Новости про Hynix

Новая память найдёт себе место в различных продуктах NVIDIA, от устройств автопилотов для автомобилей до большинства, если не всех, игровых видеокарт. Надо сказать, что эти сведения очень хорошо коррелируют с тем, что стало известно о плате Turing.

Учитывая, что массовое производство GDDR6 от SK Hynix начнётся в июне-июле, можно ожидать появления новых GPU только после этого времени. К тому же, нужно учесть, что новую память нужно произвести, получить, и установить на платы, сделать складские запасы видеокарт и только после этого начинать продажи.

О том, когда стоит ожидать новые видеоплаты NVIDIA пока ничего не известно, но в самом лучшем случае их фактический выпуск состоится не раньше, чем через три месяца, ведь именно Hynix будет первым поставщиком памяти GDDR6 для NVIDIA.

Эти накопители получили новые микросхемы памяти 3D NAND объёмом 512 Гб, состоящей из 72 слоёв. Таким образом, компания удвоила плотность своих микросхем. С новыми устройствами компания открывает для себя рынок SSD высокого объёма.

Объединив микросхемы объёмом 512 Гб с контроллерами и их прошивками собственного производства, компания создала накопители объёмом до 4 ТБ. Последовательная скорость чтения в новых SSD достигает 560 МБ/с, а записи — 515 МБ/с. Случайная скорость чтения может достигать 98 000 IOPS, а записи — 32 000 IOPS. Также компания сообщила о снижении задержек при чтении с SSD, что является важнейшим элементом в обеспечении производительности. Сейчас SK Hynix начинает поставки опытных экземпляров клиентам.

Кроме SSD накопителей компания также разрабатывает PCIe SSD объёмом более 1 ТБ на базе той же 72-слойной памяти. Эти накопители обеспечивают последовательную скорость на уровне 2700/1100 МБ/с и 230 000/35 000 IOPS при случайном доступе для чтения/записи соответственно.

Это позволяет компании выпускать модули того же объёма, что раньше, используя для этого вдвое меньше микросхем. В результате снижается энергопотребление модулей и появляется возможность создания модулей повышенного объёма. Это очень важно, поскольку позволят экипировать сервера от Intel или AMD модулями ОЗУ общим объёмом 4 ТБ.

Чипы SK Hynix 16 Гб DDR4 организованы как 1Gx16 и 2Gx8 и собраны в пакеты FBGA96 и FBGA78. Микросхемы объёмом 16 Гб предлагают скорости DDR4-2133 CL15 или DDR4-2400 CL17 при напряжении 1,2 В. В будущем компания обещает увеличить частоты, выпустив линейки DDR4-2666 CL19.

Производитель памяти сообщил, что работает с множеством партнёров, чтобы обеспечить выпуск на рынок памяти GDDR6 и HBM2. Одним из важнейших заявлений компании стало то, что компания по-прежнему не приступила к массовому производству памяти HBM2. При этом она даже не готова назвать дату коммерческого выпуска продукции, ограничившись размытым «вторым полугодием» 2017.

По сравнению с устаревающей технологией GDDR5, процессы GDDR6 и HBM2 станут более дорогими. Компания не стала сообщать точных сумм, но отметила, что клиенты будут платить в 2,5 раза больше, чем за первое поколение HBM. Конечно, это неполная информация, так что сравнение получилось очень приблизительным.

Таким образом, южнокорейская Samsung является единственным производителем памяти HBM2 в мире. Возможно, поэтому AMD так сильно задержала выпуск видеокарт Radeon RX Vega.

Также компания анонсировала доступность памяти HBM2. Вероятно, поэтому AMD до сих пор не могла выпустить видеокарты Vega. Если же AMD воспользуется памятью HBM2 от SK Hynix, то скорость работы памяти составит 410 ГБ/с при комплектации двумя стеками.

Что касается GDDR6, то эта память будет готова в последней четверти года. Данную память намного легче интегрировать в видеоплаты, поэтому она обладает большим, чем HBM2, потенциалом. Чипы GDDR6 объёмом 8 Гб будут представлены в двух вариантах. Быстрая версия предложить скорость в 14 Гб/с, а медленная — 12 Гб/с. Это означает, что пропускная способность памяти достигнет 672 ГБ/с при ширине шины 384 бита и 448 ГБ/с при шине 256 бит. Для сравнения, в видеоплате GeForce GTX 1080 (Ti) память работает со скоростью 11 Гб/с.

