Новости про NAND, Samsung и SSD

Samsung выпускает SSD 6-го поколения

Компания Samsung анонсировала начало производства новых твердотельных накопителей объёмом 250 ГБ на базе 6-го поколения памяти V-NAND.

Конечно, таким объёмом сейчас никого не удивить, однако эти SSD стали первым этапом внедрения памяти V-NAND 6-го поколения, которая обеспечивает задержки на уровне 450 мкс при записи и 45 мкс при чтении, что на 10% меньше. Вместе с ростом производительности новая память обеспечивает снижение энергопотребления на 15%.

Samsung SSD
Samsung SSD

Благодаря применению 136-слойной памяти компания смогла добиться 40% прироста числа ячеек в каждом чипе, по сравнению с прошлой 96-слойной технологией, при сохранении физического размера микросхемы. Также новая память требует создания меньшего числа каналов в чипе. Их количество снижается с 930 миллионов до 670 миллионов, что экономит место и снижает сложность производства, а это, в свою очередь, положительно скажется на ценах.

Твердотельный накопитель 6-го поколения от Samsung
Твердотельный накопитель 6-го поколения от Samsung

В скором будущем компания планирует выпустить SSD на базе 6-го поколения памяти TLC V-NAND объёмом 512 ГБ.

Samsung готовит Z-SSD

Несмотря на то, что NAND память не так давно присутствует на рынке накопителей для PC, многие компании ищут ей замену. Одним из таких решений стала память Intel/Micron 3D XPoint, но не единственным.

Компания Samsung ранее представила память Z-NAND, и теперь готовится выпустить первый накопитель на её основе.

Совмещая возможности NAND и DRAM, память Z-NAND по-прежнему остаётся памятью NAND, со всеми её недостатками. Информации об этом типе памяти не много, однако, разработчик уже сообщил некоторые технические характеристики SSD на её основе.

Samsung Z-SSD

Будущий Z-SSD от Samsung получит объём 800 ГБ и будет представлен в виде PCIe 3.0 платы половинной высоты. Накопитель будет использовать стандартные 4 линии шины. Скорость последовательного чтения и записи составит до 3200 ГБ/с, что на треть выше, чем у Intel Optane DC P4800X. Скорость случайного чтения блоками по 4 кБ составит 750 000 IOPS при чтении и 160 000 IOPS при записи. При этом чтение оказалось быстрее, чем у Optane, но запись — заметно медленнее. Стоит отметить, что части этого прироста в скорости удалось добиться за счёт нового контроллера. К сожалению, о надёжности накопителя Samsung ничего не известно, так что нельзя сделать полноценное сравнение устройств на памяти 3D XPoint и Z-NAND.

Samsung Z-SSD

О доступности и цене также пока ничего не известно, но некоторые заказчики уже получили пробные образцы накопителей.

Samsung представляет 950 PRO M.2 PCIe SSD с технологией V-NAND

Компания Samsung представила первый потребительский твердотельный накопитель модели 950 PRO формата M.2 и технологией Non-Volatile Memory Express (NVMe) и вертикальной NAND памятью (V-NAND). Подключение M.2 реализовано посредством четырёхлинейного интерфейса PCIe 3.0.

Использование протокола NVMe позволяет Samsung 950 PRO обеспечить улучшенную производительность, а также меньшее энергопотребление, помогая увеличить срок автономной работы и снизить операционные затраты.

SSD Samsung 950 PRO

Накопитель 950 PRO предлагается в объёмах 256 ГБ и 512 ГБ. Версия объёмом 512 ГБ обеспечивает последовательную скорость чтения/записи на уровне до 2500 МБ/с и 1500 МБ/с соответственно. Случайная скорость чтения составит 300 000 IOPS, а записи — 110 000 IOPS. Накопитель поставляется с 256-битным AES шифрованием и технологией Dynamic Thermal Guard которая защищает накопитель и данные в температурном диапазоне от 0 до 70 °C.

На свой накопитель производитель предлагает 5 летнюю гарантию с объёмом перезаписи на уровне 200 ТБ для 256 ГБ модели, и 400 ТБ для 512 ГБ варианта. Оба накопителя поступят в продажу в октябре по цене в 200 и 350 долларов США.

Samsung предлагает SSD объёмом 2 ТБ

Нужно быстрое хранилище для вашего настольного ПК, но вы не можете принять никаких компромиссов по его скорости? Тогда новое решение Samsung для вас.

Компания представила новые твердотельные накопители 850 PRO и 850 EVO объёмом 2 ТБ.

Теперь, предложив две новые модели, в портфеле компании имеются 20 различных решений с вертикальной 3D NAND памятью объёмом от 120 ГБ до 2 ТБ. Все они относятся к модельным рядам 850 PRO и EVO. Все 20 накопителей выпускаются в одинаковом 2,5” корпусе толщиной 7 мм.

SSD Samsung 850 PRO

Твердотельные накопители объёмом 2 ТБ оснащены 128 отдельными 32-слойными 128 Гб чипами 3D NAND производства Samsung, обновлённым высокопроизводительным контроллером MHX и четырьмя 20 нм чипами LPDDR DRAM объёмом 4 Гб. Модель 2TB 850 EVO имеет гарантию на запись 150 ТБ данных, а 850 PRO — на запись 300 ТБ.

В ближайшем будущем Samsung также надеется выпустить 2 ТБ накопители 850 серии в форматах mSATA и M.2.

Чтобы приобрести новые накопители вам придётся выложить 800 долларов за модель 850 EVO и 1000 долларов за 850 PRO.

