Новости про Intel и технологии

Intel показала прототип флэш-накопителя для Thunderbolt

Нет сомнения, что главным доходом Intel являются их центральные процессоры, однако это вовсе не означает, что Haswell стала единственной вещью, которую компания привезла на Computex.

Одной из интересных вещей фирмы стал прототип флэш-накопителя с интерфейсом подключения Thunderbolt, который, по словам Intel, является самой быстрой технологией передачи данных между компьютером и периферией.

По большому счёту представленный 128 ГБ накопитель выглядит как обычная USB флэшка. На самом деле внутри неё установлен простой SSD от SanDisk, однако само устройство подключается к ПК посредством стандартного порта Thunderbolt. При этом в отличие от большинства периферии накопитель не требует использования дорого интерфейсного кабеля.

Thunderbolt флэшка Intel

Современная версия технологии Thunderbolt обеспечивает скорость передачи данных в 10 Гб/с, что в два раза выше, чем у USB 3.0. Несмотря на такое технологическое преимущество лишь небольшая часть ПК оснащена портами Thunderbolt, да и рынок не пестрит устройствами, подключаемыми по данному интерфейсу. В их число входит лишь небольшая часть мониторов и внешних накопителей.

Сейчас же прототип готов и продемонстрирован. Инженер Thunderbolt Орен Хабер сообщил, что существует некоторый интерес производителей в выпуске подобных устройств, поскольку они обладают крайне высокой скоростью передачи данных, но при этом он так и не сказал, будет ли подобный гаджет когда-либо выпущен на рынок.

Intel продвигает ПК всё-в-одном со встроенной батареей

Сайт DigiTimes сообщает, что компании Intel начала кампанию по продвижению собственного концепта адаптивного ПК конструкции всё-в-одном.

По сути, концепция напоминает недавно анонсированное решение AMD и представляет собой гибрид ПК всё-в-одном и планшета. Продвигаемые системы будут обладать хай-энд спецификациями, большой сенсорной панелью и встроенной батареей, позволяющей переносить устройство. По мнению гиганта, такая конструкция позволит в этом году увеличить продажи ПК всё-в-одном в три раза, по сравнению с (почему-то) 2008 годом.

Адаптивный ПК Intel

Разработчики считают, что новые устройства будут иметь экран от 18,4” до 27” и набортную батарею. Также компания постарается создать максимально технологичную конструкцию, чтобы сделать гаджет абсолютно плоским. Кроме того дизайн адаптивной системы Intel этого года предусматривает шасси из магний-алюминиевого сплава, сенсорную панель PMMA и высокоёмкую литий-полимерную батарею. К концу года Intel хочет добавить в гаджет экраны высокого разрешения и детали из композиционных материалов.

В качестве платформы Intel решила продвигать форм-фактор Thin Mini-ITX. Сами же платы будут выпускаться ASRock, Gigabyte Technology, Elitegroup Computer System(ECS) и китайской Wibtek, которые уже подготовили несколько моделей.

Intel представила Thunderbolt контроллер со скоростью 20 Гб/с

Компания Intel представила технологию Thunderbolt следующего поколения, которая обещает обеспечить передачу данных со скоростью 20 Гб/с в обоих направлениях, что вдвое больше, чем в нынешнем поколении Thunderbolt.

Обновлённый контроллер имеет полную обратную совместимость с прошлым поколением кабелей и конвекторов и включает возможности передачи 4K видеосигнала одновременно с данными.

Кабель Thunderbolt

На шоу Национальной Ассоциации Вещательных компаний США в Лас-Вегасе Intel сделала несколько интересных анонсов касательно технологии Thunderbolt, гарантируя максимальную скорость передачи данных для ПК, из доступных сегодня. Новый контроллер модели DSL4510/4410 включает возможности DisplayPort 1.2 при подключении к дисплеям с поддержкой этого порта, улучшенное управление питанием и сниженную стоимость материалов. Intel даже представила первые опытные образцы микросхем контроллера с кодовым именем Falcon Ridge и продемонстрировала для прессы её работоспособность. В ходе демонстрации была достигнута скорость в 1200 МБ/с, что весьма близко к заявленной.

Производство новых контроллеров начнётся в 2014 году.

Показана работа GRID 2 на Intel Haswell

Компания Intel в ходе GDC 2013 провела демонстрацию работы игры GRID 2 на интегрированной графике процессоров Haswell.

