей».

Компания SanDisk планирует использовать второе поколение технологии 3D NAND в широком спектре решений, от съёмных накопителей до промышленных SSD.

Сами микросхемы памяти начали изготавливаться ранее в этом году на заводе, которым компания владеет совместно с Sandisk.

Будучи нацеленной на мобильные телефоны и рынок носимой электроники, 15 нм серия Toshiba на 26% меньше, чем предыдущие микросхемы компании. Кроме того, они на 8% быстрее при случайном чтении и на 20% быстрее при записи, благодаря оптимизации контроллера.

Каждая группа по объёму представлена в двух версиях: Premium, для устройств начального и среднего сегментов, и Supreme, для хай-энд устройств. В первом квартале 2015 года компания станет предлагать модули объёмом 16 ГБ, 32 ГБ и 64 ГБ. По словам Toshiba, во втором квартале будут представлены также модули по 8 ГБ и 128 ГБ. Габариты памяти очень мало зависят от объёма. Например, 32 ГБ Supreme памяти имеют габариты в 11,5х13х1 мм.

На заводах компания Toshiba новая технология заменит нынешний 19 нм процесс. Теперь компания обладает самой тонкой технологией производства микросхем, который позволит ей увеличить скорость передачи данных до 533 Мб/с благодаря более быстрому интерфейсу.

Кроме того, компания объявила о подготовке к запуску 15 нм процесса производства TLC памяти, которая предназначена для смартфонов и планшетов, а также для SSD (после разработки соответствующего контроллера).

Также стало известно, что и SanDisk готовит к выпуску 15 нм технологию производства памяти, которую она назвала 1Z-nanometer. Её технология также позволит выпускать чипы NAND по 2 и 3 бита на ячейку, однако промышленный выпуск микросхем начнётся во втором полугодии.

Используя DDR NAND память от Toshiba, новые продукты способны обеспечить чтение или запись blu-ray диска объёмом 25 ГБ всего за 5 минут, что в 22 раза быстрее, чем в моделях, подключаемых по USB 2.0. По заявлению производителя, реальная скорость чтения с накопителя может достигать 222 МБ/с! При этом максимальная скорость записи ненамного меньше и равна 205 МБ/с, а это вдвое больше, чем у предыдущего поколения TransMemory-EXTM. Как и следует ожидать, новые флешки Toshiba полностью совместимы с предыдущими поколениями интерфейсов USB, включая 2.0 и 1.1. Представленные флешки выпускаются в трёх вариантах: с ёмкостью 32 ГБ, 64 ГБ и 128 ГБ.

Новые накопители поддерживают специальное программное обеспечение, которое позволяет защищать паролем определённые блоки данных, таким образом ограждая их от нежелательного доступа.

Компания Toshiba пообещала и впредь совершенствовать свои накопители, увеличивая ёмкость и скорость работы. Компания продолжит продвигать инновации, расширяя горизонты рынка NAND флеш, и сохранять лидерство на этом рынке.

Инноваторы флэш-памяти выпустили 11 различных моделей SSD, форм-фактор которых лежит в диапазоне от 2,5” (при 7 и 9,5 мм толщине) до mSATA, при этом все модели ряда имеют память, изготовленную по 19” техпроцессу, которая впервые была анонсирована в апреле этого года.

Кроме высоких плотностей записи (а значит и объёма), новые SSD используют технологии, оптимизированные для Windows 8. Так, внутри накопителей находится контроллер SATA версии 3.1 с улучшенным управлением питанием; оптимизированный сборщик мусора, повышающий производительность, при этом новый режим будет доступен лишь в Windows 8 и будущих ядрах Linux; оптимизированную для повышения производительности функцию коррекции ошибок QSBC, а также режим «только для чтения», что повышает безопасность и продолжительность работы накопителя в таких системах как IPC.

Представленные модели шириной в 2,5” отличаются только размерами. Все они имеют объём от 64 до 512 ГБ при скорости передачи данных в 524 МБ/с (64 ГБ работает на скорости в 440 МБ/с). Модели форм-фактора mSATA имеют сходную производительность при ёмкости от 64 до 256 ГБ.

Несмотря на анонс накопителей, сделанный в начале лета, приобрести 19 нм SSD от Toshiba удастся не раньше августа 2012 года.

Тогда же Toshiba начали производство 19 нм NAND флэш-памяти, а готовые продукты появились на рынке к осени 2011 года. Однако то были образцы только MLC продуктов, TLC микросхемы, с тремя битами на ячейку, компания обещала представить позднее.

И вот месяц назад Toshiba начала производить 19 нм чипы NAND памяти с тремя битами на ячейку, объёмом 128 Гб. При этом новые чипы стали самыми маленькими в мире, занимая площадь лишь в 170 мм². Кроме того компания утверждает, что на основе их микросхем будут изготовлены быстрейшие в мире накопители, со скоростью записи в 18 МБ/с.

Безусловно, уменьшение технологии производства TLC чипов вызвало массу проблем, среди которых управление напряжением, усиление записи и коррекция ошибок, которые имеют большое значение при уменьшении норм производства твердотельной памяти. Тем не менее, в Toshiba утверждают, что им удалось оптимизировать периферийную сеть микросхем памяти, а также внедрить технологию воздушных зазоров для транзисторов, благодаря чему расстояние между ячейками памяти было уменьшено до 5%.

Нам лишь остаётся пожелать Toshiba успеха в их работе и ожидать появления первых 19 нм TLC накопителей среди ассортимента продукции партнёров компании.