Samsung представила SSD 850 Pro с 3D-флеш-памятью

Компания Samsung выпустила новые потребительские твердотельные накопители модели 850 Pro. Они представлены в вариантах ёмкостью 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. Однако главной особенностью модельного ряда стало применение пространственной 3D-V-NAND флеш-памяти от Samsung.

Новая технология V-NAND памяти, которая благодаря Samsung называется «проприетарной структурой вертикальных ячеек», а по сути, является стеком из нескольких кристаллов памяти, обещает увеличение скорости записи в два раза и меньшее энергопотребление, по сравнению с предшественниками. Согласно пресс-релизу компании, скорость последовательного чтения в устройствах может достичь 550 МБ/с, а записи — 520 МБ/с. Скорость случайного чтения составит до 100 000 операций ввода-вывода на секунду, а случайная запись будет осуществляться немного медленнее, на скорости 90 000 IOPS.

SSD Samsung 850 PRO

Новый модельный ряд SSD сможет похвастать и крайне низким энергопотреблением. Так, накопитель при чтении будет потреблять 3,3 Вт, 3,0 Вт при записи и 0,4 Вт в режиме ожидания.

Кроме того, технология V-NAND позволила заметно увеличить надёжность накопителя, что дало возможность производителю обеспечить 10-и летнюю гарантию на устройство. Также производитель гарантирует, что его SSD выдержит 150 терабайт записываемых данных.

О цене и доступности пока ничего не сообщается, но ожидается, что эти SSD будут доступными в четвёртом квартале этого года.

Samsung выпускает 32-слойную NAND память

Вертикальная NAND Flash технология является основным направлением деятельности компании Samsung при выпуске твердотельных накопителей, так что в постоянной её модернизации нет ничего удивительного.

Так, компания Samsung выпустила новый чип флэш-памяти, состоящий из 32-уровневого стека, что является заметным улучшением, по сравнению с нынешними 24-слойными чипами. Новый чип «второго поколения», как его назвала компания, будет использоваться в SSD, которые будут потреблять на 20% меньше электроэнергии, по сравнению с плоской технологией.

Чип Samsung 3D V-NAND второго поколения

Сами SSD, в которых будет применена новая память, будут иметь объёмы в 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ. Это будут высокопроизводительные модели премиум класса, предназначенные для геймеров, промышленности и владельцев рабочих станций. Примечательно, что чипы со стеком увеличенного объёма будут производиться на том же технологическом оборудовании, а значит, их себестоимость производства никак не изменится.

Будем надеяться, что всё это выльется в общее снижение цены. Конечно, SSD дороги сами по себе, но всё-таки было бы приятно увидеть некоторое общее снижение цены на твердотельные накопители. С другой же стороны, раньше память 3D V-NAND использовалась только в промышленных SSD, а значит Samsung может сосредоточиться на качестве и ёмкости продукции, а не на цене.

Samsung выпускает SSD объёмом 1 ТБ

Компания Samsung анонсировала выпуск твердотельного накопителя объёмом 1 ТБ. Этот SSD 840 EVO получил форм-фактор mSATA и предназначен для установки в ультрабуки премиального класса.

И хотя на самом деле объём накопителя 840 EVO составляет 960 ГБ, всего на 40 ГБ не дотягивая до заветной отметки, это по-прежнему несравнимо больший объём памяти по отношению к существующим на рынке SSD. По словам разработчиков, благодаря использованию контроллера MEX пятого поколения, скорость чтения/записи данных практически выровнялась и составляет 540/530 МБ/с соответственно. В качестве микросхем памяти применена NAND флэш, созданная по новой трёхуровневой теологии TLC.

Накопитель Samsung SSD 840 Evo mSATA

В своём блоге компания пояснила, как ей удалось создать накопитель такого объёма. По уверениям Samsung в SSD 840 EVO использовались 128 гигабитные модули NAND памяти, изготовленной по техпроцессу 10 нм класса. Для формирования терабайтного массива были использованы всего 4 пакета флэш-памяти, каждый из которых содержит 16 слоёв чипов объёмом 128 Гб. Благодаря совершенной технологии производства весь этот накопитель имеет толщину всего 3,85 мм и массу 8,5 г, что примерно на 40% меньше и в 12 раз легче типичного жёсткого диска.

Накопитель Samsung SSD 840 Evo mSATA

Накопитель Samsung SSD 840 Evo mSATA

Samsung SSD 840 Evo mSATA появится в продаже в январе наступающего года, однако цена пока не была названа.

Samsung анонсировали SSD ёмкостью 512 ГБ

Твердотельные накопители нашли широкую поддержку у энтузиастов, благодаря высокой скорости работы и большей надежности, по сравнению с жесткими дисками. Эти преимущества SSD получили за счет отсутствия движущихся частей. Однако их развитие по-прежнему ограничено небольшим объемом и высокой ценой. Но теперь, по крайней мере, один недостаток корейский промышленный гигант смог победить.

Компания Samsung подготовила к продаже свой новый высокоёмкий SSD накопитель, подключаемый посредством SATA 3. Максимальная ёмкость накопителя составляет 512 ГБ. По заявлению компании, уже начато производство этого SSD, который планируется устанавливать в высокопроизводительные ноутбуки в конце этого года.

Samsung SSD 512 ГБ

Samsung не сообщили подробной информации об этом устройстве, однако известно, что в накопителе использована флэш-память MLC NAND с контроллером собственной разработки. Разработчики обещают, что скорость чтения с SSD составит порядка 500 МБ/с, в то время как скорость запси будет несколько ниже, и составит 350 МБ/с.

О цене на накопители ничего не сообщалось, однако не сложно догадаться, что для приобретения ноутбука с таким устройством придется опустошить не только кошелёк, но и банковский счёт.