Новости про NAND и SSD

Память SLC не надёжнее MLC

На заре твердотельных накопителей в них использовалась память SLC с одним хранимым битом на ячейку. Позже появилась память MLC с двумя и TLC с тремя битами. Эта память стоит дешевле, но традиционно считается менее надёжной, по сравнению с SLC, которую продолжают использовать в SSD промышленного уровня.

Учёные из Университета Торонто совместно с Google провели исследование, в котором оценили надёжность работы твердотельных накопителей за последние 6 лет. Они установили, что SLC и MLC накопители служат практически равномерно. Исследование показало, что несмотря на заметно меньшую надёжность записи MLC, они вполне могут соперничать с SLC. Наибольшее количество отказов SSD было вызвано их старением, а не числом циклов перезаписи. Это в очередной раз показало, что сбои контроллера, прошивки, дефекты NAND намного чаще приводят к замене накопителя, ещё до того, как NAND память выйдет из строя из-за большого числа перезаписей.

Также согласно исследованию, показатель количества нескорректированных ошибок (Uncorrectable Bit Error Rate) не имеет смысла, в то время как общее число ошибок (Raw Bit Error Rate) очень важно. Таким образом, производители оказались очень консервативны в своих допущениях. За первые 4 года эксплуатации от 30 до 80% SSD получают как минимум один плохой блок, а от 2 до 7% накопителей получают как минимум один плохой чип. Исследователи подытожили, что при эксплуатации накопители не потеряют все свои данные одновременно, как при сбоях HDD, а будут страдать «забывчивостью», теряя небольшие участки данных.

Как известно, большинство SSD позволяют восстановить данные из сбойных блоков, так что такие отказы не будут иметь значимых последствий. Учёные провели исследование и на корпоративных SSD, которые эксплуатируются в более жёстких режимах, и единственный вывод, который можно из него  сделать— это то, что память SLC просто медленнее, но совершенно не надёжнее. В общем, используя SSD, вам стоит беспокоиться не о количестве циклов перезаписи, а о возрасте накопителя.

Toshiba готовит первый потребительский SSD с 15 нм памятью

Компания Toshiba объявила о том, что она готовит к выпуску свои первые твердотельные накопители форм-фактора 2,5” и M.2, основанные на TLC флэш-памяти, изготовленной по нормам 15 нм процесса. Компания готовит широкий спектр моделей объёмом от 128 ГБ до 1 ТБ.

Новая серия клиентских SSD получила название SG5. Как было сказано выше, накопители основаны на микросхемах NAND памяти, изготовленной по 15 нм технологии. Выпуск накопителей в различных форм-факторах, как старом добром 2,5”, так и новомодном M.2 2280 (одно- и двухстороннем), позволяет продукту найти себе применение в различных условиях монтажа.

Кроме эффективной памяти серия SG5 также может похвастать собственной технологией коррекции ошибок, получившей название QSBCTM (Quadruple Swing-By Code), и поддержкой высокоэффективной кодировки коррекции ошибок ECC, которая повышает защищённость пользовательских данных от повреждения и повышает долговечность накопителя.

Таким образом, компания продолжает усиливать свои позиции на рынке SSD, предлагая новые модели накопителей для различных нужд. Поставки опытных образцов накопителей Toshiba SG5 уже начались.

Crucial выпускает SSD с 16 нм NAND памятью

Компания Crucial, один из мировых лидеров в производстве памяти, представил модель бюджетного SSD Crucial BX200, который может похвастать неплохой производительностью. Накопитель разработан для использования в домашних компьютерах и для SMB.

Твердотельный накопитель BX200 построен на базе 16 нм флеш-памяти NAND и предлагает последовательную скорость чтения и записи на уровне 540 МБ/с и 490 МБ/с соответственно. Случайная же скорость работы составляет 66 000 IOPS и 78 000 IOPS соответственно. Таким образом, новый привод по сравнении с традиционными HDD обладает в 13 раз большей скоростью работы и в 40 раз меньшим энергопотреблением.

Сообщается, что устройство построено на контроллере Silicon Motion SM2256 с сертифицированной разработчиком прошивкой.

Устройство Crucial BX200 доступно к приобретению в форм-факторе 2,5” в моделях с объёмом 240 ГБ, 480 ГБ и 960 ГБ по цене в 105, 180 и 360 долларов США. Вместе с накопителем также поставляется ПО для переноса данных Acronis True Image HD, которое позволяет без проблем осуществить миграцию со старого жёсткого диска на новый SSD.

Samsung представляет 950 PRO M.2 PCIe SSD с технологией V-NAND

Компания Samsung представила первый потребительский твердотельный накопитель модели 950 PRO формата M.2 и технологией Non-Volatile Memory Express (NVMe) и вертикальной NAND памятью (V-NAND). Подключение M.2 реализовано посредством четырёхлинейного интерфейса PCIe 3.0.

