Новости про Hynix и производство

SK Hynix анонсирует новую память по технологии 1anm

Один из ведущих мировых производителей оперативной памяти, SK Hynix, анонсировал новое поколение чипов, произведенных с применением экстремальной ультрафиолетовой литографии.

Используя эту технологию можно массово производить новейшие продукты DRAM четвёртого поколения по классу 10 нм. Новый техпроцесс компания назвала 1anm. Он придёт на смену нынешнему 1znm, запущенному в 2019 году. Более высокие плотности технологи 1a позволят выпускать на 25% больше микросхем на том же блине.

Оперативная память SK Hynix LPDDR4 изготовленная по технологии 1anm

В плане улучшений, которые даёт новый техпроцесс, можно отметить рост скорости памяти LPDDR4 до 4266 Мб/с, которая обычно характеризует память LPDDR4X. Кроме высокой скорости также прогнозируется снижение энергопотребления на 20%.

Память LPDDR4, произведённая по новой технологии, будет применяться в смартфонах, и первые устройства, оснащённые памятью по процессу 1anm появятся во втором полугодии. Кроме того, технология 1anm будет применена для производства памяти типа DDR5.

SK Hynix начинает производство 20 нм памяти

Компания SK Hynix, второй в мире производитель оперативной памяти, объявил, что во втором полугодии начинает массовое производство DRAM памяти, используя для этого 20 нм технологический процесс. Данный переход позволит компании лучше соответствовать нуждам рынка хай-энд памяти.

Сейчас наиболее совершенные технологии, доступные SK Hynix, включают размеры элементов 25 и 29 нанометров. Более тонкий производственный процесс позволит производителям выпускать на 30% больше чипов ОЗУ на пластинах того же диаметра в 300 мм, которые использовались ранее. В результате себестоимость каждой такой микросхемы будет ниже, что означает большую прибыль для компании.

Некоторые эксперты считают, что 20 нм техпроцесс крайне важен для производителей памяти, поскольку позволит выйти на плотности равные 8 Гб на чип, такие же, как существуют в памяти DDR4.

По информации крупнейшего в мире трекера памяти, DRAMeXchange, SK Hynix за второе полугодие 2014 значительно продвинулась в качестве производства по 25 нм технологии, что позволило фирме существенно увеличить прибыль. Ранее сообщалось, что Samsung Electronics, мировой лидер в области памяти, в этом году будет использовать 20 нм технологию для более чем половины всей производимой памяти. Эта компания приступила к массовому производству в конце прошлого года.

Третий крупнейший игрок рынка, Micron Technology, начал опытное 20 нм производство микросхем в четвёртом квартале 2014 года. Компания планирует увеличить массовое производство по 20 нм технологии также в этом году, однако объёмы будет относительно малыми.

Samsung увеличивает производство 25 нм DRAM

Компания Samsung Electronics увеличивает объёмы производства DRAM памяти по 25 нм технологическому процессу, с целью ужесточения противостояния Micron Technology и SK Hynix. Такую информацию распространил ресурс DigiTimes ссылаясь на обозревателей отрасли.

Ожидается, что Micron переведёт своё производство памяти на 20 нм процесс уже к концу текущего года, отмечают источники. Сейчас же фирма изготавливает большую часть своих микросхем памяти используя для этого заводы с процессом 30 нм.

Однако завод Micron в японской Хиросиме был модернизирован и теперь изготавливает чипы с размером элементов 25 нм. Завод в Хиросиме, по сути, работает с 12” пластинами и принадлежит японской Elpida Memory. Этот завод специально предназначен для производства микросхем DRAM.

Завод Micron в Хиросиме, равно как и тайваньская Inotera Memories, являются дочерними производствами Micron, и оба этих производителя должны перевести своё производство на 20 нм нормы к концу 2014 года, отмечают обозреватели.

Что касается китайского завода DRAM SK Hynix, то его процесс перехода на новые технологии был приостановлен в связи с пожаром, который произошёл на заводе осенью прошлого года, отмечает источник. Сейчас основным техпроцессом производства DRAM для SK Hynix остаётся 29 нм, а значит, у Samsung есть все шансы усилить свои позиции на рынке.