Таким образом компания продемонстрировала PixelSync, новую эксклюзивную технологию, обеспечивающую более реалистичную отрисовку дыма, волос, окон, фасадов зданий и прочих сложных геометрических и естественных поверхностей, группируя и выводя на экран частично прозрачные пиксели.

Демонстрация GRID 2 на Intel Haswell

Игра работала довольно плавно, при том, что разрешение составляло 1920x1080 пикс., а сцены с дымом на экране выглядели довольно неплохо. О том, на каком оборудовании проходила демонстрация ничего неизвестно, лишь сообщается, что это был ноутбук. К сожалению, Intel не назвала ни модель лэптопа, ни даже модель процессора.

Итак, мы знаем, что процессор Intel Haswell имеет пару расширений DirectX, которые могут использовать студии-разработчики, чтобы сделать свои игры более реалистичными на новых CPU Intel, а значит, Haswell начинает эпоху, при которой встроенные графические решения будут обладать технологиями, недоступными для дискретной графики.

Intel планирует 10 нм в 2015 году

Компания Intel провела для журналистов хорошую техническую пресс-конференцию, в ходе которой сотрудник компании Марк Бор (Mark Bohr) рассказал о 14 нм производственном процессе.

Он сообщил, что Intel надеется выпустить 14 нм производство уже к концу 2013 года. Этот процесс будет проходить по графику подготовки процессоров следующего поколения, известных под кодовым именем Broadwell, которые поступят в массовое производство в 2014 году.

Марк Бор рассказывает о технологиях Intel

Сам техпроцесс называется P1272 и предусматривает использование элементов схемы равных 16 нм, однако в Intel предприняли некоторые шаги, которые позволили уплотнить элементы кристалла. Разработчики сумели расположить элементы более плотно, чем ожидалось 6 лет назад, когда этот техпроцесс был только анонсирован. В результате Intel получила более энергоэффективную дорожную карту, в отличие от более ранней,  направленной на высокую производительность.

Говоря о будущем компании, были отмечены исследования в области 10 нм технологии, которая запланирована на 2015 год. В то же время Intel работает и над 7 нм, и даже над 5 нм техпроцессами, но Бор не уточнил ожидаемые сроки их поступления в производство.

Если Intel продолжит обновление техпроцесса теми же темпами, то при условии выхода 10 нм литографии в 2015 году, 7 нм появятся в 2017, а 5 нм технология — в 2019 году.

Intel приобрела биометрическую компанию

Компания Intel объявила о приобретении израильского стартапа IDesia Biometrics, который разработал ряд технологий, позволяющих считывать сердечный ритм.

Технология, разработанная IDesia, позволяет идентифицировать персону, поскольку сердцебиение каждого человека уникально. Эта технология способна обойти возможности биометрических сканеров, основанных на считывании отпечатков пальцев, которые достаточно легко обмануть. Точные детали сделки не разглашаются, однако известно, что IDesia заработала на этом 7 миллионов долларов.

Intel услышит ваше сердце

Возможно, что эта технология позволит вашему ноутбуку идентифицировать личность и допустить вас к хранящимся на нём данным. Ещё одно применение технологии — идентификация в аэропорту. Основатель и исполнительный директор IDesia доктор Даниель Ланж (Daniel Lange) заявил израильской прессе, что сделка с Intel не была желанной. Однако для доведения технологии до рынка ей необходимы гигантские финансовые вливания, и в Израиле тяжело найти инвесторов для производства конечных электронных продуктов. Ланж отметил, что он не хотел продавать технологию, но он пояснил, что эта сделка позволит разработке выйти на широкий рынок как можно скорее.

Intel хочет, чтобы ультрабуки понимали жесты

У руководства компании Intel появилась идея, выражающаяся в том, чтобы ультрабуки, продвигаемые компанией, сразу продавались с функцией распознавания речи и жестов.

Компания Intel всё время старается завышать планку спецификаций курируемых ею лэптопов. Так, фирма уже имеет сенсорные ультрабуки, и на прошлой неделе объявила об увеличении заказов на сенсорные панели у тайваньских производителей в 3—5 раз. На сей раз, по информации Oman Tribune, электронный гигант хочет внедрить систему распознавания жестов и голосовое управление, причём прямо «из коробки». Компания планирует сделать это уже в следующем году.

