Новости про Intel, TSMC и техпроцесс

Apple и Intel заказали производство у TSMC по 3 нм нормам

Компании Apple и Intel станут первыми получателями микросхем, изготовленных по новой технологии TSMC, 3 нм, и произойдёт это раньше, чем технология станет доступной остальным игрокам рынка.

Сайт Nikkei Asia сообщает, что Apple и Intel уже тестируют конструкцию своих микросхем с производственной технологией 3 нм от TSMC. Суть процесса заключается в получении готовых микросхем во второй половине следующего года.

По данным TSMC, технология 3 нм может увеличить производительность вычислений на 10—15%, по сравнению с 5 нм, при этом снизив энергопотребление на 25—30%.

TSMC

По всей видимости, первым устройством с 3 нм процессором станет Apple iPad. Телефоны iPhone, которые выйдут в следующем году, должны использовать 4 нм процессоры из-за графиков планирования.

Что касается Intel, то она работает над двумя 3 нм проектами с TSMC, которые нацелены на ноутбуки и центры обработки данных. Массовое производство этих процессоров запланировано на конец 2022 года.

Промышленные слухи: 14 нм в 2015

По заявлению руководителя отдела исследований компании TSMC Шан-и Чиана (Shang-yi Chiang), их компания планирует переход на нормы 14 нм техпроцесса в 2015 году.

Для примера, в настоящее время Intel изготавливает свои процессоры по 32 нм технологии. 22 нм чипы должны появиться уже в этом году, однако, по всей видимости, выход этих микросхем будет отложен. Согласно существующей технологической дорожной карте Intel, производство чипов по 14 нм технологии начнётся в 2013 году, а в 2015-м компания планирует перейти на 10 нм. На следующей неделе в Сан-Франциско пройдёт выставка IDF, на которой Intel представят обновленную дорожную карту. Интересно, будут ли смещены существующие сроки?

В то же время, GlobalFoundries планирует переход на 20 нм в микросхемах слабой мощности, предназначенных для сетевых, беспроводных и мобильных устройств, лишь в 2013 году. При этом выпуск высокомощных процессоров по 20 нм техпроцессу компания планирует начать в 2014 году. Эти данные полностью совпадают с планами AMD, по переходу на новые техпроцессы, что позволяет считать эту информацию правдоподобной.

Кроме уменьшения размера элементов интегральных схем, Чиан также предположил, что в 2015 году их производство перейдёт на использование блинов подложек диаметром 450 мм.

При всем этом ни одна из трёх компаний не объявила об использовании технологии КНИ (кремний-на-изоляторе) в своих будущих чипах. Однако это вовсе не означает, что вся лидирующая тройка отказалась от этого. Тем не менее, по слухам, первыми на технологию 14 нм КНИ с использованием подложек диаметром 450 мм перейдёт компания Samsung.

TSMC может выпустить трёхмерные чипы раньше Intel

Процессорный гигант, компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) может первой представить микросхемы с трёхмерными связями транзисторов. Причем это может произойти уже в конце 2011 года. При этом им удастся обойти полупроводникового гиганта — компанию Intel.

Такой отчет подготовила позавчера тайваньская торговая группа. Отчет основан на неназванных источниках. Свою технологию трёхмерных транзисторов компания Intel представила в мае этого года, при этом тогда же TSMC заявили, что их не интересуют подобные техпроцессы, и что все их усилия направлены на уменьшение физических размеров транзисторов. Однако уличить руководство компании во лжи вряд ли удастся, ведь между разработками Intel и TSMC есть принципиальные отличия.

Так, технология тайваньских разработчиков, получившая название (Through Silicon Vias — TSVs), представляет собой многослойные микросхемы, в которых между различными слоями существуют взаимосвязи, проходящие насквозь. В разработке Intel, под названием Tri-gate, кремниевые дорожки выступают над полупроводниковым субстратом.

Согласно отчета TAITRA, трёхмерные технологии TSMC позволят значительно увеличить плотность транзисторов в чипе, вплоть до 1000 раз. Устройства с трёхмерными микросхемами будут потреблять на 50% меньше электроэнергии. Новая технология позволит обойти множество трудностей, образованных традиционной «плоской» технологией построения микросхем.

Старший вице-президент TSMC по исследованиям и разработкам Шан-Йи Чиан подтвердил информацию, указанную в отчёте и сообщил, что их компания сейчас активно сотрудничает с разработчиками чипов для коммерциализации трёхмерной технологии производства.

TSMC не будет производить трехмерные транзисторы, аналогичные Intel Triple-Gate, в ближайшем будущем

Один из крупнейших производителей микропроцессоров, компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company заявила, что не смотря на наличие многочисленных преимуществ в 22 нм технологии tri-gate, TSMC не имеет планов по переходу на подобную технологию в обозримом будущем.

Мария Марсед (Maria Marced), президент TSMC Europe в своем интервью сайту EETimes заявила, что для «перехода на транзисторы нового типа, нам нужна целая экосистема, которая включает в себя инструменты разработки, производства, патентную базу и так далее. Для нас 20 нм будут плоскими».

Согласно заявлений Intel, 22 нм техпроцесс с трехмерными транзисторами позволяет увеличить производительность до 37% при более низком напряжении, по сравнению с плоскими транзисторами Intel, которые изготовлены по 32 нм технологии. Также tri-gate транзисторы позволяют снизить энергопотребление на 50%. Некоторые аналитики считают, что транзисторы, изготовленные по технологическому процессу 22 нм tri-gate имеют 20% преимущества в соотношении производительность на ватт, по сравнению с кристаллами с плоскими транзисторами того же размера.

Для TSMC очень важно оптимизировать свои технологические процессы под требования своих клиентов. В то же время их клиенты должны разрабатывать свои чипы с учетом возможностей тайваньской компании. В результате, TSMC не сможет немедленно поменять структуру транзисторов производимых кристаллов, что, несомненно, может отразиться на стабильности такого значимого игрока рынка полупроводников.