Новости про MRAM

SMART Modular выпускает ускоритель памяти nvNITRO

Компания SMART Modular анонсировала начало поставок карт nvNITRO Accelerator Card, которые основаны на технологии MRAM.

Память MRAM имеет побайтную адресацию и характеризуется крайне низкими задержками, резко повышая производительность во множестве отраслей. Плата nvNITRO Accelerator Card использует эту прорывную технологию в отраслях, где скорость доступа к данным является критической. К примеру, в финансовых системах nvNITRO позволяет снизить задержки доступа к данным на 90%, по сравнению с SSD корпоративного класса. Именно поэтому представленная плата нацелена на финансовый сектор.

SMART nvNITRO Accelerator Card
SMART nvNITRO Accelerator Card

Карта nvNITRO позволяет системному приложению записывать или протоколировать большие объёмы на полной скорости приходящих данных и обеспечивает предельно низкие задержки менее 10 микросекунд. Это позволяет клиентам использовать одну карту nvNITRO в качестве фронтэнд кэша, объединённого с менее дорогим бэкэнд накопителем, обеспечивая высокоэффективное решение для журналирования информации и доступа к терабайтам данных на очень высокой скорости без риска потерь информации. В плате нет ни суперконденсаторов, ни источников бесперебойного питания, ни батарей, поскольку в ней используется безопасная при сбоях постоянная память STT-MRAM.

В настоящее время плата nvNITRO Accelerator Card доступна в формате HHHL (половина длины половина высоты) PCIe Gen3. Она поддерживает NVM Express 1.2.1, однако её объём составляет лишь 1 ГБ. Карта обеспечивает доступ к данным (блоками 4K как при чтении, так и при записи) на скорости 1,5 миллиона IOPS с задержками порядка 6 мкс.

Первые образцы плат nvNITRO Accelerator Card уже можно заказать у производителя.

Samsung готовит 28 нм память MRAM

Компания Samsung в скором времени начнёт производство 28 нм магниторезистивной оперативной памяти, которая будет изготовлена по технологии кремний-на-изоляторе (FD-SOI).

Объединив свои усилия с NXP компания Samsung завершила изготовление MRAM чипов. Данная память будет использована в автомобильной электронике, средствах мультимедиа и в электронике для дисплейных панелей.

MRAM память от Samsung

Компания Synopsys сообщила, что её платформа разработки полностью сертифицирована для использования в 28 нм техпроцессе FD-SOI предприятия Samsung Foundry. Компания отметила, что её средство разработки и связанные планы обработки совместимы с системой дизайна Synopsys Lynx Design System, включая описания, методологии проектирования и лучший опыт.

Джехон Парк, старший вице-президент Samsung Foundry, заявил, что технология 28FD-SOI позволяет создавать память, работающую как на высоких, так и низких напряжениях, что делает её идеальной для применения в IoT и автомобильных системах. Также память обладает превосходной программной коррекцией ошибок, что делает её идеальным выбором для отраслей с высокими требованиями к надёжности.

Toshiba: наша память уменьшит энергопотребление CPU на 60%

Кэш-память, это маленькая часть ядра процессора, на которой расположены элементы памяти. Она применяется для быстрого доступа к данным, минуя всю остальную систему, шину, и ОС.

Обычно, кэш-память делится на два или три уровня, при этом, чем уровень ниже, тем меньше объём и выше скорость памяти. Для удовлетворения требованиям скорости разработчики процессоров применяют энергозависимую SRAM память.

Однако Toshiba представила новый тип кэша, который она назвала MRAM, или более точно STT-MRAM, которая является магниторезистивной памятью и использует переключение с помощью переноса спина электрона.

Собственно говоря, магнитные элементы хранения данных используются для хранения битов, и для модифицирования данных используют электроны с направленным спином.

Toshiba

Ранее уже осуществлялись попытки сделать нечто подобное, однако MRAM не была достаточно быстрой, и обладала меньшей, по сравнению со SRAM, энергоэффективностью.

Для решения проблемы Toshiba представила новую структуру схемы, которая маскируется под некоторые элементы DRAM и SRAM, но без утечки энергии. В результате MRAM кэш память L2 помогла снизить энергопотребление кэша на 80%, что в сумме составляет 60% всей энергии, потребляемой CPU. Надо сказать, что такой результат особенно хорош для AMD, которая использует большой кэш L2 и не применяет кэш третьего уровня. При этом, скорости работы памяти, по сравнению со SRAM, осталась неизменной. Так, MRAM позволяет записывать данные со скоростью 2,1 нс, а считывать — со скоростью 4,1 нс.

Учитывая, насколько сейчас популярны в мире вопросы энергоэффективности, можно ожидать, что компания заработает на своей разработке массу средств. Конечно, рядовой пользователь никогда не узнает о том, что в его процессоре теперь используется кэш-память нового типа, но он непременно почувствует увеличение времени автономной работы своего нового ноутбука.

Дни DRAM сочтены?

Более 20 японских и американских компаний, связанных с производством чипов, объединили свои усилия для разработки технологии массового производства микросхем оперативной памяти, названных магниторезистивными, или сокращённо MRAM. Такую информацию даёт отчёт в Nikkei's Asian Review.

Главными участниками этого объединения стали Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi и американский гигант Micron Technology. Компании «будут координировать несколько дюжин исследований», которые будут проводиться под руководством профессора Тэцуо Эндох в Университете Тохоку в северной Японии.

MRAM память от Everspin Technologies

По сообщениям Nikkei, память MRAM характеризуется в три раза меньшим энергопотреблением, по сравнению с DRAM, при этом позволяет в 10 раз увеличить объём и скорость записи. В теории всё это создает прекрасную основу для применения микросхем нового типа в портативных устройствах.

Однако, несмотря на утверждения об активном ведении разработок, до выхода коммерческого продукта ещё очень далеко. Сейчас считается, что на рынок новый тип памяти поступит только в 2018 году. Но не стоит забывать, что отрасль, связанная с выпуском памяти, очень часто шла по ложному пути.