Новости про Intel, NAND и SSD

Сделка будет оформлена исключительно деньгами и позволит корейской компании стать вторым производителем памяти NAND в мире. За свои деньги SK Hynix получит весь NAND-бизнес Intel, включая бизнес твердотельных накопителей, а также производство для компонентов NAND и блинов. Кроме того, в собственность SK Hynix перейдёт завод в китайском Даляне.

Данный ход является продолжением стратегии Intel по избавлению от непрофильных направлений бизнеса. Продав бизнес NAND у компании останется бизнес Optane, который намного меньше, зато за счёт инновационности обладает большей прибыльностью.

Для SK Hynix это будет крупнейшая сделка после того, как в 2017 году компания инвестировала 3,7 миллиарда долларов в японскую Kioxia. Благодаря новой сделке компания сможет сократить своё отставание от лидера рынка — Samsung Electronics.

И хотя акционеры не очень рады данной сделке, поскольку она весьма дорогая, она принесёт пользу рынку за счёт его консолидации.

Финансовый директор Intel Джордж Дэвис в ходе конференции аналитиков Моргана Стенли заявил, что компания производит микросхемы NAND в Далиане, Китай, однако они не могут продать достаточное количество SSD на базе этих чипов, чтобы генерировать прибыль.

Также компания сообщает, что может вообще прекратить собственное производство микросхем, а фирменные SSD комплектовать памятью стороннего производства, либо же вообще покупать сторонние SSD. Альтернативным вариантом называлась продажа микросхем NAND сторонним покупателям.

Дэвис отметил, что, хотя NAND-память становится всё более важной для ЦОД, «мы должны иметь прибыльность, долгосрочную прибыльность и привлекать возврат [инвестиций]… мы не способны генерировать прибыль из этого».

Производство таких накопителей было начато в конце 2018 года в китайском Даляне, и за короткое время, чуть больше года, фирма выпустила на рынок более 10 миллионов SSD на базе памяти QLC-3D-NAND, показав всему миру, что QLC является мейнстрим-технологией производства устройств высокой ёмкости.

«Многие говорили о технологии QLC, а Intel стала её поставлять, и в больших масштабах», — заявил Дэйв Ланделл, директор Intel по стратегическому планированию SSD и маркетингу продуктов. «Мы наблюдали высокий спрос на наши недорогие независимые QLC SSD (Intel SSD 660p) и производительные решения Optane Technology + QLC (Intel Optane Memory H10)».

Технология Intel QLC-3D-NAND использовалась для производства SSD марок 660p, 665p и Intel Optane Memory H10. Они основаны на памяти, хранящей по 4 бита в ячейках, расположенных в 64 (первые модели) или 96 слоях. Эта технология разрабатывалась десятилетие, и в 2016 году инженерам Intel удалось изменить ориентацию плавающего затвора, что и позволило хранить по 4 бита на ячейку с общим объёмом 384 Гб на ядро.

Компания отмечает, что столкнулась с опасно низким качеством производства, при котором годными выходят менее 50% отпечатков. Это приводит к тому, что фактическая стоимость гигабайта памяти типа QLC превышает таковую для TLC.

Первой жертвой низкого уровня годной продукции 3D QLC NAND стали накопители Intel серии 600p. Это мейнстрим NVMe SSD, который смог опустить цену на терабайтный накопитель до уровня 200 долларов. Источники в IMFT, совместном предприятии Micron и Intel, сообщают, что в дальнейшее производство идёт только 48% отпечатков в 64-слойных QLC NAND флэш блинах. То есть брак составляет 52%. Для сравнения, 64-слойная TLC память оказывается годной в 90% случаев. В этой статистике не учитываются заведомо неработоспособные недопечатанные микросхемы на краях блинов.

Самое печальное то, что источник не видит возможности улучшения для нынешнего производственного поколения.

Так, по уверениям Intel, им удалось создать 256 Гб чип в MLC-конфигурации, и 384-битный в TLC-конфигурации памяти. Этого удалось добиться благодаря использованию в 3D-архитектуре плавающего затвора, который обычно применяется в планарной технологии изготовления чипов.

Благодаря использованию новой технологии, обычный 2,5” SSD будет иметь объём до 10 ТБ. В более компактном «брелковом» размере, объём может достигнуть 3,5 ТБ. Обе компании-разработчика отмечают, что новая технология снижает удельную стоимость производства, позволяет повысить производительность, увеличить срок службы и даже понизить энергопотребление, по сравнению с NAND-чипами, выпущенными по планарной технологии.

По словам фирм, опытное производство 256 Гб MLC-микросхем уже начато, в то время как выпуск 384 Гб TLC-микросхем начнётся этим летом. С учётом этого компании планируют начать массовый выпуск данной продукции до конца текущего года. Кроме того, обе компании объявили, что они одними из первых начнут выпуск конечных продуктов на базе новой памяти, обещая выпуск фирменных SSD в середине 2016 года.

Гигант рынка полупроводников планирует выпустить первые SSD с памятью 3D NAND во второй половине 2015 года. Эти чипы станут результатом совместной работы с Micron. В них будут собраны 32 плоских слоя, что может обеспечить ёмкость одного MLC ядра в 256 Гб (32 ГБ), а с использованием технологии трёх бит на ячейку (TLC), объём чипа может вырасти до 384 Гб (48 ГБ).

Память 3D NAND обещает совершить прорыв в вопросах стоимости и габаритов. В результате, SSD объёмом 1 ТБ будет иметь толщину всего 2 мм, а через пару лет, благодаря 3D NAND, твердотельные накопители вырастут в объёме до 10 ТБ.

Для сравнения, 32-слойная V-NAND флэш-память от Samsung предлагает всего 86 Гб на ядро MLC и 128 Гб при TLC конфигурации. Таким образом, Intel с Micron становятся явными лидерами рынка твердотельной памяти.

В ходе конференции, компания Intel показала презентацию с работающим прототипом новой флэш-памяти, так что все работы по её созданию действительно подходят к концу. О том, где Intel хочет использовать новые накопители, она пока не решила. Перспективными направлениями использования компания считает центры обработки данных, корпоративных клиентов и энтузиастов PC.

Последняя является названием для модельного ряда SSD Intel Pro 2500, о котором ранее появлялись некоторые сведения. Итак, накопители серии Pro 2500 запланированы к выпуску в форм-факторах M.2 and 2.5″ с ёмкостью от 80 ГБ до 480 ГБ. Эти хранилища должны быть выпущены во второй половине 2014 года, но пока это лишь планы.

В целом, дорожная карта, приведённая на слайдах, даёт вполне чёткое описание планов компании по срокам выпуска продукции. Из неё совершенно понятно, что в производстве предпочтение будет отдано 20 нм MLC NAND памяти. Ряд Fultondale получит технологию высокой стойкости, благодаря которой будет достигнута долговечность равная однослойной NAND памяти. Эти SSD будут выпускаться в версиях объёмом 80, 180, 240 и 480 гигабайт.

Модельный ряд SSD DC P3500 получит скорости чтения/записи 2800/1700 МБ/с. Он будет производиться в форм-факторах 2,5” и платы PCIe в объёмах 250 ГБ, 500 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. Модельный ряд P3700 получит все преимущества двух предыдущих, т. е. наряду со скоростью чтения/записи 2800/1700 МБ/с эти SSD будут оснащены NAND чипами с пониженным износом. Эти накопители можно будет приобрести в объёме от 200 ГБ до 2 ТБ.