Вице-президент и главный менеджер по продажам и маркетингу Intel Том Килрой

Однако при этом старший вице-президент и главный менеджер по продажам и маркетингу Intel Том Килрой (Tom Kilroy) заявил, что не может точно обозначить дату выпуска ультрабуков с системами распознавания жестов и голоса, но при этом отметил, что этот день уже практически «за углом».

Intel начинает работу над 7 нм и 5 нм техпроцессами

Исполнительный директор Intel Corp. Пол Отеллини (Paul Otellini) недавно заявил, что компания начинает работу над технологическими процессами с размером элементной базы в 7 нм и 5 нм.

В то же время компания планирует оснастить свои заводы в Орегоне, штат Аризона, и в Ирландии оборудованием для производства микросхем по 14 нм техпроцессу.

Технологическая дорожная карта Intel

Отеллини заявил: «Наши исследования и разработки достаточно глубоки, я говорю о десятке лет».

Заводы Intel

Исполнительный директор крупнейшего в мире производителя микропроцессоров уточнил, что продукты компании, изготовленные с использованием 7 нм и 5 нм техпроцессов, находятся «в работе и на правильном пути».

Во время встречи с инвесторами Отеллини отметил: «Изобретения продолжаются… Мы продолжим предоставлять все возможности [нашим инвесторам] и партнёрам посредством нашей кремниевой технологии».

Intel уже имеет 14 нм тестовую схему

Сайт Nordic Hardware опубликовал эксклюзивное интервью с Пэтом Блимером (Pat Bliemer), управляющим директором Intel Northern Europe.

В этой беседе наши коллеги обсудили с Блимером технологические перспективы развития компании после перехода на 22 нм технологические нормы, которые будут использованы в центральных процессорах семейства Ivy Bridge. К сожалению, Блимер не стал заострять внимание на технических деталях вопроса, и не указал даже примерный срок, когда новые технологические решения появятся на свет. Однако он отметил, что в них в полной мере будут использована трёхмерная транзисторная технология Tri-Gate, такая же, как и в Ivy Bridge, а также то, что тестовая электросхема будущей технологии уже работоспособна.

Управляющий директор Intel Northern Europe Пэт Блимер

«Нам нужно продолжать и вы можете мне поверить, что в наших лабораториях мы уже имеем работающее следующее, после 22 нм, поколение, так что нам нужно продолжать… Я действительно не могу рассказать об этом ничего большего, кроме как то, что в лабораторных условиях мы уже стоим на пути, наши инженеры уже стоят на пути запуска и производства 14 нм продуктов… И я думаю, что самым важным нашим достижением стали металлические 3D затворы, и лишь конструкция затворов, на самом деле, может обеспечить более эффективное использование энергии и меньшее выделение тепла».

Сравнение плоской и 3D технологий транзисторов Intel

Напомним, что летом компания сообщала и о дальнейших производственных планах. Тогда, 14 нм техпроцесс планировался к внедрению в 2014 году, а 10 нм — около 2018 года.

Intel предсказывает создание стеков чипов ОЗУ

Стив Павловски (Steve Pawlowski), один из управляющих компании Intel, сказал, что «Развитие DRAM является проблематичным».

Такое заявление было сделано в ответ на невозможность достижения фирмами своих целей, связанных с высокопроизводительными вычислениями, добавив что «Производительность DRAM увеличится незначительно». Ранее Павловски говорил, что операции ввода-вывода процессоров стали большой проблемой, а производители памяти могут столкнуться с трудностями, перейдя на техпроцессы менее 17 нм. «Производителям DRAM понадобятся более экзотические решения»,— говорил он. Тогда же он предположил, что таким решением может стать создание стеков чипов памяти, а увеличение количества каналов не даст положительного эффекта.

Стив Павловски

Безусловно, идея создания стеков не нова, однако Павловски обратил внимание на проблему, связанную с охлаждением на нижних слоях. По его заявлению, Intel уже пробовали изготовить стекированные образцы памяти, однако в связи со сложностью охлаждения, нижний слой микросхемы просто расплавился.

Кроме того, специалист Intel предрекает интеграцию памяти с центральным процессором, располагая чипы памяти физически под кристаллом центрального процессора.

Если видение Павловски будущей конструкции DRAM станет реальным, то, безусловно, многие производители возьмут эту технологию на вооружение и начнут тесное сотрудничество с разработчиками процессоров.