Новости про Intel и NAND

Сделка будет оформлена исключительно деньгами и позволит корейской компании стать вторым производителем памяти NAND в мире. За свои деньги SK Hynix получит весь NAND-бизнес Intel, включая бизнес твердотельных накопителей, а также производство для компонентов NAND и блинов. Кроме того, в собственность SK Hynix перейдёт завод в китайском Даляне.

Данный ход является продолжением стратегии Intel по избавлению от непрофильных направлений бизнеса. Продав бизнес NAND у компании останется бизнес Optane, который намного меньше, зато за счёт инновационности обладает большей прибыльностью.

Для SK Hynix это будет крупнейшая сделка после того, как в 2017 году компания инвестировала 3,7 миллиарда долларов в японскую Kioxia. Благодаря новой сделке компания сможет сократить своё отставание от лидера рынка — Samsung Electronics.

И хотя акционеры не очень рады данной сделке, поскольку она весьма дорогая, она принесёт пользу рынку за счёт его консолидации.

Финансовый директор Intel Джордж Дэвис в ходе конференции аналитиков Моргана Стенли заявил, что компания производит микросхемы NAND в Далиане, Китай, однако они не могут продать достаточное количество SSD на базе этих чипов, чтобы генерировать прибыль.

Также компания сообщает, что может вообще прекратить собственное производство микросхем, а фирменные SSD комплектовать памятью стороннего производства, либо же вообще покупать сторонние SSD. Альтернативным вариантом называлась продажа микросхем NAND сторонним покупателям.

Дэвис отметил, что, хотя NAND-память становится всё более важной для ЦОД, «мы должны иметь прибыльность, долгосрочную прибыльность и привлекать возврат [инвестиций]… мы не способны генерировать прибыль из этого».

Производство таких накопителей было начато в конце 2018 года в китайском Даляне, и за короткое время, чуть больше года, фирма выпустила на рынок более 10 миллионов SSD на базе памяти QLC-3D-NAND, показав всему миру, что QLC является мейнстрим-технологией производства устройств высокой ёмкости.

«Многие говорили о технологии QLC, а Intel стала её поставлять, и в больших масштабах», — заявил Дэйв Ланделл, директор Intel по стратегическому планированию SSD и маркетингу продуктов. «Мы наблюдали высокий спрос на наши недорогие независимые QLC SSD (Intel SSD 660p) и производительные решения Optane Technology + QLC (Intel Optane Memory H10)».

Технология Intel QLC-3D-NAND использовалась для производства SSD марок 660p, 665p и Intel Optane Memory H10. Они основаны на памяти, хранящей по 4 бита в ячейках, расположенных в 64 (первые модели) или 96 слоях. Эта технология разрабатывалась десятилетие, и в 2016 году инженерам Intel удалось изменить ориентацию плавающего затвора, что и позволило хранить по 4 бита на ячейку с общим объёмом 384 Гб на ядро.

Фрэнк Хэйди, представитель группы энергонезависимой памяти Intel, заявил, что пятиуровневые ячейки позволят в дальнейшем увеличить плотность и снизить затраты, по сравнению с четырёхуровневыми.

Пока компания не сообщает сроки коммерческой готовности или влияние на себестоимость такой памяти. В заявлении лишь говорится: «Сегодня мы проводим исследования осуществимости».

Стоит сказать, что Intel нужно поспешить. Компания Toshiba представила собственную флэш-память с 5-уровневыми ячейками в августе. Кроме многослойности ячеек производители памяти также размещают сами ячейки в несколько слоёв, что делает данную конструкцию условно четырёхмерной. Уже в следующем году ожидается появление 144-слойной NAND памяти.

Компания отмечает, что столкнулась с опасно низким качеством производства, при котором годными выходят менее 50% отпечатков. Это приводит к тому, что фактическая стоимость гигабайта памяти типа QLC превышает таковую для TLC.

Первой жертвой низкого уровня годной продукции 3D QLC NAND стали накопители Intel серии 600p. Это мейнстрим NVMe SSD, который смог опустить цену на терабайтный накопитель до уровня 200 долларов. Источники в IMFT, совместном предприятии Micron и Intel, сообщают, что в дальнейшее производство идёт только 48% отпечатков в 64-слойных QLC NAND флэш блинах. То есть брак составляет 52%. Для сравнения, 64-слойная TLC память оказывается годной в 90% случаев. В этой статистике не учитываются заведомо неработоспособные недопечатанные микросхемы на краях блинов.

Самое печальное то, что источник не видит возможности улучшения для нынешнего производственного поколения.

Партнёрам удалось создать 64-слойную структуру, достигнув плотности 1 Тб на ядро, что является самым плотным решением среди всей флеш-памяти в мире.

Также компании сообщили о разработке третьего поколения памяти 3D NAND представленной 96 слоями. Она обеспечит 50% увеличение числа слоёв и сохранит союзу Intel/Micron место на передовой NAND технологий.

Обе анонсированные технологии используют методику CuA — CMOS under the array, которая сокращает размер ядра и распараллеливает потоки подключения, позволяя увеличить количество одновременно считываемых и записываемых ячеек.

