Новости про NAND

Neo Semiconductor обещает QLC-NAND с производительностью SLC

Производители твердотельной памяти постепенно готовятся к переходу на более плотные решения. Это медленный процесс, WD планирует пятиуровневые ячейки NAND, PLC, лишь в 2026. Однако более плотная память приводит к снижению производительности и надёжности. К счастью, эту проблему поможет решить разработка Neo Semiconductor.

Этот стартап уверяет, что разработал технологию, которая позволит сделать плотные чипы NAND более жизнеспособными. Она позволит получить ценовое преимущество QLC-NAND с пропускной способностью, сравнимой или опережающей SLC-NAND. Более того, архитектура X-NAND, как её назвали разработчики, не требует переработки конструкции ячеек и массивов или технологии производства.

Архитектура X-NAND

Суть технологии заключается в том, что архитектура X-NAND разделяет 3D-flash-память на 16—64 плоскостей, вместо традиционных 4-х плоскостей. «Это обеспечивает сверхвысокую производительность для устройств 5G и AI с нулевым приростом стоимости производства».

Параллелизм в чипе X-NAND

Более подробно ознакомиться с технологией X-NAND можно на сайте разработчиков.

Отсутствие проблемы заполнения SLC-кэша

В настоящее время Neo хочет лицензировать технологию X-NAND главным игрокам рынка, таким как WD, Samsung, Micron или Kioxia. Однако пока нет признаков того, что фирмы из этой четвёрки проявили интерес.

Micron первой в мире начала поставлять 176-слойные решения NAND UFS 3.1

Компания Micron стала первым в мире производителем, выпустившим на рынок 176-слойные мобильные решения NAND UFS 3.1, предложив своим клиентам реализацию преимуществ 5G в смартфонах хай-энд класса. Эти модули позволят скачать двухчасовый фильм разрешения 4K за 9,6 секунды.

Обеспечивая на 75% большую скорость последовательной записи и случайного чтения, по сравнению с прошлым поколением, новое NAND-решение компании предназначено для мобильных устройств. При этом высокая скорость и низкое энергопотребление позволяет позволят применять новые модули UFS и в других устройствах, включая профессиональные рабочие станции и ультратонкие ноутбуки.

Модуль памяти Micron UFS 3.1

Модуль Micron по сравнению с предшественником обеспечивает 15% прирост скорости при смешанной нагрузке, на 10% меньшие задержки и повышенную до двух раз надёжность. Скорость последовательной записи модулей достигает 1500 МБ/с. Решения будут доступны в объёмах 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ.

Первым устройством, где найдёт себе применение 176-слойный модуль UFS 3.1, станет смартфон Honor Magic 3.

Samsung начал выпуск флагманских модулей памяти uMCP

Компания Samsung Electronics заявила о начале производства мультчиповых пакетов LPDDR5 на основе UFS (uMCP), которые предназначены для применения в смартфонах.

Эти модули объединяют LPDDR5 DRAM с UFS 3.1 NAND-памятью, обеспечивая производительность флагманских смартфонов на широком спектре устройств.

LPDDR5 от Samsung

Поскольку модули uMCP основаны на новейших интерфейсах NAND и DRAM, они обеспечивают высокий объём памяти и большую скорость при небольшом энергопотреблении. Так, по сравнению с прошлым поколением решений UFS 2.2, основанных на LPDDR4X, производительность DRAM увеличена с 17 ГБ/с до 25 ГБ/с, а NAND — с 1,5 ГБ/с до 3 ГБ/с. Кроме больших скоростей модули uMCP имеют малые габариты. Так, размер в плане нового пакета составляет 11,5×13 мм.

Уже сейчас южнокорейский гигант заявляет, что тестирует новые пакеты LPDDR5 uMCP с некоторыми крупнейшими производителями смартфонов, а значит, эти пакеты найдут себе применения в телефонах уже в этом месяце.

Western Digital сможет выпустить пятислойную NAND-память только к 2025 году

Компания Western Digital вынуждена задержать выпуск пятислойной NAND-памяти, называемой PLC (Penta Layer Cell), до 2025 года. О том, что она готовит память нового типа она сообщала ещё в 2019 году.

