Новости про Micron и QLC

Используя эту память, Micron создала серию накопителей с интерфейсом PCIe 4.0. Серия получила номер 2400. В неё вошли модели размером M.2 2230, 2242 и 2280 и объёмом 512 ГБ, 1 ТБ, 2 ТБ.

Накопитель Micron 2400 PCIe 4.0 SSD стал первым в мире, который предлагает объём 2 ТБ в компактном формате M.2 2230. Это именно тот формат, который использован в Valve Steam Deck и других портативных системах. Также эти SSD открывают дверь будущим ультрапортативным ПК, которым требуется большой объём накопителя.

Накопитель формата 22×30 мм требует на 63% меньше места, по сравнению со стандартным SSD 22×80 мм. Что касается скорости работы, то разработчики заявляют чтение в 4500 МБ/с (4200 для моделей объёмом 512 ГБ). Может показаться, что скорость невелика, однако это самый быстрый M.2 SSD размера 2230 на рынке. Благодаря малому размеру, представленная серия SSD ориентирована в первую очередь на OEM-производителей, поэтому в рознице её доступность будет ограничена.

Цены на память NAND падают с 2018 года, что связывают с увеличением поставок 64- и 72-слойных микросхем. В результате цены достигли минимума в 10 центов за гигабайт. Чтобы избежать дальнейшего удешевления, крупнейшие производители замедлили производство. Однако прогресс в производстве 96-слойных микросхем обеспечит дальнейший рост поставок. Отмечается, что перепроизводство NAND сохранится, а цены продолжат снижение.

Лидер отрасли, Samsung, добивается улучшения качества пластин с 96-слойной 3D NAND, чтобы выпускать 512 ГБ накопители UFS 3.0. Во втором полугодии компания планирует наладить выпуск 1 ТБ решений по той же технологии. Также компания прогрессирует в выпуске QLC памяти.

Недавно Toshiba выпустила новое поколение SSD и UFS 3.0 на базе 96-слойной 3D NAND. Что касается Micron, то эта компания анонсировала аналогичные продукты. Также она занимается разработкой терабайтных QLC NAND устройств, со стартом массового производства во втором квартале.

Карта памяти Micron c200 1TB соответствует стандарту microSDXC UHS-I. В её основе лежит 96-слойная 3D NAND QLC память. В компании сообщили, что ожидают от QLC памяти скорейшего внедрения и снижения стоимости высокоёмких портативных накопителей для видео разрешением 4K, большого числа фотографий и игр на всём спектре мобильных устройств и камер.

Сообщается, что представленная карта соответствует классу производительности в приложениях A2, что делает её прекрасным решением для установки в Android-гаджет по технологии Android Adoptable storage, расширив встроенную память устройства на эту карту.

Накопитель Micron c200 1TB обеспечивает скорость чтения до 100 МБ/с, а записи — до 95 МБ/с, отвечая требованиям UHS-I Speed Class 3 и Video Speed Class 30. В продаже карта появится во втором квартале 2019 года.

Этот накопитель с интерфейсом NVMe PCIe основан на памяти QLC, что позволяет Micron создать устройства хранения большей ёмкости с меньшими затратами.

Производитель отмечает, что накопитель занял лидирующие позиции в своей категории. В тесте PCMark 8 при смешанной нагрузке P1 достигает 565 МБ/с с 5084 баллами, обойдя конкурентов в той же ценовой категории. Скорости последовательного чтения и записи составляют 2000/1700 МБ/с. Они достигаются благодаря ускорению записи с использованием уникальной технологии SLC кэша. Надёжность накопителя составляет 1,8 миллиона часов наработки или 200 ТБ записанных данных. Энергопотребление составляет 100 мВт.

Накопитель Crucial P1 доступен в объёме 1 ТБ. Гарантия на него составляет 5 лет.

Компания отмечает, что столкнулась с опасно низким качеством производства, при котором годными выходят менее 50% отпечатков. Это приводит к тому, что фактическая стоимость гигабайта памяти типа QLC превышает таковую для TLC.

Первой жертвой низкого уровня годной продукции 3D QLC NAND стали накопители Intel серии 600p. Это мейнстрим NVMe SSD, который смог опустить цену на терабайтный накопитель до уровня 200 долларов. Источники в IMFT, совместном предприятии Micron и Intel, сообщают, что в дальнейшее производство идёт только 48% отпечатков в 64-слойных QLC NAND флэш блинах. То есть брак составляет 52%. Для сравнения, 64-слойная TLC память оказывается годной в 90% случаев. В этой статистике не учитываются заведомо неработоспособные недопечатанные микросхемы на краях блинов.

Самое печальное то, что источник не видит возможности улучшения для нынешнего производственного поколения.

Партнёрам удалось создать 64-слойную структуру, достигнув плотности 1 Тб на ядро, что является самым плотным решением среди всей флеш-памяти в мире.

Также компании сообщили о разработке третьего поколения памяти 3D NAND представленной 96 слоями. Она обеспечит 50% увеличение числа слоёв и сохранит союзу Intel/Micron место на передовой NAND технологий.

Обе анонсированные технологии используют методику CuA — CMOS under the array, которая сокращает размер ядра и распараллеливает потоки подключения, позволяя увеличить количество одновременно считываемых и записываемых ячеек.