Использование протокола NVMe позволяет Samsung 950 PRO обеспечить улучшенную производительность, а также меньшее энергопотребление, помогая увеличить срок автономной работы и снизить операционные затраты.

Накопитель 950 PRO предлагается в объёмах 256 ГБ и 512 ГБ. Версия объёмом 512 ГБ обеспечивает последовательную скорость чтения/записи на уровне до 2500 МБ/с и 1500 МБ/с соответственно. Случайная скорость чтения составит 300 000 IOPS, а записи — 110 000 IOPS. Накопитель поставляется с 256-битным AES шифрованием и технологией Dynamic Thermal Guard которая защищает накопитель и данные в температурном диапазоне от 0 до 70 °C.

На свой накопитель производитель предлагает 5 летнюю гарантию с объёмом перезаписи на уровне 200 ТБ для 256 ГБ модели, и 400 ТБ для 512 ГБ варианта. Оба накопителя поступят в продажу в октябре по цене в 200 и 350 долларов США.

OCZ анонсирует бюджетный SSD Trion 100

Компания OCZ анонсировала выпуск Trion 100 — новой линейки недорогих твердотельных накопителей, нацеленных на тех пользователей, которые решили впервые отказаться от HDD в пользу новых технологий.

Накопители изготовлены с использованием 19 нм NAND памяти TLC производства Toshiba. Также Toshiba подготовила и контроллер для накопителя. Примечательно, что контроллер обладает технологией кэширования в память SLC, которая характеризуется максимальной последовательной скоростью чтения и записи. Среди других возможностей контроллера можно отметить режим DEVSLEEP, в котором накопитель потребляет лишь 6 мВт. Безусловно, имеется поддержка NCQ и TRIM.

Накопитель OCZ Trion 100 будет поставляться в объёмах 120, 240, 480 и 960 ГБ по цене 57, 88, 185 и 370 долларов США соответственно. Все 4 варианта предлагают скорость последовательного чтения на уровне 550 МБ/с. В то же время скорость записи немного меняется в зависимости от объёма и при его увеличении составляет 450 МБ/с, 520 МБ/с, 530 МБ/с и 530 МБ/с. Максимальная случайная скорость чтения блоками по 4 КБ составляет 79 000 IOPS для 120 ГБ версии и 90 000 IOPS для остальных. Средняя скорость записи варьируется от 25 000 IOPS до 64 000 IOPS.

Накопитель выпущен в 2,5” форм-факторе толщиной 7 мм с интерфейсом SATA 6 Гб/с. Гарантия на серию Trion 100 составляет 3 года.

Samsung предлагает SSD объёмом 2 ТБ

Нужно быстрое хранилище для вашего настольного ПК, но вы не можете принять никаких компромиссов по его скорости? Тогда новое решение Samsung для вас.

Компания представила новые твердотельные накопители 850 PRO и 850 EVO объёмом 2 ТБ.

Теперь, предложив две новые модели, в портфеле компании имеются 20 различных решений с вертикальной 3D NAND памятью объёмом от 120 ГБ до 2 ТБ. Все они относятся к модельным рядам 850 PRO и EVO. Все 20 накопителей выпускаются в одинаковом 2,5” корпусе толщиной 7 мм.

Твердотельные накопители объёмом 2 ТБ оснащены 128 отдельными 32-слойными 128 Гб чипами 3D NAND производства Samsung, обновлённым высокопроизводительным контроллером MHX и четырьмя 20 нм чипами LPDDR DRAM объёмом 4 Гб. Модель 2TB 850 EVO имеет гарантию на запись 150 ТБ данных, а 850 PRO — на запись 300 ТБ.

В ближайшем будущем Samsung также надеется выпустить 2 ТБ накопители 850 серии в форматах mSATA и M.2.

Чтобы приобрести новые накопители вам придётся выложить 800 долларов за модель 850 EVO и 1000 долларов за 850 PRO.

Intel и Micron обещают SSD объёмом 10 ТБ

Как известно, Toshiba и SanDisk совсем недавно представили свои 128 Гб модули NAND состоящие из 48 слоёв. Их главные конкуренты, Intel и Micron, пока заметно отстают от них в количестве слоёв. Эти компании анонсировали лишь 32-слойную архитектуру чипа, однако им удалось значительно продвинуться в плотности микросхем.

Так, по уверениям Intel, им удалось создать 256 Гб чип в MLC-конфигурации, и 384-битный в TLC-конфигурации памяти. Этого удалось добиться благодаря использованию в 3D-архитектуре плавающего затвора, который обычно применяется в планарной технологии изготовления чипов.

Благодаря использованию новой технологии, обычный 2,5” SSD будет иметь объём до 10 ТБ. В более компактном «брелковом» размере, объём может достигнуть 3,5 ТБ. Обе компании-разработчика отмечают, что новая технология снижает удельную стоимость производства, позволяет повысить производительность, увеличить срок службы и даже понизить энергопотребление, по сравнению с NAND-чипами, выпущенными по планарной технологии.

