Новости про GDDR6 и Samsung

Samsung фактически выпускает 16-гигабитную память GDDR6

Компания Samsung анонсировала новую 16-гигабитную память GDDR6 ещё в прошлом году, а в январе даже сообщала о начале её массового производства. Но только теперь благодаря NVIDIA и её видеокартам серии Quadro RTX эта память поступила на рынок.

Во всех анонсированных во вторник видеокартах Quadro моделей RTX 8000, RTX 6000 и RTX 5000 используется память GDDR6 объёмом 16 Гб от Samsung, обеспечивая высокую скорость и эффективность.

GDDR6 память от Samsung объёмом 6 Гб
GDDR6 память от Samsung объёмом 6 Гб

По данным Samsung, эта память на 35% более экономична, чем GDDR5. Это достигается новой конструкции цепи, что позволяет памяти GDDR6 от Samsung работать на напряжении 1,35 В против 1,55 В у GDDR5. Скорость в новой памяти также радует. Она достигает 14 Гб/с на контакт, а общая скорость передачи данных составляет 56 ГБ/с, что на 75% быстрее, чем 8 Гб чипов GDDR5.

Свой пресс-релиз компания дополнила заявлением своего корпоративного вице-президента Джима Элиотта, который назвал это событие «привилегией со стороны NVIDIA».

Samsung начинает массовое производство 16 Гб чипов GDDR6

Три месяца назад компания Samsung сообщила о завершении подготовительных работ с памятью GDDR6, но только теперь компания опубликовала некоторые детали об этой памяти.

Южнокорейский гигант Samsung сообщил о начале массового производства первой памяти GDDR6 объёмом 16 Гб. Эта память появится в видеокартах уже в этом году.

16 Гб чипы памяти Samsung GDDR6

Память данного типа будет использоваться в игровых видеоплатах, а также системах для автомобилей, сетевого обслуживания и искусственного интеллекта. Эти микросхемы изготавливаются по 10 нм технологии и имеют ёмкость 16 Гб, что вдвое выше 8 Гб чипов Samsung памяти GDDR5.

По данным разработчика новая память работает на скорости 18 Гб/с на контакт, обеспечивая передачу данных до 72 ГБ/с. Это гигантский прорыв для Samsung, особенно учитывая, что изменений в энергопотреблении не произошло. Благодаря новой принципиальной схеме, микросхемы GDDR6 работают при напряжении 1,35 В, что на 35% ниже чем GDDR5, которая обычно работает на напряжении 1,55 В.

Samsung готовит микросхемы GDDR6 и SSD с рекордными характеристиками

Готовясь к выставке CES, которая состоится в январе 2018 года, компания Samsung подготовила 36 новинок, две из которых будут интересны энтузиастам ПК.

Первая касается новой высокоскоростной памяти GDDR6, которая обладает большей скоростью работы при меньшем энергопотреблении, чем нынешняя память для графики. Новая память GDDR6 от Samsung обладает пропускной способностью 16 Гб/с, что означает скорость ввода-вывода в 64 ГБ/с. Память работает на напряжении 1,35 В.

Samsung SSD 8TB NGSFF

Второй позицией на CES станут новые SSD NGSFF (next-gen form factor) объёмом 8 ТБ. Используя этот новый форм фактор, Samsung сможет резко увеличить производительность серверов формата 1U. Накопитель сможет обеспечить скорость ввода-вывода на уровне 0,5 ПБ/с. Также, при размере 30х11х4,4 мм, новый SSD занимает меньше места.

Скорее всего, никаких деталей о новых продуктах мы не узнаем до января, когда и состоится их официальная презентация.

Samsung готовит GDDR6

Сейчас самыми быстрыми версиями видеопамяти являются стековая HBM первого поколения и GDDR5X. Многие рассматривают HMB2 в качестве следующего поколения памяти для видеоплат, однако в Южной Корее считают, что возможности GDDR пока не исчерпаны. Компания Samsung работает над стандартом памяти GDDR6, который сможет предложить скорость передачи данных в диапазоне от 14 до 16 гигабит в секунду, однако случится это не раньше 2018 года.

Современная память GDDR5, используемая в Radeon RX 480/  GeForce GTX 1070 обладает пропускной способностью в 7—8 Гб/с, а скорость GDDR5X, которая используется в GTX 1080, может достигать 10 Гб/с. Если Samsung сможет воплотить планы в жизнь, то к моменту своего появления GDDR6 получит ту же производительность, что и GDDR5X к 2018 году, а именно — 14 Гб/с. Ожидается, что через 2 года после релиза технология усовершенствуется, и разработчикам удастся достичь пропускной способности в 16 Гб/с.

Прогнозы Samsung по развитию памяти

Прогнозы Samsung по развитию памяти

Это означает удвоение скорости передачи данных, по отношению к нынешней памяти, и увеличение частот. Что касается питания, то в GDDR6 планируется сохранить нынешнее напряжение в 1,35 В.

Прогнозы Samsung по развитию памяти

Прогнозы Samsung по развитию памяти

Отмечается, что кроме новой видеопамяти южнокорейский гигант активно занимается разработкой оперативной памяти DDR5 и её ноутбучной версии LPDDR5.