Новые сведения были оглашены в ходе Мировой технологической конференции. На ней технологический и стратегический глава Western Digital Сива Сиварам заявил: «Я ожидаю, что переход от QLC к PLC будет медленнее. Возможно, что во второй половине декады мы увидим, как некоторые сегменты начнут переход на 5 бит на ячейку».

Типы памяти NAND

Переход на PLC станет очередным шагом по уплотнению NAND-памяти, при которой каждая ячейка памяти может содержать до пяти бит информации. Для достижения этого ячейка должна хранить одно из 32-х состояний напряжения, что требует дополнительной сложной работы с контроллерами. Сиварам отметил, что технологии потребуется дополнительное время для разработки контроллеров, которые смогут применять преимущества PLC-памяти, минимизируя снижение надёжности и скорости работы.

PLC-память не сможет обеспечить плотность, такую же как дают HDD, а позволит лишь на 25% увеличить объём хранимых данных. Однако это очень важный прирост, ведь он будет объединён с ростом слоёв памяти в стеке.

Sabrent выпускает SSD для майнинга Chia

Компания Sabrent представила новый твердотельный накопитель, который предназначен для майнинга криптовалюты Chia. Главной его особенностью стала невероятная надёжность и ресурс.

Серия твердотельных накопителей Plotripper специально создана для высокого ресурса работы, который нужен при майнинге Chia в процессе расчёта криптографически сгенерированных участков. Продукт Plotripper будет доступен в нормальной версии и в версии Pro. Мейнстрим вариант Sabrent Plotripper обеспечивает ресурс 10 000 перезаписываемых терабайт при объёме устройства 2 ТБ. Версия Pro при объёме 1 ТБ имеет ресурс 27 000 перезаписываемых терабайт, а вариант объёмом 2 ТБ — неимоверные 54 000 перезаписываемых терабайт. Для пояснения также нужно сказать, что эти SSD сконфигурированы на запись 100% данных в режиме SLC.

SSD Sabrent Plotripper

Наверняка этими устройствами заинтересуются и владельцы центров обработки данных. Накопители не будут дешёвыми, но у ЦОД есть деньги. Цена на Sabrent Plotripper пока не называется.

Сравнение ресурса работы Sabrent Plotripper

Kioxia начала опытное производство памяти UFS 3.1 объёмом 1 ТБ

Компания Kioxia объявила о том, что начала опытное производство модулей памяти типа UFS версии 3.1 объёмом 1 ТБ.

В пресс-релизе компания отметила, что она «продолжает демонстрировать своё лидерство в сегменте памяти UFS, представив самый тонкий в мире пакет устройства UFS объёмом 1 ТБ». Старший директор по управлению продуктами флэш-памяти Kioxia America Скотт Бикмэн заявил: «По мере нашего движения к большим плотностями и растущей производительности мы обеспечиваем следующее поколение смартфонов и мобильных устройств и продолжаем расширять их функционал и возможности».

Чипы Kioxia UFS 3.1

Новые пакеты памяти предназначены для мобильных устройств. Они построены на памяти типа BiCS FLASH 3D. Толщина пакета составляет всего 1,1 мм, что является минимальным размером для модуля объёмом 1 ТБ. По словам Kioxia, модули UFS 3.1 обеспечивают скорость последовательного чтения в 2050 МБ/с, а записи — 1200 МБ/с.

Когда начнётся массовое производство и когда эти модули появятся в мобильных устройствах пока не сообщается.

Kioxia анонсирует 6-е поколение памяти 3D-NAND

Компании Kioxia и Western Digital совместно представили новое 6-е поколение твердотельной памяти, которая изготавливается по 162-слойной технологии 3D.

Это новое поколение памяти имеет преимущества по отношению к традиционному восьмиэтапному массиву памяти и обеспечивает до 10% прироста в плотности расположения ячеек, по сравнению с нынешним пятым поколением. Эти усовершенствования в масштабе, наряду со 162 вертикальными слоями памяти, сокращают размер кристалла памяти на 40%, по сравнению с нынешней 112-слойной памятью, а также уменьшают производственные расходы.

Завод Kioxia

Компании также сообщили о внедрении технологии Circuit Under Array CMOS и четырёхплоскостной ориентации, что обеспечивает прирост в производительности программ почти в 2,4 раза, и 10% сокращение времени задержки. Производительность ввода-вывода также выросла на 66% за счёт внедрения интерфейса нового поколения, который отвечает постоянно возрастающим требованиям к скорости передачи данных.