AMD объединилась с SK Hynix для создания 3D памяти

Компании SK Hynix и Advanced Micro Devices объявили о начале совместной работы над трёхмерно собранной памятью с высокой пропускной способностью (HBM).

Производитель процессоров делает ставку на APU, ведь использование подобной памяти положительно скажется на скорости работы их чипов, поскольку позволит использовать одинаковые пакеты для GPU и CPU. Как бы то ни было, но APU требуют высокой пропускной способности, так что даже ускоренные процессоры начального уровня получат выигрыш при использовании памяти с высокой скоростью работы, и не стоит забывать о GDDR5, которая по слухам будет распределённо использоваться в Kaveri.

Память, собранная в 3D блоки, может быть использована как память с высокой пропускной способностью, ещё большей, чем у GDDR5. Она может использоваться как системная и как видеопамять, хотя изначально такие модули разрабатывались как память для графических приложений. Новая память, построенная с использованием новых технологий Wide I/O и TSV, должна поддерживать пропускную способность на уровне от 128 ГБ до 256 ГБ, и в свет она должна выйти уже в 2015 году. В настоящее время основным применением для памяти с высокой пропускной способностью считается GPU, так что и AMD, и NVIDIA планируют начать её использование со своими продуктами, изготовленными по 20 нм техпроцессу, однако, возможно, не с первым их поколением.

В настоящее время остаётся неизвестным, каким образом AMD планирует использовать эту технологию для APU. Ведь применение памяти нового типа в потребительских продуктах потребует переделки архитектуры и отказа от обратной совместимости, что значительно замедлит популяризацию новой технологии.

SK Hynix начала массовое производство 16 нм памяти NAND

SK Hynix Inc. объявила о начале полномасштабного производства 16 нм 64 Гб MLC NAND Flash памяти, которая использует самою тонкую технологию производства, существующую сейчас в промышленности.

Первая версия NAND Flash памяти по 16 нм процессу была произведена Hynix ещё в июне этого года, а совсем недавно фирма начала выпускать более конкурентоспособную благодаря меньшему размеру чипа вторую версию.

Кроме того, компания разработала 128 Гб (16 ГБ) чип MLC. Этот самый плотный в мире чип основан на спецификации 64 Гб микросхем. Ожидается, что этот продукт поступит в продажу в начале следующего года.

По большому счёту более тонкий техпроцесс уменьшает скорость работы интерфейсов между ячейками, однако SK Hynix применила современную технологию Air-Gap, которая позволяет сохранить высокую скорость интерфейсов между ячейками. Эта технология создаёт изолирующую прослойку с вакуумными зазорами между цепями, не прибегая к использованию изоляционных материалов.

Компания SK Hynix в своём пресс-релизе пообещала и дальше увеличивать свою конкурентоспособность в решениях NAND Flash, ускорив разработку TLC (Triple Level Cell) и 3D NAND Flash.

Цены на DDR3 самые высокие за 2 года

Последние годы индустрия оперативной памяти переживала не лучшие времена. Из-за этого обанкротилась компания Elpida, а остальные были вынуждены значительно сократить производство.

Месяц назад на заводе Hynix в китайском Уси произошёл пожар. И хотя руководство компании утверждало о том, что особых проблем с отгрузкой не будет, и что производство практически не пострадало, сейчас цены на оперативную память оказались самыми высокими за последние два года. Такую информацию распространило агентство Bloomberg.

Аналитики ожидают, что цены на чипы памяти продолжат свой рост на протяжении всего четвёртого квартала, либо же до тех пор, пока производство не возрастёт до нормальных объёмов. Так, на прошлой неделе, цена на 2 гигабитный чип памяти DDR3 составила 2,27 доллара, по сравнению с 1,60 доллара 4 сентября, когда пожар на заводе Hynix привёл к остановке производства. Таковы данные DRAMeXchange, крупнейшего азиатского рынка комплектующих.

Компания Hynix является вторым крупнейшим мировым поставщиком чипов памяти. В списке её клиентов присутствуют такие гранды IT как Apple, Dell и Sony. Сейчас фирма значительно нарастила производство на заводе Южной Кореи, чтобы снизить влияние произошедшего пожара на рынок.

