Новости про Intel и Micron

Intel возвращает титул самого большого производителя микросхем

По данным аналитической компании Gartner общемировой рынок полупроводниковых продуктов в 2019 году резко снизился, составив лишь 418,3 миллиарда долларов. Это на 11,9% ниже, чем в 2018 году. Основной спад пришёлся на память, а потому Intel практически не потеряла прибыль, что и позволило ей выйти вперёд.

Рынок памяти в 2019 году составлял 26,7%. Эндрю Норвуд, вице-президент Gartner, отметил, что его годовой спад составил 31,5%. В этой категории снижение прибыли от DRAM составило 37,5%, что было вызвано глобальным перепроизводством. Это привело к снижению рыночной цены вдвое, что порадовало потребителей и расстроило производителей.

Рынок NAND потерял не настолько много, поскольку здесь прибыль упала лишь на 23,1%. В результате Samsung, занимавшая первую позицию в рейтинге производителей микросхем в 2017 и 2018 годах, в 2019 году не смогла сохранить лидерство, поскольку большая доля её поступлений приходится именно на микросхемы памяти. Новым старым лидером стала Intel. На 3, 4 и 5 местах расположились SK Hynix, Micron Technology и Broadcom.

Рынок полупроводниковых устройств в 2019 году

Micron выкупит долю Intel в IM Flash Technologies

Компания IM Flash Technologies является совместным предприятием, которое организовали Intel и Micron для работы над созданием и продвижением твердотельной памяти. И теперь Micron намерена перевести его в свою собственность.

Сообщается, что сумма сделки составит 1,5 миллиарда долларов. При этом на конец августа стоимость части Intel оценивалась в 1 миллиард.

Изначально обе компании вложили в IM Flash Technologies по 1,2 миллиарда долларов. Было это в далёком 2006 году. Главным достижением совместного предприятия можно считать разработку и внедрение памяти 3D XPoint, которая нашла себе применение в ЦОД и высокопроизводительных компьютерах энтузиастов.

Логотип IM Flash Technologies

Что касается сделки, то в своих финансовых отчётах Micron уже считает данное СП консолидированным. Компания не считает, что проводимая сделка повлияет на финансовые результаты компании и снизит прибыль за 2019 фискальный год.

В июле оба производителя чипов договорилась о завершении совместной разработки технологии 3D XPoint и раздельном ведении операций. На основании прошлых соглашений, Micron продолжит продавать пластины с памятью 3D XPoint компании Intel в течение года после закрытия. Сама же IM Flash после закрытия сделки будет полностью принадлежать Micron.

Micron имеет более 50% брака в микросхемах QLC NAND

Компания Micron изготавливает микросхемы памяти 3D Xpoint совестно с Intel, а также производит более традиционную NAND память для SSD. Фирма, вместе с остальными лидерами рынка, перешла на выпуск QLC NAND памяти, но её выпуск идёт с большими потерями.

Компания отмечает, что столкнулась с опасно низким качеством производства, при котором годными выходят менее 50% отпечатков. Это приводит к тому, что фактическая стоимость гигабайта памяти типа QLC превышает таковую для TLC.

SSD Intel 600p

Первой жертвой низкого уровня годной продукции 3D QLC NAND стали накопители Intel серии 600p. Это мейнстрим NVMe SSD, который смог опустить цену на терабайтный накопитель до уровня 200 долларов. Источники в IMFT, совместном предприятии Micron и Intel, сообщают, что в дальнейшее производство идёт только 48% отпечатков в 64-слойных QLC NAND флэш блинах. То есть брак составляет 52%. Для сравнения, 64-слойная TLC память оказывается годной в 90% случаев. В этой статистике не учитываются заведомо неработоспособные недопечатанные микросхемы на краях блинов.

Самое печальное то, что источник не видит возможности улучшения для нынешнего производственного поколения.

Micron и Intel создают терабайтный QLC 3D NAND чип

Компании Intel и Micron продолжают укреплять своё сотрудничество, плодом которого стала 3D память NAND, хранящая по 4 бита на ячейку.

Партнёрам удалось создать 64-слойную структуру, достигнув плотности 1 Тб на ядро, что является самым плотным решением среди всей флеш-памяти в мире.

Micron

Также компании сообщили о разработке третьего поколения памяти 3D NAND представленной 96 слоями. Она обеспечит 50% увеличение числа слоёв и сохранит союзу Intel/Micron место на передовой NAND технологий.