В целом же новая технология 3D-памяти сокращает затраты на бит и повышает производительность на бит на 70%, по отношению к предыдущему поколению.

SK Hynix представила 176-слойную память 4D-NAND

Компания SK Hynix объявила о том, что разработка 176-слойных микросхем памяти 4D-NAND TLC объёмом 512 Гб (64 ГБ) завершена. Эти микросхемы уже поставляются производителям контроллеров, что позволит устанавливать её в SSD и мобильные устройства в ближайшем времени.

Новая 176-слойная память является эволюционным этапом развития нынешней 96-слойной памяти. В ней применены такие новые технологии, как Charge Trap Flash (CTF) и Periphery Under Cell (PUC). Память названа четырёхмерной, поскольку разработчики разместили структуры управления ячейками под стеком 3D-NAND, что уменьшило размер кристалла и снизило себестоимость производства. С новыми 176-слойными микросхемами SK Hynix достигла «лучшего в индустрии числа чипов на блин».

176-слойная память 4D-NAND от Micron

По сравнению с прошлым поколением, новая память обеспечивает 20% прироста в скорости чтения ячейки и 33% прирост в скорости передачи данных, что означает увеличение скорости с 1,2 Гб/с до 1,6 Гб/с.

Также компания SK Hynix отметила, что готовится к производству чипов объёмом 1 Тб, что позволит создавать накопители неимоверной плотности.

В середине следующего года компания готовится выпустить мобильные продукты, которые обеспечат 70% прирост в максимальной скорости чтения и 35% прирост в скорости записи.

Samsung и Xilinx создали смарт-SSD

В ходе Virtual Flash Memory Summit компании Samsung и Xilinx представили совместную разработку, которую они назвали первым SmartSSD — вычислительным устройством хранения, которое может изменить подход индустрии к накопителям.

В новом SmartSSD объединяется NAND-память Samsung с Xilinx FPGA, которая ускоряет различные задачи накопителя, переносит менеджмент баз данных и процессинг от CPU и размещает его непосредственно в накопитель. Это позволяет новому Samsung SmartSSD обеспечить значительно большие скорости хранения и более высокие степени сжатия данных, что позволит разработчикам ПО создавать новые решения с аппаратным ускорением.

SmartSSD от Samsung и Xilinx

Благодаря прозрачному аппаратному сжатию, SmartSSD объёмом 4 ТБ могут хранить до 12 ТБ данных. В некоторых случаях, такой подход позволяет увеличить объём хранимых данных до 10 раз. Для пользователей такой подход также означает увеличение производительности. Производители игровых консолей применили похожее решение в Xbox Series X/S и PlayStation 5. Они использовали специальные средства декомпрессии за пределами CPU, что позволило радикально ускорить запуск игр. Совместная разработка Samsung и Xilinx делает то же самое, но в масштабе одной печатной платы, предлагая пользователям простое ускорение при декомпрессии.

Micron изготовила 176-слойную память 3D-NAND

Компания Micron Technology приступила к массовому производству и поставке первой в мире 176-слойной памяти 3D-NAND.

Компания отмечает, что переход на 176-слойную память является радикальным прорывом, который обеспечит резкий рост производительности в широком спектре устройств для ЦОД, искусственного интеллекта и мобильного сегмента.

В компании отметили, что новая память предлагает на 40% больше, чем у ближайших конкурентов, а благодаря архитектуре КМОП-под-массивом, новая технология компании обеспечивает лидерство по стоимости.

Инфографика 176-слойной памяти от Micron

По сравнению с прошлым поколением, 176-слойная память NAND от Micron обеспечивает меньшие задержки при чтении и записи более чем на 35%. При этом размер ядра на 30% меньше, чем у лучших конкурентных предложений.

Пятое поколение Micron 3D-NAND обеспечивает скорость передачи данных в 1600 МТ/с по интерфейсу Open NAND Flash Interface, что на 33% лучше, чем раньше. Это означает более быструю загрузку системы и работу приложений. А для автомобильных систем это означает практически мгновенную реакцию, сразу после включения двигателя.

Для упрощения разработки прошивки новая память компании обеспечивает однопоточный программируемый алгоритм, обеспечив более простую интеграцию и процесс выхода на рынок.