Hynix может восстановиться через две недели

Как известно, завод по производству памяти Hynix, расположенный в китайском городе Уси, на прошлой неделе пострадал от взрыва и последовавшего за ним пожара, однако по последним данным, завод может полностью восстановить производство через 2—3 недели.

И хотя завод обволакивал густой дым, после детального анализа выяснилось, что производство сильно не пострадало. Вначале существовали опасения того, что завод может остановиться на месяц или больше, в результате цены на память на мировом рынке резко подскочили вверх, поскольку завод производил 15% всей DRAM памяти в мире.

Сейчас же сайт Fudzilla, ссылаясь на своих информаторов, уверяет: «Работа по всей видимости возобновиться скоро… возможно в течение двух или трёх недель, или даже раньше, но это всё ещё ранние оценки и более ясная картина откроется на следующей неделе».

Сейчас всё выглядит так, что в случившейся аварии было больше дыма, чем огня, разрушения оказались минимальными и потери в производстве пластин крайне малы, поскольку пожар по большей части бушевал в зоне вентиляции и главные производственные мощности, включая чистые помещения, не были задеты.

Сообщается, что компания Hynix имеет на своих складах готовой продукции запасы, достаточные для бесперебойной отгрузки продукции в течение 2—3 недель, и если за это время завод полностью восстановится и быстро выйдет на проектные производственные мощности, то рынок даже не заметит произошедшей аварии.

На заводе памяти Hynix произошёл взрыв

В первую очередь хочется надеяться, что в результате инцидента никто не пострадал. По крайней мере первые сообщения ничего не говорят о жертвах.

Сообщается, что на китайском заводе Hynix в Уси произошёл пожар, который стал следствием мощного взрыва химикатов. Уже сейчас цены на память подскочили на 10%.

По информации Kitguru, пострадавший завод выпускал память GDDR5, которая предназначалась для видеокарт NVIDIA, а значит произошедшая катастрофа заметно повлияет на мировые цены на память, а также на продукты, выпускаемые под брендом NVIDIA и наверняка опустошит складские запасы производителей видеокарт.

На территории, где бушевал пожар, Hynix изготавливала 30% от мирового объёма памяти, и теперь она потеряет половину своего производства, а значит, мировое производство чипов памяти снизится на 15%.

Сейчас компания занята выяснением есть ли пострадавшие, а также проводит расследование причин возникновения пожара. Об этом заявил в телефонном интервью Сон Хее Ёоун, представитель Icheon, южнокорейского филиала Hynix. Огонь, вспыхнувший в 15:50 по местному времени в ходе монтажа оборудования был погашен к 17:20, сообщает источник.

Мировое перепроизводство DRAM уменьшится до 13%

В настоящее время перепроизводство чипов оперативной памяти составляет 17% от текущих потребностей. Однако в следующем году ситуация немного улучшиться. Так, по мнению Тайваньских производителей чипов, перепроизводство в первой половине 2012 года составит 13%.

Суммарное производство чипов памяти в Тайване было за месяц уменьшено с 450 000 пластин в ноябре до 250 000 в декабре. Общемировое же производство DRAM упало до примерно миллиона кремниевых пластин, что на треть меньше, чем производилось в рекордном 2008 году. Однако не все производители пошли по этому пути.

К примеру, такие гиганты индустрии, как Samsung Electronics и Hynix Semiconductor не сократили собственные производства, отмечают источники.

По информации iSuppli, в третьем квартале уходящего года Samsung установила рекорд мировых поставок ОЗУ, заняв 45% рынка. Вслед за корейским гигантом расположились Hynix с 21,5%, Elpida и Micron с 12,1% рынка каждая.

Несмотря на значительное снижение объёмов производства, контрактные цены на ОЗУ продолжили постепенное снижении и в декабре. Так, 2 ГБ модули DDR3 подешевели на 3% до 9,25 доллара США, а 4 ГБ планки показали в два раза большую динамику. Упав на 6% за модуль, новая цена на них составила 16,50 долларов.