По словам фирм, опытное производство 256 Гб MLC-микросхем уже начато, в то время как выпуск 384 Гб TLC-микросхем начнётся этим летом. С учётом этого компании планируют начать массовый выпуск данной продукции до конца текущего года. Кроме того, обе компании объявили, что они одними из первых начнут выпуск конечных продуктов на базе новой памяти, обещая выпуск фирменных SSD в середине 2016 года.

Micron и Seagate создали стратегический альянс

Компании Micron Technology, Inc., и Seagate Technology анонсировали стратегическое соглашение, которое устанавливает структуру, комбинирующую инновации и опыт обеих компаний.

Образованная в результате соглашения структура позволит клиентам обеих компаний получить преимущества от концентрации усилий по обеспечению лучших в отрасли решений в области хранения данных, помогая им более быстро и эффективно внедрять инновации.

Несмотря на то, что изначально данное сотрудничество сфокусировано на стратегических поставках NAND и SAS SSD следующего поколения, в Micron и Seagate надеются, что это многолетнее соглашение перерастёт в будущее сотрудничество в работе над решениями для корпоративного рынка, благодаря поддержке технологии NAND flash памяти от Micron. Президент по общемировым операциям с продукцией EMC Corporation Майк Кероуак заявил: «Мы смотрим в будущее на преимущества от этого сотрудничества Micron и Seagate, в будущее технологий хранилищ на основе NAND flash».

«Сотрудничество приведёт как Seagate, так и Micron, к цели роста корпоративного рынка флэш-памяти с лучшим в отрасли предложением из наших обоих портфелей продукции», — заявил Дэррен Томас, вице-президент Micron по накопителям. Он добавил: «Данные отношения обеспечат Micron доступ к технологии корпоративных приводов и платформ, расширив наш портфель и ускорив наше продвижение в сегмент корпоративного рынка».

Intel: 3D NAND приведёт к появлению 10 ТБ SSD

В ходе интернет совещания с инвесторами, компания Intel рассказала о своих планах по флэш-памяти NAND.

Гигант рынка полупроводников планирует выпустить первые SSD с памятью 3D NAND во второй половине 2015 года. Эти чипы станут результатом совместной работы с Micron. В них будут собраны 32 плоских слоя, что может обеспечить ёмкость одного MLC ядра в 256 Гб (32 ГБ), а с использованием технологии трёх бит на ячейку (TLC), объём чипа может вырасти до 384 Гб (48 ГБ).

Память 3D NAND обещает совершить прорыв в вопросах стоимости и габаритов. В результате, SSD объёмом 1 ТБ будет иметь толщину всего 2 мм, а через пару лет, благодаря 3D NAND, твердотельные накопители вырастут в объёме до 10 ТБ.

Для сравнения, 32-слойная V-NAND флэш-память от Samsung предлагает всего 86 Гб на ядро MLC и 128 Гб при TLC конфигурации. Таким образом, Intel с Micron становятся явными лидерами рынка твердотельной памяти.

В ходе конференции, компания Intel показала презентацию с работающим прототипом новой флэш-памяти, так что все работы по её созданию действительно подходят к концу. О том, где Intel хочет использовать новые накопители, она пока не решила. Перспективными направлениями использования компания считает центры обработки данных, корпоративных клиентов и энтузиастов PC.

Samsung представила SSD 850 Pro с 3D-флеш-памятью

Компания Samsung выпустила новые потребительские твердотельные накопители модели 850 Pro. Они представлены в вариантах ёмкостью 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. Однако главной особенностью модельного ряда стало применение пространственной 3D-V-NAND флеш-памяти от Samsung.

Новая технология V-NAND памяти, которая благодаря Samsung называется «проприетарной структурой вертикальных ячеек», а по сути, является стеком из нескольких кристаллов памяти, обещает увеличение скорости записи в два раза и меньшее энергопотребление, по сравнению с предшественниками. Согласно пресс-релизу компании, скорость последовательного чтения в устройствах может достичь 550 МБ/с, а записи — 520 МБ/с. Скорость случайного чтения составит до 100 000 операций ввода-вывода на секунду, а случайная запись будет осуществляться немного медленнее, на скорости 90 000 IOPS.

Новый модельный ряд SSD сможет похвастать и крайне низким энергопотреблением. Так, накопитель при чтении будет потреблять 3,3 Вт, 3,0 Вт при записи и 0,4 Вт в режиме ожидания.

Кроме того, технология V-NAND позволила заметно увеличить надёжность накопителя, что дало возможность производителю обеспечить 10-и летнюю гарантию на устройство. Также производитель гарантирует, что его SSD выдержит 150 терабайт записываемых данных.

О цене и доступности пока ничего не сообщается, но ожидается, что эти SSD будут доступными в четвёртом квартале этого года.