Обе анонсированные технологии используют методику CuA — CMOS under the array, которая сокращает размер ядра и распараллеливает потоки подключения, позволяя увеличить количество одновременно считываемых и записываемых ячеек.

Intel и Micron завершают сотрудничество

Компании Intel и Micron решили прекратить своё сотрудничество в области разработки памяти типа 3D NAND.

В заявлении говорится, что начиная со следующего года Intel и Micron будут «работать независимо» над будущей 3D NAND. Это произойдёт после подписания третьего поколения 3D NAND в текущем году. При этом отмечается, что компании продолжат совместную разработку и производство энергонезависимой памяти 3D XPoint.

Два года назад Intel запустила завод по производству микросхем памяти на 300 мм пластинах в Китае, и уже тогда многие обозреватели заявили о приближающемся «разводе».

Совместное предприятие Intel и Micron, IM Flash, было основано в 2006 году, когда до рыночного успеха памяти было ещё далеко. Сейчас у компаний несколько разные цели и рынки сбыта. В Intel предпочитают заниматься памятью для установки в SSD для ЦОД и промышленных серверов, в то время как Micron больше интересует потребительский рынок.

Сейчас обе компании налаживают производство памяти на базе второго поколение 64-слойной 3D NAND технологии.

Intel и Micron обещают SSD объёмом 10 ТБ

Как известно, Toshiba и SanDisk совсем недавно представили свои 128 Гб модули NAND состоящие из 48 слоёв. Их главные конкуренты, Intel и Micron, пока заметно отстают от них в количестве слоёв. Эти компании анонсировали лишь 32-слойную архитектуру чипа, однако им удалось значительно продвинуться в плотности микросхем.

Так, по уверениям Intel, им удалось создать 256 Гб чип в MLC-конфигурации, и 384-битный в TLC-конфигурации памяти. Этого удалось добиться благодаря использованию в 3D-архитектуре плавающего затвора, который обычно применяется в планарной технологии изготовления чипов.

Благодаря использованию новой технологии, обычный 2,5” SSD будет иметь объём до 10 ТБ. В более компактном «брелковом» размере, объём может достигнуть 3,5 ТБ. Обе компании-разработчика отмечают, что новая технология снижает удельную стоимость производства, позволяет повысить производительность, увеличить срок службы и даже понизить энергопотребление, по сравнению с NAND-чипами, выпущенными по планарной технологии.

По словам фирм, опытное производство 256 Гб MLC-микросхем уже начато, в то время как выпуск 384 Гб TLC-микросхем начнётся этим летом. С учётом этого компании планируют начать массовый выпуск данной продукции до конца текущего года. Кроме того, обе компании объявили, что они одними из первых начнут выпуск конечных продуктов на базе новой памяти, обещая выпуск фирменных SSD в середине 2016 года.

Intel, совместно с Micron, представили образцы твердотельной памяти NAND изготовленной по техпроцессу 20 нм

Медленно, но уверенно флеш память продолжает становиться все более плотной и более ёмкой.

Intel и Micron сделали очередной шаг в этом направлении и заявили, что образец нового твердотельного NAND чипа объёмом 8 Гб, производимого по технологии 20 нм, уже готов.

Ссылаясь на Intel и Micron можно сказать, что площадь новых 20 нм чипов на 8 Гб составляет 118 кв. мм, в результате чего чип «занимает на 30 - 40 процентов меньше пространства», по сравнению с 25 нм микросхемами такой же ёмкости. Меньший размер кристалла позволит «на 50% увеличить гигабайтную ёмкость» используя те же самые заводы. Но лучше всего то, что 20 нм чипы NAND обладают большей производительностью и выносливостью, по сравнению с предшественниками.

Intel и Micron рассчитывают начать массовое производство новых 8 Гб микросхем во второй половине этого года. Компании также отметили, что собираются представить образцы 16 Гб устройств, основанных на новой 20 нм технологии, в том же временном промежутке.

Intel и Micron представили дешевые чипы NAND

Компании Intel и Micron сообщили на днях о разработке многослойной технологии ячеек flash-памяти типа NAND с плотностью 3 бит на ячейку.

Эти чипы рассчитаны на применение в потребительских портативных накопителях вроде flash-карт или USB-брелков, где объем и дешевизна являются основными приоритетами.

Технология 3 бит на ячейку NAND разработана и отлажена объединенной компанией IM Flash Technologies. В результате удалось создать самый маленький в мире 32-Гбитный чип из всех имеющихся на рынке. Его площадь составляет всего 126 мм2, а массовое производство начнется уже в последней четверти текущего года.