В заявлении говорится, что начиная со следующего года Intel и Micron будут «работать независимо» над будущей 3D NAND. Это произойдёт после подписания третьего поколения 3D NAND в текущем году. При этом отмечается, что компании продолжат совместную разработку и производство энергонезависимой памяти 3D XPoint.

Два года назад Intel запустила завод по производству микросхем памяти на 300 мм пластинах в Китае, и уже тогда многие обозреватели заявили о приближающемся «разводе».

Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, было основано в 2006 году, когда до рыночного успеха памяти было ещё далеко. Сейчас у компаний несколько разные цели и рынки сбыта. В Intel предпочитают заниматься памятью для установки в SSD для ЦОД и промышленных серверов, в то время как Micron больше интересует потребительский рынок.

Сейчас обе компании налаживают производство памяти на базе второго поколение 64-слойной 3D NAND технологии.

Поскольку «корона» победителя определяется по количеству общих продаж, лидер отрасли может смениться в связи с высоким спросом на чипы DRAM и NAND, которые успешно производятся южнокорейским гигантом. Многие пользователи, особенно в Китае, предпочитают смартфоны с большим объёмом ОЗУ и большим объёмом встроенной памяти, что играет Samsung на руку. Кроме того, цены на DRAM и NAND выросли в первом квартале на 40 и 45% соответственно, что позволяет компании зарабатывать ещё больше средств и способствует росту производства.

Аналитики из IC Insights полагают, что в этом году рынок DRAM вырастет на 39%, в то время как рост рынка NAND составит 25%.

Прогнозируется, что во втором квартале Intel сообщит о продажах на 14,4 миллиарда долларов, в то время как Samsung отчитается о продажах на 14,9 миллиардов. Учитывая обстоятельства и высокую цену на память, аналитики ожидают, что Samsung обойдёт по продажам Intel по результатам 2017 года.

Тем не менее, если к концу года цена на микросхемы памяти быстро снизится, Intel может сохранить за собой лидерство.

Компании считают данный прорыв крупнейшим с момента разработки NAND Flash, которая впервые была представлена в 1989 году. Новая технология предлагает энергонезависимую память совершенно нового класса. Так, память 3D XPoint будет в 1000 раз быстрее, чем обычная NAND и будет обладать в 1000 раз большей надёжностью. И это ещё не всё, ведь новая память будет в 10 раз плотнее нынешних образцов.

Всё это означает, что новая память позволит заметно ускорить работу современных компьютеров даже без изменения производительности процессоров. Сейчас один из крупнейших барьеров производительности заключён во времени, необходимом для передачи данных от CPU к накопителю, однако в 3D XPoint это время резко сокращено. По словам Intel, это позволит использовать PC в совершенно новых областях, к примеру, новая память даст врачам возможность изучать распространение болезни в реальном времени, а ЦОД смогут записывать и считывать информацию заметно быстрее.

Наши коллеги из Neowin пообщались с представителями Intel и выяснили, что фирма уже начала изготавливать память 3D XPoint и готовится передать её избранным партнёрам, а уже в следующем году появятся новые продукты на основе памяти 3D XPoint.

Так, по уверениям Intel, им удалось создать 256 Гб чип в MLC-конфигурации, и 384-битный в TLC-конфигурации памяти. Этого удалось добиться благодаря использованию в 3D-архитектуре плавающего затвора, который обычно применяется в планарной технологии изготовления чипов.

Благодаря использованию новой технологии, обычный 2,5” SSD будет иметь объём до 10 ТБ. В более компактном «брелковом» размере, объём может достигнуть 3,5 ТБ. Обе компании-разработчика отмечают, что новая технология снижает удельную стоимость производства, позволяет повысить производительность, увеличить срок службы и даже понизить энергопотребление, по сравнению с NAND-чипами, выпущенными по планарной технологии.

По словам фирм, опытное производство 256 Гб MLC-микросхем уже начато, в то время как выпуск 384 Гб TLC-микросхем начнётся этим летом. С учётом этого компании планируют начать массовый выпуск данной продукции до конца текущего года. Кроме того, обе компании объявили, что они одними из первых начнут выпуск конечных продуктов на базе новой памяти, обещая выпуск фирменных SSD в середине 2016 года.

Гигант рынка полупроводников планирует выпустить первые SSD с памятью 3D NAND во второй половине 2015 года. Эти чипы станут результатом совместной работы с Micron. В них будут собраны 32 плоских слоя, что может обеспечить ёмкость одного MLC ядра в 256 Гб (32 ГБ), а с использованием технологии трёх бит на ячейку (TLC), объём чипа может вырасти до 384 Гб (48 ГБ).

Память 3D NAND обещает совершить прорыв в вопросах стоимости и габаритов. В результате, SSD объёмом 1 ТБ будет иметь толщину всего 2 мм, а через пару лет, благодаря 3D NAND, твердотельные накопители вырастут в объёме до 10 ТБ.

Для сравнения, 32-слойная V-NAND флэш-память от Samsung предлагает всего 86 Гб на ядро MLC и 128 Гб при TLC конфигурации. Таким образом, Intel с Micron становятся явными лидерами рынка твердотельной памяти.