Несмотря на то, что HBM2 и может обеспечить более высокую пропускную способность, она весьма дорога в производстве. К примеру, NVIDIA решила использовать в картах верхнего ценового диапазона память GDDR5X, на смену которой уже в следующем году придёт GDDR6.

Память нового типа будет иметь объём в 16 Гб (2 ГБ) на микросхему. Таким образом, восемь микросхем памяти обеспечат набор в 16 ГБ VRAM.

Современная память GDDR5 обеспечивает пропускную способность на уровне 8 Гб/с, новая топовая память GDDR5X обеспечивает скорость в 11—12 Гб/с, в то время как GDDR6 предложит 16 Гб/с (при 16 ГГц эффективной частоты).

Если рассмотреть для примера GeForce GTX 1070, то память GDDR6 позволит удвоить пропускную способность памяти, увеличив её с 256 ГБ/с до 512 ГБ/с. Кроме того, память GDDR6 более энергоэффективна, чем HBM, однако ей предстоит серьёзная конкуренция со стороны HBM, которую предпочла AMD для своих будущих продуктов Vega, а также NVIDIA для своих топовых решений.

В результате инженеры смогли разместить в полтора раза больше ячеек, чем в 48-слойных чипах, которые уже находятся в массовом производстве.

Напомним, что SK Hynix выпустила 36-слойные чипы объёмом 128 Гб в августе прошлого года, а с ноября выпускает микросхемы с 48 слоями. Инженеры отметили сложность проделанной работы, сравнив её со строительством 4 миллиардов небоскрёбов высотой в 72 этажа каждый на одной площадке. Новые 256 Гб чипы имеют на 30% большую эффективность в производстве и на 20% большую производительность. В настоящее время на базе этой памяти SK Hynix разрабатывает NAND Flash решения для построения твердотельных накопителей и решений хранения данных для смартфонов.

Улучшая производительность, имея высокую надёжность и низкое потребление энергии, SK Hynix надеется сохранить за собой лидирующие позиции на рынке твердотельной памяти.

В ходе анонса фирма сообщила, что модули будут предназначены для «грядущих графических карт хай-энд класса». Учитывая, что AMD Vega будет работать с памятью HBM2, то память GDDR6 предполагается к использованию в платах NVIDIA Volta. Компания отметила, что собирается наладить массовое производство чипов GDDR6 как раз к моменту выпуска новых видеокарт — в начале 2018 года.

В настоящее время JEDEC по-прежнему не завершила стандарт GDDR6, однако по предварительным данным эта память получит вдвое большую скорость, чем GDDR5, при 10% снижении энергопотреблении. Учитывая обещанную скорость в 768 ГБ/с, память GDDR6 от SK Hynix окажется быстрее как GDDR5, так и GDDR5X.

Этот документ открывает путь для массового производства и доступности на рынке видеоускорителей AMD с кодовым именем Vega, которые получат по два 4 ГБ стека HBM2, что в сумме предложит 8 ГБ видеопамяти.

Стек памяти с названием H5VR32ESM4H-H1K будет интегрирован в многочиповый модуль (MCM) AMD Vega10. Он работает на скорости 1,60 Гб/с (на каждый пин) с общей пропускной способностью 204,8 ГБ/с на чип. Обладая парой таких чипов видеокарта Vega10 сможет работать с памятью на скорости 409,6 ГБ/с, при условии, что AMD будет использовать базовые частоты для этой памяти.

Для производства памяти компания использовала старый и хорошо отлаженный 21 нм процесс, при том что многие ожидали увидеть более технологичные микросхемы, изготовленные по 16 нм или даже 10 нм нормам, однако этот процесс запланирован компанией только на 2017 год.

Новая память поддерживает передачу данных уровне 3733 МТ/с и обеспечивает скорость до 29,8 Гб/с. Эти цифры выглядят впечатляюще, однако для их достижения LPDDR4 необходимо напряжение в 1,1 В или выше.

Конкурирующий стандарт LPDDR4X требует напряжения 0,6 В, позволяя снизить энергопотребление на 45%. Первым процессором, который поддерживает данную память стал MediaTek P20, однако он ограничен поддержкой 2x3 ГБ LPDDR4X. Так что первым чипом с поддержкой 8 ГБ ОЗУ станет Snapdragon 835.

В любом случае, такой объём оперативно памяти будет избыточен для смартфонов. Он может иметь смысл лишь для некоторых конвертеров и устройств 2-в-1, особенно на фоне полноценной работоспособности Windows 10 на топовых процессорах Qualcomm.