В ходе конференции, компания Intel показала презентацию с работающим прототипом новой флэш-памяти, так что все работы по её созданию действительно подходят к концу. О том, где Intel хочет использовать новые накопители, она пока не решила. Перспективными направлениями использования компания считает центры обработки данных, корпоративных клиентов и энтузиастов PC.

Последняя является названием для модельного ряда SSD Intel Pro 2500, о котором ранее появлялись некоторые сведения. Итак, накопители серии Pro 2500 запланированы к выпуску в форм-факторах M.2 and 2.5″ с ёмкостью от 80 ГБ до 480 ГБ. Эти хранилища должны быть выпущены во второй половине 2014 года, но пока это лишь планы.

В целом, дорожная карта, приведённая на слайдах, даёт вполне чёткое описание планов компании по срокам выпуска продукции. Из неё совершенно понятно, что в производстве предпочтение будет отдано 20 нм MLC NAND памяти. Ряд Fultondale получит технологию высокой стойкости, благодаря которой будет достигнута долговечность равная однослойной NAND памяти. Эти SSD будут выпускаться в версиях объёмом 80, 180, 240 и 480 гигабайт.

Модельный ряд SSD DC P3500 получит скорости чтения/записи 2800/1700 МБ/с. Он будет производиться в форм-факторах 2,5” и платы PCIe в объёмах 250 ГБ, 500 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. Модельный ряд P3700 получит все преимущества двух предыдущих, т. е. наряду со скоростью чтения/записи 2800/1700 МБ/с эти SSD будут оснащены NAND чипами с пониженным износом. Эти накопители можно будет приобрести в объёме от 200 ГБ до 2 ТБ.

Intel и Micron сделали очередной шаг в этом направлении и заявили, что образец нового твердотельного NAND чипа объёмом 8 Гб, производимого по технологии 20 нм, уже готов.

Ссылаясь на Intel и Micron можно сказать, что площадь новых 20 нм чипов на 8 Гб составляет 118 кв. мм, в результате чего чип «занимает на 30 - 40 процентов меньше пространства», по сравнению с 25 нм микросхемами такой же ёмкости. Меньший размер кристалла позволит «на 50% увеличить гигабайтную ёмкость» используя те же самые заводы. Но лучше всего то, что 20 нм чипы NAND обладают большей производительностью и выносливостью, по сравнению с предшественниками.

Intel и Micron рассчитывают начать массовое производство новых 8 Гб микросхем во второй половине этого года. Компании также отметили, что собираются представить образцы 16 Гб устройств, основанных на новой 20 нм технологии, в том же временном промежутке.

Ниже все они перечислены в нижеприведённом списке без упорядочивания по важности.

Intel отменила выход графического ускорителя Larrabee

В течение последних нескольких лет Intel говорит о своём выходе на рынок дискретных видеокарт и высокопараллельных вычислений. Компания обещает благодаря Larrabee добиться выдающегося качества графики и высочайшей производительности, однако, по всей видимости, с архитектурой графических ускорителей NVIDIA и AMD решение Intel пока тягаться неспособно. Следующее поколение Larrabee компания обещает представить лишь в 2011 году.

Переход на 64-битное ПО

Процессоры поддерживают 64-битные инструкции уже много лет, но 2009 год стал переломным: сейчас большая часть продаваемых ОС Windows являются 64-битными. Это позволит разработчикам быстрее выпустить 64-битные версии своих программ.

Перевод производства Flash NAND памяти на 34-нм техпроцесс

Спрос на flash-память в 2009 году рост быстрее, чем ожидалось, что привело к росту её стоимости. Однако, переход на массовое производство с соблюдением 34-нм норм в полном разгаре и в 2010 году этот тип памяти станет гораздо дешевле. Кстати, память DDR3 и GDDR5 переводится производителями на 40-нм нормы, что тоже сделает её более доступной.

Нетбуки

Рынок небольших дешёвых компьютеров с низкой производительностью и долгим временем работы от батарей буквально взорвался в прошлом году:  по сравнению с 2008 годом этих небольших устройств было продано вдвое больше: 40 млн. единиц. Результат был бы ещё более впечатляющим, если бы не экономический спад.

Microsoft занесла в чёрный список более 1 миллиона консолей Xbox 360

По причине пиратства Microsoft серьёзно взялась за борьбу со взломанными приставками Xbox 360. Несмотря на то, что мнение общественности по этому поводу разделилось, компанией был закрыт доступ к online-службам для более 1 миллиона консолей. В offline-игры владельцы злополучных приставок играть по-прежнему могут.

Эти чипы рассчитаны на применение в потребительских портативных накопителях вроде flash-карт или USB-брелков, где объем и дешевизна являются основными приоритетами.

Технология 3 бит на ячейку NAND разработана и отлажена объединенной компанией IM Flash Technologies. В результате удалось создать самый маленький в мире 32-Гбитный чип из всех имеющихся на рынке. Его площадь составляет всего 126 мм2, а массовое производство начнется уже в последней четверти текущего года.